BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 5000+ | 1.11 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSC014N04LSATMA1 nach Preis ab 0.93 EUR bis 3.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC014N04LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC014N04LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC014N04LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC014N04LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS |
auf Bestellung 11428 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC014N04LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V |
auf Bestellung 9466 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC014N04LSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 21654 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
|
|
BSC014N04LSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 21654 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
 |
BSC014N04LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
|
|
BSC014N04LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
|
|
BSC014N04LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
 |
BSC014N04LSATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
|
|
BSC014N04LSATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |