CY7C1049G30-10VXI Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 36-SOJ
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2+ | 11.84 EUR |
| 19+ | 10.9 EUR |
| 38+ | 10.67 EUR |
| 57+ | 10.64 EUR |
| 114+ | 9.54 EUR |
| 266+ | 9.25 EUR |
| 513+ | 8.8 EUR |
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Technische Details CY7C1049G30-10VXI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY7C1049G30-10VXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOJ, 36 Pin(s), 2.2 V, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: SOJ, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 8bit, IC-Gehäuse / Bauform: SOJ, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.b, Zugriffszeit: 10ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, euEccn: NLR, Speichergröße: 4Mbit, Anzahl der Pins: 36Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote CY7C1049G30-10VXI nach Preis ab 8.29 EUR bis 13.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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CY7C1049G30-10VXI | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit |
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CY7C1049G30-10VXI | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1049G30-10VXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOJ, 36 Pin(s), 2.2 V tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: SOJ rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 8bit IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.b Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY7C1049G30-10VXI | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ Tube |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY7C1049G30-10VXI | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CY7C1049G30-10VXI | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ Tube |
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