Produkte > DACO SEMICONDUCTOR > DACSB80060CT
DACSB80060CT

DACSB80060CT DACO Semiconductor


DACSB80060CT.pdf Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 600V; If: 400Ax2; Ifsm: 3kA
Type of module: diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Schottky
Technology: SiC
Case: Twin tower B
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 1.45V
Load current: 400A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 3kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+355.05 EUR
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DACSB80060CT DACO Semiconductor

Category: Diode modules, Description: Module: diode; double,common cathode; 600V; If: 400Ax2; Ifsm: 3kA, Type of module: diode, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Features of semiconductor devices: Schottky, Technology: SiC, Case: Twin tower B, Max. off-state voltage: 0.6kV, Max. forward voltage: 1.45V, Load current: 400A x2, Semiconductor structure: common cathode; double, Max. forward impulse current: 3kA, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote DACSB80060CT nach Preis ab 355.05 EUR bis 355.05 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
DACSB80060CT DACSB80060CT Hersteller : DACO Semiconductor DACSB80060CT.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 600V; If: 400Ax2; Ifsm: 3kA
Type of module: diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Schottky
Technology: SiC
Case: Twin tower B
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 1.45V
Load current: 400A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 3kA
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+355.05 EUR