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Technische Details GS66508T-MR GaN Systems Inc
Description: GS66508T-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA, Supplier Device Package: Die, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 400 V.
Weitere Produktangebote GS66508T-MR nach Preis ab 30.59 EUR bis 47.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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GS66508T-MR | Hersteller : Infineon Technologies |
 GaN FETs 650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled |
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| GS66508T-MR | Hersteller : GaN Systems |
Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
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GS66508T-MR | Hersteller : Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS66508T-MR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 400 V |
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