BSC033N08NS5SCATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 76µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 40 V

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Technische Details BSC033N08NS5SCATMA1 Infineon Technologies

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	BSC033N08NS5SCATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 76µA Supplier Device Package: PG-WSON-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 40 V	auf Bestellung 8073 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 3+ 6.23 EUR 10+  4.09 EUR 100+  2.88 EUR 500+  2.36 EUR 1000+  2.19 EUR 2000+  2.17 EUR Mindestbestellmenge: 3 kaufen
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