BSM75GD120DLCBOSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSM75GD120DLCBOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 125A 500W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 125 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 500 W, Current - Collector Cutoff (Max): 92 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote BSM75GD120DLCBOSA1 nach Preis ab 121.96 EUR bis 582.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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| BSM75GD120DLCBOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 125A 500W 19-Pin ECONO3 |
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| BSM75GD120DLCBOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 125A 500W 19-Pin ECONO3 |
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| BSM75GD120DLCBOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 125A 500W 19-Pin ECONO3 |
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| BSM75GD120DLCBOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 125A 500000mW 19-Pin ECONO3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BSM75GD120DLCBOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 125A 500W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 125 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 500 W Current - Collector Cutoff (Max): 92 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1 nF @ 25 V |
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| BSM75GD120DLCBOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO |
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