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FDC604P

FDC604P ON Semiconductor

fdc604p-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Technische Details FDC604P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC604P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.033 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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FDC604P FDC604P Hersteller : onsemi fdc604p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 10 V
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FDC604P FDC604P Hersteller : ON Semiconductor fdc604p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC604P FDC604P Hersteller : ON Semiconductor fdc604p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC604P FDC604P Hersteller : ONSEMI FDC604P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDC604P FDC604P Hersteller : ONSEMI FDC604P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
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FDC604P FDC604P Hersteller : ON Semiconductor fdc604p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC604P FDC604P Hersteller : onsemi fdc604p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 10 V
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FDC604P FDC604P Hersteller : onsemi / Fairchild FDC604P_D-2312246.pdf MOSFET SSOT-6 P-CH
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3000+ 0.32 EUR
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FDC604P FDC604P Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0015183132-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC604P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.033 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FDC604P FDC604P Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0015183132-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC604P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.033 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
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Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FDC604P FDC604P Hersteller : ON Semiconductor fdc604p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC604P FDC604P Hersteller : ON Semiconductor 3663815808837591fdc604p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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