IKW30N60DTPXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKW30N60DTPXKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 76 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns, Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V, Gate Charge: 130 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 53 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 200 W.
Weitere Produktangebote IKW30N60DTPXKSA1 nach Preis ab 2.05 EUR bis 5.9 EUR
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IKW30N60DTPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 IGBTs Y |
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IKW30N60DTPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 130 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 53 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 200 W |
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IKW30N60DTPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW30N60DTPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW30N60DTPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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