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Mindestbestellmenge: 2500
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Mindestbestellmenge: 80
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FDD6637 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -35V Drain current: -55A Power dissipation: 57W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6637 | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 25837 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD6637 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 35V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 14789 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6637 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6637 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6637 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6637 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 35V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 14789 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6637 | ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD6637 | ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD6637-F085 | ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD6637-F085 | ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
FDD6637 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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38+ | 1.9 EUR |
46+ | 1.56 EUR |
60+ | 1.2 EUR |
64+ | 1.13 EUR |
FDD6637 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 35V PCH PowerTrench MOSFET
MOSFETs 35V PCH PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 25837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 2.64 EUR |
10+ | 2.11 EUR |
100+ | 1.67 EUR |
500+ | 1.42 EUR |
1000+ | 1.15 EUR |
2500+ | 1.1 EUR |
FDD6637 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FDD6637 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2500+ | 0.88 EUR |
FDD6637 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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66+ | 2.38 EUR |
80+ | 1.89 EUR |
82+ | 1.77 EUR |
102+ | 1.37 EUR |
250+ | 1.3 EUR |
500+ | 1.07 EUR |
1000+ | 0.72 EUR |
FDD6637 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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80+ | 1.96 EUR |
82+ | 1.84 EUR |
102+ | 1.42 EUR |
250+ | 1.35 EUR |
500+ | 1.11 EUR |
1000+ | 0.75 EUR |
FDD6637 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FDD6637 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDD6637 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDD6637-F085 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 35V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDD6637-F085 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 35V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar