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Technische Details BSC005N03LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC005N03LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00048 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 433A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 188W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 480µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote BSC005N03LS5ATMA1 nach Preis ab 1.55 EUR bis 4.8 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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BSC005N03LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 15 V |
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BSC005N03LS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC005N03LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00048 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 433A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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BSC005N03LS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC005N03LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00048 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 433A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 188W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 480µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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BSC005N03LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | SP004819078 |
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BSC005N03LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 15 V |
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