Technische Details IRFR5410TRPBF
- MOSFET
- Transistor Polarity:P Channel
- C
Weitere Produktangebote IRFR5410TRPBF nach Preis ab 0.53 EUR bis 7.2 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IRFR5410TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5410TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR5410TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR5410TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5410TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Power dissipation: 66W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3978 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR5410TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Power dissipation: 66W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 3978 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5410TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5410TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 13438 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5410TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5410TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC |
auf Bestellung 17014 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR5410TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
auf Bestellung 20784 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR5410TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 40018 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5410TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 40018 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5410TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5410TRPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 13 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 760; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 205 мОм @ 7,8 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 66; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK |
auf Bestellung 693 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5410TRPBF | Hersteller : Infineon | Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-100V; Id=-13A; Pdmax=66W; Rds=0,205 Ohm |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5410TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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KX-KT 8.0 MHz (Quarz Resonator) Produktcode: 33015 |
Hersteller: Geyer
Quarz- und keramische > Quarz- und keramische Resonatoren und Generatoren
Frequenz: 8 MHz
Gehäuse: QSMD12.3x4.5x4.2
Typ: Quarz Resonator
16 pF
Стабільність при 25°C: +/-30ppm
Монтаж: SMD
№ 7: 8541600000
Quarz- und keramische > Quarz- und keramische Resonatoren und Generatoren
Frequenz: 8 MHz
Gehäuse: QSMD12.3x4.5x4.2
Typ: Quarz Resonator
16 pF
Стабільність при 25°C: +/-30ppm
Монтаж: SMD
№ 7: 8541600000
auf Bestellung 128 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 1000 Stück:
1000 Stück - erwartetAnzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.57 EUR |
10+ | 0.53 EUR |
4,7uF 16V size-A 10% (TAJA475K016RNJ-AVX) Produktcode: 14106 |
Hersteller: AVX
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 16V
Präzision: ±10%
Größentyp: Size-A
№ 6: 8532210000
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 16V
Präzision: ±10%
Größentyp: Size-A
№ 6: 8532210000
verfügbar: 718 Stück
250 Stück - stock Köln
468 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
468 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.16 EUR |
10+ | 0.12 EUR |
100+ | 0.059 EUR |
1000+ | 0.049 EUR |
BAT54S Produktcode: 4313 |
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SOT-23
Vrrm(V): 30
If(A): 0,2
VF@IF: 0,4
Bemerkung: 2 konsekutiv
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 0,6 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SOT-23
Vrrm(V): 30
If(A): 0,2
VF@IF: 0,4
Bemerkung: 2 konsekutiv
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 0,6 A
auf Bestellung 4112 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.03 EUR |
10+ | 0.028 EUR |
100+ | 0.026 EUR |
1000+ | 0.021 EUR |
33pF 50V NP0 5% 0603 4k/reel (0603N330J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD) Produktcode: 3917 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 33pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0603
№ 7: 8532 24 00 00
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 33pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0603
№ 7: 8532 24 00 00
verfügbar: 1874 Stück
1200 Stück - stock Köln
674 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
674 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet:
4000 Stück
4000 Stück - erwartet 30.11.2024
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.02 EUR |
100+ | 0.0062 EUR |
1000+ | 0.0033 EUR |
10000+ | 0.0027 EUR |
620 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 2150 |
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 620 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 620 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 5910 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 20000 Stück:
20000 Stück - erwartet 20.10.2024Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.0042 EUR |
100+ | 0.0036 EUR |
1000+ | 0.0028 EUR |