BCR135WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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Technische Details BCR135WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT323, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Weitere Produktangebote BCR135WH6327XTSA1 nach Preis ab 0.046 EUR bis 0.29 EUR
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BCR135WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
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BCR135WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
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BCR135WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R |
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| BCR135WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
NPN 50V 100mA SMT Silicon Digital Transistor BCR135WH6327 BCR135WH6327XTSA1 TBCR135wh Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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NPN 50V 100mA SMT Silicon Digital Transistor BCR135WH6327 BCR135WH6327XTSA1 TBCR135wh Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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| BCR135WH6327XTSA1 |
BCR135WH6327XTSA1 Микросхемы |
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BCR135WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
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BCR135WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
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| BCR135WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR |
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