BSC0501NSIATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSC0501NSIATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V.
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BSC0501NSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC0501NSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V |
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BSC0501NSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC0501NSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V |
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BSC0501NSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
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BSC0501NSIATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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BSC0501NSIATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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BSC0501NSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC0501NSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC0501NSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC0501NSIATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 50W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC0501NSIATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 50W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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