Suchergebnisse für "fdp8874." : 3
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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FDP8874 | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDP8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 114 A, 0.0053 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 114A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 142470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP8874 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP8874 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
| FDP8874 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 114 A, 0.0053 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDP8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 114 A, 0.0053 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 142470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FDP8874 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FDP8874 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar