BD139-10 (SOT-32, STM) ST/CDIL
Produktcode: 161642
Hersteller: ST/CDILGehäuse: TO-126
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
ZCODE: THT
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BD139-10 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
auf Bestellung 23686 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD139-10 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32 Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: SOT32 Kind of package: tube Frequency: 50MHz Power dissipation: 12.5W Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 63...160 Collector current: 1.5A Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BD139-10 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32 Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: SOT32 Kind of package: tube Frequency: 50MHz Power dissipation: 12.5W Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 63...160 Collector current: 1.5A Polarisation: bipolar |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD139-10 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
auf Bestellung 23686 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD139-10 | Hersteller : STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr |
auf Bestellung 10872 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BD139-10 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
auf Bestellung 23736 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD139-10 | Hersteller : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4372 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD139-10 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-32 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1872 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD139-10 | Hersteller : STMicroelectronics | Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 40 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3) |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD139-10 | Hersteller : ST |
Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; BD139-10 TBD13910 STM Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BD139-10 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 49049 |
Hersteller : Fairchild |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-126 Uceo,V: 80 V Ucbo,V: 80 V Ic,A: 1,5 A ZCODE: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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BD139-10 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BD139-10 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BD139-10 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT32 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-32 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BD13910 | Hersteller : onsemi | Bipolar Transistors - BJT |
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BD140 Produktcode: 15292 |
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 825 Stück
104 Stück - stock Köln
721 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
721 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet:
2000 Stück
2000 Stück - erwartet 19.10.2024
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.14 EUR |
10+ | 0.12 EUR |
BD140-16 Produktcode: 188702 |
Hersteller: Philips
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80 V
U, V: 100 V
I, А: 1,5 A
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80 V
U, V: 100 V
I, А: 1,5 A
auf Bestellung 413 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)1N4007 Produktcode: 176822 |
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 36009 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)1N4148 Produktcode: 176824 |
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns
auf Bestellung 3515 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 15000 Stück:
15000 Stück - erwartet2N5551 Produktcode: 193606 |
Hersteller: Hottech
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 763 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 100 Stück: