Technische Details A2I35H060GNR1 NXP USA Inc.
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V.
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A2I35H060GNR1 | Hersteller : NXP Semiconductors | RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V |
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