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Technische Details IS42S16800F-6BLI ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16800F-6BLI - SDRAM, 8M x 16 Bit, 5.4ns, parallele Schnittstelle, BGA-54, tariffCode: 85423245, DRAM-Ausführung: SDR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: BGA, Speicherdichte: 128Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: 166MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 54Pins, Produktpalette: IS42S, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 8M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
Weitere Produktangebote IS42S16800F-6BLI nach Preis ab 4.1 EUR bis 7.76 EUR
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Verfügbarkeit |
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IS42S16800F-6BLI | Hersteller : ISSI |
 DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA |
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IS42S16800F-6BLI | Hersteller : ISSI |
DRAM 128M 8Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V |
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IS42S16800F-6BLI | Hersteller : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16800F-6BLI - SDRAM, 8M x 16 Bit, 5.4ns, parallele Schnittstelle, BGA-54 tariffCode: 85423245 DRAM-Ausführung: SDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 128Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 54Pins Produktpalette: IS42S productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 8M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
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IS42S16800F-6BLI | Hersteller : ISSI |
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA |
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| IS42S16800F-6BLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 2Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA54 Kind of package: in-tray; tube Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory organisation: 2Mx16bitx4 Access time: 6ns Clock frequency: 166MHz Kind of interface: parallel Memory: 128Mb DRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Case: TFBGA54 Supply voltage: 3...3.6V DC Anzahl je Verpackung: 348 Stücke |
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IS42S16800F-6BLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 54-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 128Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8) Memory Interface: Parallel Access Time: 5.4 ns Memory Organization: 8M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
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| IS42S16800F-6BLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 2Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA54 Kind of package: in-tray; tube Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory organisation: 2Mx16bitx4 Access time: 6ns Clock frequency: 166MHz Kind of interface: parallel Memory: 128Mb DRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Case: TFBGA54 Supply voltage: 3...3.6V DC |
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