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EFC4611-TR

EFC4611-TR ONSEMI


SNYOS14856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - EFC4611-TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, EFCP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: EFCP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Technische Details EFC4611-TR ONSEMI

Description: ONSEMI - EFC4611-TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, EFCP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: -, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: EFCP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).