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Technische Details IPU80R2K4P7AKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPU80R2K4P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPU80R2K4P7AKMA1 nach Preis ab 0.77 EUR bis 1.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPU80R2K4P7AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 22W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V |
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IPU80R2K4P7AKMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPU80R2K4P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 22W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPU80R2K4P7AKMA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R2K4P7AKMA1 - IPU80R2K4 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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IPU80R2K4P7AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
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IPU80R2K4P7AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
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IPU80R2K4P7AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
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IPU80R2K4P7AKMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 22W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.7A Power dissipation: 22W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: THT Gate charge: 8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPU80R2K4P7AKMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 22W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.7A Power dissipation: 22W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: THT Gate charge: 8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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