CSD19537Q3T Texas Instruments
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Technische Details CSD19537Q3T Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0121 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0121ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote CSD19537Q3T nach Preis ab 1 EUR bis 2.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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CSD19537Q3T | Hersteller : Texas Instruments |
 Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V |
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CSD19537Q3T | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 83W; VSON-CLIP8 Case: VSON-CLIP8 Mounting: SMD On-state resistance: 12.1mΩ Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Dimensions: 3.3x3.3mm Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19537Q3T | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 83W; VSON-CLIP8 Case: VSON-CLIP8 Mounting: SMD On-state resistance: 12.1mΩ Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Dimensions: 3.3x3.3mm Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD19537Q3T | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V |
auf Bestellung 1762 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD19537Q3T | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFETs 100-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 14.5 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150 |
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CSD19537Q3T | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0121 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD19537Q3T | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0121 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0121ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD19537Q3T | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD19537Q3T | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CSD19537Q3T | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
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CSD19537Q3T | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
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