IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IRLZ34NSTRLPBF nach Preis ab 0.56 EUR bis 5.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 68W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NSTRLPBF Produktcode: 172480 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V |
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl |
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V |
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| IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 30 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 5 В; Rds = 35 мОм @ 16 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,8; 68; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK |
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 21A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 68W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 21A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 68W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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