FCD9N60NTM ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD9N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.33 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FCD9N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.33 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details FCD9N60NTM ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD9N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.33 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83.3W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote FCD9N60NTM
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FCD9N60NTM | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Channel SupreMOS |
auf Bestellung 2460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCD9N60NTM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCD9N60NTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.33 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 83.3W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 1340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCD9N60NTM | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FCD9N60NTM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 92.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FCD9N60NTM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 92.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V |
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