IPD180N10N3G Infineon technologies


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Technische Details IPD180N10N3G Infineon technologies

MOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3.

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IPD180N10N3 G IPD180N10N3 G Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD180N10N3_G-DS-v02_03-en-958020.pdf MOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3
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