BYV26E (LGE) LGE/Philips

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Produktcode: 127965

Hersteller: LGE/Philips
Gehäuse: SOD-57
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 1 А
Trr, ns: 75 ns

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	BYV26E Produktcode: 37398	Hersteller : Vishay	Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle Gehäuse: SOD-57 Vrr, V: 1000 Iav, A: 1 Trr, ns: 75	erwartet: 60 Stück einschränken entfalten	Anzahl Preis ohne MwSt 1+ 0.34 EUR 10+  0.29 EUR kaufen

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	BYV26E Produktcode: 37398	Hersteller : Vishay	Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle Gehäuse: SOD-57 Vrr, V: 1000 Iav, A: 1 Trr, ns: 75	erwartet: 60 Stück einschränken entfalten	Anzahl Preis ohne MwSt 1+ 0.34 EUR 10+  0.29 EUR kaufen
	BYV26E	Hersteller : EIC SEMICONDUCTOR INC.	Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO41 Packaging: Bag Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V	auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 500+ 0.37 EUR Mindestbestellmenge: 500 kaufen
	BYV26E	Hersteller : Vishay	Диод БМ SOD57 U=1000 V I=1 A trr=75 ns	auf Bestellung 1876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 1+ 1.66 EUR 10+  1.47 EUR 100+  1.33 EUR kaufen
	BYV26E	Hersteller : EIC	Rectifier Diode Switching 1KV 1A 75ns 2-Pin DO-41	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	BYV26E	Hersteller : EIC	Rectifier Diode Switching 1KV 1A 75ns 2-Pin DO-41	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	BYV26E	Hersteller : Vishay Semiconductors	Rectifiers	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen

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5,1 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 1267

Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 5,1 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805

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LL4148 Produktcode: 2413

Hersteller: SEMTECH
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-80
Vrr, V: 100
Iav, A: 0,2 A
Austauschbar:: SMD

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FQPF8N60C Produktcode: 13455

Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 07.05.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT

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UC3843BD1 (SO-8) Produktcode: 14241

Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 250
Temperaturbereich: -65…+150°C

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1.5KE400CA Produktcode: 18274

Hersteller: YJ/GS
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-201
P, Wt: 1500
U Durchbruch: 400
n: 342 V
n: 1 µA
n: Двоспрямований
Монтаж: THT

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