IPL65R165CFDAUMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPL65R165CFDAUMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 21.3A, Power dissipation: 195W, Case: PG-VSON-4, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.165Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IPL65R165CFDAUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 21.3A Power dissipation: 195W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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IPL65R165CFDAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 4VSON |
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IPL65R165CFDAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_LEGACY |
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IPL65R165CFDAUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 21.3A Power dissipation: 195W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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