IPD135N08N3GATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
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Technische Details IPD135N08N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD135N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45 A, 0.0114 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 79W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0114ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPD135N08N3GATMA1 nach Preis ab 0.72 EUR bis 2.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IPD135N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
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IPD135N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V |
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IPD135N08N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD135N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45 A, 0.0114 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 79W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0114ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IPD135N08N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD135N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45 A, 0.0114 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 79W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 6322 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD135N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 45A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 130000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD135N08N3GATMA1 Produktcode: 164353 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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