CSD23280F3T Texas Instruments
Hersteller: Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 6 V
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| 1250+ | 0.49 EUR |
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Technische Details CSD23280F3T Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23280F3T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 1.8 A, 0.097 ohm, LGA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: LGA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FemtoFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote CSD23280F3T nach Preis ab 0.51 EUR bis 1.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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CSD23280F3T | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFET -12-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 116 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150 |
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CSD23280F3T | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 6 V |
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CSD23280F3T | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23280F3T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 1.8 A, 0.097 ohm, LGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: LGA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FemtoFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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CSD23280F3T | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23280F3T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 1.8 A, 0.097 ohm, LGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: LGA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FemtoFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD23280F3T | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH 12V 1.8A 3-Pin PicoStar T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD23280F3T | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; 2.9A; Idm: 11.4A; 1.4W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -12V Drain current: 2.9A On-state resistance: 0.399Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: 11.4A Mounting: SMD Case: PICOSTAR3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| CSD23280F3T | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; 2.9A; Idm: 11.4A; 1.4W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -12V Drain current: 2.9A On-state resistance: 0.399Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: 11.4A Mounting: SMD Case: PICOSTAR3 |
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