APTM60H23FT1G Microchip Technology
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Technische Details APTM60H23FT1G Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 600V; 15A; SP1; Ugs: ±30V; Idm: 125A, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: Press-in PCB, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: transistor/transistor, Case: SP1, On-state resistance: 230mΩ, Gate-source voltage: ±30V, Topology: H-bridge; NTC thermistor, Pulsed drain current: 125A, Power dissipation: 208W, Technology: FREDFET; POWER MOS 8®, Drain current: 15A, Drain-source voltage: 600V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APTM60H23FT1G
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APTM60H23FT1G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 600V; 15A; SP1; Ugs: ±30V; Idm: 125A Mechanical mounting: screw Electrical mounting: Press-in PCB Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Case: SP1 On-state resistance: 230mΩ Gate-source voltage: ±30V Topology: H-bridge; NTC thermistor Pulsed drain current: 125A Power dissipation: 208W Technology: FREDFET; POWER MOS 8® Drain current: 15A Drain-source voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APTM60H23FT1G | Hersteller : Microsemi Corporation | Description: MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 |
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APTM60H23FT1G | Hersteller : Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules CC8076 |
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APTM60H23FT1G | Hersteller : Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules CC8076 |
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APTM60H23FT1G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 600V; 15A; SP1; Ugs: ±30V; Idm: 125A Mechanical mounting: screw Electrical mounting: Press-in PCB Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Case: SP1 On-state resistance: 230mΩ Gate-source voltage: ±30V Topology: H-bridge; NTC thermistor Pulsed drain current: 125A Power dissipation: 208W Technology: FREDFET; POWER MOS 8® Drain current: 15A Drain-source voltage: 600V |
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