Suchergebnisse für "2n6476" : 3
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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MJE15029G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - MJE15029G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 438 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6476 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Med Power |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N6476 TIN/LEAD | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT 130Vcbo 130Vcer 120Vceo 5V 40W |
Produkt ist nicht verfügbar |
| MJE15029G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE15029G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MJE15029G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2N6476 PBFREE |
Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP Med Power
Bipolar Transistors - BJT PNP Med Power
Produkt ist nicht verfügbar
| 2N6476 TIN/LEAD |
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Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 130Vcbo 130Vcer 120Vceo 5V 40W
Bipolar Transistors - BJT 130Vcbo 130Vcer 120Vceo 5V 40W
Produkt ist nicht verfügbar