BY251G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BY251G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 150 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 150A
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Durchlassspannung, max.: 1V
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
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Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Technische Details BY251G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BY251G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 150 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 150A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| BY251G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BY251G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 3A, 200V, STANDARD RECTIFIER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BY251G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 3A, 200V, Standard Recovery Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |