IRL6372TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRL6372TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRL6372TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R |
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IRL6372TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R |
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IRL6372TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
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IRL6372TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.1A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 17.9mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRL6372TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.1A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 17.9mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
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IRL6372TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R |
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IRL6372TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R |
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IRL6372TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R |
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IRL6372TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs DUAL MOSFT 8.1A 2.5V 18mOhm drv cpbl |
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IRL6372TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
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IRL6372TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRL6372TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| IRL6372TRPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 8,1 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 25; Qg, нКл = 11 @ 4,5 В; Rds = 17,9 мОм @ 8,1 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА; SOICN-8 |
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IRL6372TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R |
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IRL6372TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R |
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