BAS16WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDiode Switching Si 85V 0.25A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BAS16WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: PG-SOT323, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V.
Weitere Produktangebote BAS16WH6327XTSA1 nach Preis ab 0.041 EUR bis 0.15 EUR
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BAS16WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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Description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: PG-SOT323 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V |
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Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR |
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