BTW69/1200RG

BTW69/1200RG ST


BTW69.pdf
Produktcode: 25404
Hersteller: ST
Gehäuse: TOP-3
U,zu,V: 1200V
I-auf,mA: 50mA
Imax,A: 50A
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BTW69-1200RG BTW69-1200RG Hersteller : STMicroelectronics cd00000672.pdf SCR 1200V 50A(RMS) 610A 3-Pin(3+Tab) TOP Insulated Tube
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BTW69-1200RG BTW69-1200RG Hersteller : STMicroelectronics cd00000672.pdf SCR 1200V 50A(RMS) 610A 3-Pin(3+Tab) TOP Insulated Tube
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BTW69-1200RG BTW69-1200RG Hersteller : STMicroelectronics cd00000672.pdf SCR 1200V 50A(RMS) 610A 3-Pin(3+Tab) TOP Insulated Tube
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BTW69-1200RG BTW69-1200RG Hersteller : STMicroelectronics cd00000672.pdf SCR 1200V 50A(RMS) 610A 3-Pin(3+Tab) TOP Insulated Tube
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BTW69-1200RG BTW69-1200RG Hersteller : STMicroelectronics btw69_1200-1849107.pdf SCRs 50 Amp 1200 Volt
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BTW69-1200RG BTW69-1200RG Hersteller : STMicroelectronics BTW67-600-STMicroelectronics.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 50A; 32A; Igt: 80mA; TOP3; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 50A
Load current: 32A
Gate current: 80mA
Case: TOP3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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6+12.27 EUR
7+11.60 EUR
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BTW69-1200RG BTW69-1200RG Hersteller : STMicroelectronics BTW67-600-STMicroelectronics.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 50A; 32A; Igt: 80mA; TOP3; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 50A
Load current: 32A
Gate current: 80mA
Case: TOP3
Mounting: THT
Kind of package: tube
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7+11.60 EUR
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BTW69-1200RG BTW69-1200RG Hersteller : STMicroelectronics cd00000672.pdf Thyristor SCR 1.2KV 610A 3-Pin(3+Tab) TOP Insulated Tube
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BTW69-1200RG btw67.pdf
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BTW69-1200RG btw67.pdf BTW69-1200RG Прочие компоненты
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BTW69-1200RG Hersteller : STMicroelectronics cd00000672.pdf Thyristor SCR 1.2KV 610A 3-Pin(3+Tab) TOP Insulated Tube
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BTW69-1200RG BTW69-1200RG Hersteller : STMicroelectronics btw67.pdf Description: SCR 1.2KV 50A TOP3
Packaging: Tube
Package / Case: TOP-3
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 150 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 80 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 580A, 610A
Current - On State (It (AV)) (Max): 32 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.9 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TOP3
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
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1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
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MER 100nF 100V J(+/-5%), P=10mm; 5,5x10x13mm (MER104J2AB-Hitano) (Folienkondensator)
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MER 100nF 100V J(+/-5%), P=10mm; 5,5x10x13mm (MER104J2AB-Hitano) (Folienkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 100nF
Nennspannung, V: 100VDC
Präzision: ±5% J
Abstand ausg. und Abmessungen: P=10mm, 5,5x10x13mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER104J2AB
ZCODE: 8532 29 00 00
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BD140
Produktcode: 15292
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BD140
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
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Produktcode: 18217
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Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 9,1
Istab.direkt,A: 25mA
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -
auf Bestellung 889 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MER 330nF 630V 5% P=27.5mm; 11x17.5x30mm (MER334J2JB-Hitano)
Produktcode: 61623
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MER_070523.pdf
MER 330nF 630V 5% P=27.5mm; 11x17.5x30mm (MER334J2JB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 330nF
Nennspannung, V: 630VDC
Präzision: ±5% J
Abstand ausg. und Abmessungen: P=27,5mm; 11x17,5x30mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER334J2JB
auf Bestellung 2691 Stück:
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10+0.42 EUR
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