DS1230AB-120IND+ ANALOG DEVICES
Hersteller: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-120IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 256kB, 32Kx8Bit, 120ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: eDIP
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 120ns
Zugriffszeit für Lesen: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-120IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 256kB, 32Kx8Bit, 120ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28
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IC-Gehäuse / Bauform: eDIP
Speicherdichte: 256Kbit
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Betriebstemperatur, min.: -40°C
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Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
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Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 120ns
Zugriffszeit für Lesen: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details DS1230AB-120IND+ ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-120IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 256kB, 32Kx8Bit, 120ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: eDIP, Speicherdichte: 256Kbit, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Schnittstellen: Parallel, Zugriffszeit für Schreiben: 120ns, Zugriffszeit für Lesen: 120ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DS1230AB-120IND+
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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DS1230AB-120IND | Hersteller : DALLAS | DIP-28 08+09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DS1230AB-120IND+ | Hersteller : Maxim | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1230AB-120IND+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1230AB-120IND+ | Hersteller : Maxim |
MOD/E/256K NONVOLATILE SRAM DS1230 Anzahl je Verpackung: 12 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1230AB-120IND | Hersteller : Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1230AB-120IND+ | Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1230AB-120IND+ | Hersteller : Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
Produkt ist nicht verfügbar |