IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPD530N15N3GATMA1 nach Preis ab 0.67 EUR bis 2.55 EUR
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IPD530N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD530N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD530N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD530N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD530N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2426 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD530N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
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IPD530N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V |
auf Bestellung 2440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD530N15N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IPD530N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD530N15N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2913 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD530N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD530N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IPD530N15N3GATMA1 Produktcode: 182945 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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IPD530N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPD530N15N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V |
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