Suchergebnisse für "csd17308q3 ." : 15
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Mindestbestellmenge: 250
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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CSD17308Q3 | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Pulsed drain current: 167A Power dissipation: 2.7W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 3.3x3.3mm |
auf Bestellung 568 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD17308Q3 | Texas Instruments |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD17308Q3 | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD17308Q3 | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD17308Q3T | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Pulsed drain current: 167A Power dissipation: 2.7W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 9.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 3.3x3.3mm |
auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD17308Q3T | Texas Instruments |
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auf Bestellung 989 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD17308Q3T | Texas Instruments |
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auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD17308Q3T | Texas Instruments |
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auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD17308Q3T | Texas Instruments |
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auf Bestellung 1250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD17308Q3T | Texas Instruments |
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auf Bestellung 1250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD17308Q3 | Texas Instruments |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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CSD17308Q3 | Texas Instruments |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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CSD17308Q3 | Texas Instruments |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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CSD17308Q3T | Texas Instruments |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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CSD17308Q3T | Texas Instruments |
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Produkt ist nicht verfügbar |
CSD17308Q3 |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
auf Bestellung 568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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65+ | 1.1 EUR |
144+ | 0.5 EUR |
152+ | 0.47 EUR |
CSD17308Q3 |
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Hersteller: Texas Instruments
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 16,5mOhm; 44A; 28W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: CSD17308Q3T; CSD17308Q3 TCSD17308q3
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 16,5mOhm; 44A; 28W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: CSD17308Q3T; CSD17308Q3 TCSD17308q3
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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25+ | 1.27 EUR |
CSD17308Q3 |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)CSD17308Q3 |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)CSD17308Q3T |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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63+ | 1.14 EUR |
76+ | 0.95 EUR |
95+ | 0.76 EUR |
101+ | 0.71 EUR |
CSD17308Q3T |
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Hersteller: Texas Instruments
MOSFETs 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 11.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
MOSFETs 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 11.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
auf Bestellung 989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 1.57 EUR |
10+ | 1.3 EUR |
100+ | 1.04 EUR |
500+ | 0.89 EUR |
1000+ | 0.73 EUR |
2500+ | 0.68 EUR |
5000+ | 0.65 EUR |
CSD17308Q3T |
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Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)CSD17308Q3T |
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Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)CSD17308Q3T |
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Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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250+ | 0.92 EUR |
500+ | 0.77 EUR |
1000+ | 0.6 EUR |
CSD17308Q3T |
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Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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250+ | 0.92 EUR |
500+ | 0.77 EUR |
1000+ | 0.6 EUR |
CSD17308Q3 |
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Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
CSD17308Q3 |
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Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
CSD17308Q3 |
![]() |
Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
CSD17308Q3T |
![]() |
Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
CSD17308Q3T |
![]() |
Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar