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DMG1012UW-7

DMG1012UW-7 Diodes Zetex

ds31859.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
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Technische Details DMG1012UW-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 290, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31859.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
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DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31859.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
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DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMG1012UW.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
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DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31859.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
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DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31859.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
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DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMG1012UW-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.29W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
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264+ 0.27 EUR
309+ 0.23 EUR
490+ 0.15 EUR
600+ 0.12 EUR
1516+ 0.047 EUR
1603+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 179
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMG1012UW-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.29W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMG1012UW.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
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1000+ 0.1 EUR
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DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMG1012UW.pdf MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-323
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24000+ 0.065 EUR
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DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Hersteller : DIODES INC. 1915877.pdf Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 290
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Hersteller : DIODES INC. 1915877.pdf Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 290
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
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SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31859.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 497 Stücke:
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DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Hersteller : Diodes Inc ds31859.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 498000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DMG1012UW-7 Hersteller : JGSEMI DMG1012UW.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 1,8A; 400mW; -55°C ~ 125°C; Equivalent: DMG1012UW-7 Diodes; DMG1012UW-7 JGSEMI TDMG1012uw JGS
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
500+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 500
DMG1012UW-7 Hersteller : DIODES/ZETEX DMG1012UW.pdf N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
500+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 500
DMG1012UW-7 Hersteller : DIODES/ZETEX DMG1012UW.pdf N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
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Mindestbestellmenge: 500