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IRG4PH50KD

IRG4PH50KD China

IRG4PH50KD.pdf
Produktcode: 200971
Hersteller: China
Gehäuse: TO-247AC
Vces: 1200 V
Vce: 2,77 V
Ic 25: 45 A
Ic 100: 24 A
Pd 25: 200 W
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Technische Details IRG4PH50KD China

  • IGBT, TO-247
  • Transistor Type:IGBT
  • Transistor Polarity:N
  • Max Current Ic Continuous a:45A
  • Max Voltage Vce Sat:2.77V
  • Power Dissipation:200W
  • Case Style:TO-247
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Fall Time:300ns
  • Min Short Circuit Withstand Time:10es
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulsed Current Icm:90A
  • Rise Time:100ns

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRG4PH50KD IRG4PH50KD
Produktcode: 23471 		Hersteller : IR IRG4PH50KD.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AC
Vces: 1200
Vce: 2,77
Ic 25: 45
Ic 100: 24
Pd 25: 200
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I dir: 35A
Zus.Info: Dreiphasen-Brücke
Auwechselbar:: 36MT160, 36MT140, 36MT120, 36MT100, VS-36MT160, VS-36MT140, VS-36MT120, VS-36MT100, SKBPC35-14, SKBPC35-12, SKBPC35-10
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 400 A
№ 7: 8541 10 00 10
verfügbar: 234 Stück
32 Stück - stock Köln
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