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UMD10N

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UMD10N-TP

Digital Transistors

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UMD10NHE3-TP

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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3000+	0.16 EUR
6000+	0.15 EUR

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UMD10NHE3-TP

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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32+	0.56 EUR
39+	0.46 EUR
42+	0.42 EUR
100+	0.31 EUR
250+	0.28 EUR
500+	0.24 EUR
1000+	0.18 EUR

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UMD12 N TR

09+

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UMD12 NTR

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UMD12 N TR

SOT363-D12

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UMD12 N TR SOT363-D12

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UMD12 N TR SOT363-D12

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UMD12-323

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UMD12-N-TR

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UMD12-NTRSOT363-D12

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UMD12.N.TR

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UMD12/D12

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UMD12B

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UMD12N

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UMD12N-TPQ2

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363

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UMD12NFHATR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 68
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ

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UMD12NFHATR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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UMD12NFHATR

Digital Transistors TRANS DIGITAL NPN+PNP

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100+	0.24 EUR
1000+	0.19 EUR
3000+	0.16 EUR
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UMD12NFHATR

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UMD12NFHATR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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24+	0.74 EUR
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UMD12NHE3-TP

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101

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UMD12NHE3-TP

Description: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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3000+	0.15 EUR
6000+	0.14 EUR

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UMD12NHE3-TP

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101

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UMD12NHE3-TP

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101

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UMD12NHE3-TP

Digital Transistors

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10+	0.47 EUR
100+	0.32 EUR
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3000+	0.16 EUR
9000+	0.14 EUR
24000+	0.13 EUR

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UMD12NHE3-TP

Description: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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33+	0.55 EUR
41+	0.43 EUR
100+	0.26 EUR
500+	0.24 EUR
1000+	0.16 EUR

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UMD12NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6

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24+	0.74 EUR
34+	0.52 EUR
100+	0.26 EUR
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UMD12NTR

UMD12NTR Complementary transistors

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613+	0.12 EUR
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UMD12NTR

Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 30MA

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4+	0.84 EUR
10+	0.64 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 4

UMD12NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

UMD12NTRSOT363-D12

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UMD12VL-235

auf Bestellung 33000 Stücke:

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UMD12VL-705

auf Bestellung 33000 Stücke:

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UMD15D15

auf Bestellung 72 Stücke:

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UMD15NHE3-TP

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

UMD16N

auf Bestellung 15100 Stücke:

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UMD18N-TP

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-363

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UMD1N

auf Bestellung 15100 Stücke:

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UMD1NTR

auf Bestellung 8503 Stücke:

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UMD2 N TR

SOT26/SOT363

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UMD2 N TR

SOT26

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UMD2 NTR

97+

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UMD2 TR

SOT363

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UMD2/D2

SOT-363

auf Bestellung 6000 Stücke:

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UMD22

auf Bestellung 6000 Stücke:

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UMD22-N-TR

auf Bestellung 150000 Stücke:

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UMD22/D22

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UMD22N

auf Bestellung 3854 Stücke:

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UMD22N

Yangjie Technology

Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si

auf Bestellung 300000 Stücke:

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3000+	0.048 EUR
15000+	0.045 EUR
30000+	0.043 EUR
60000+	0.04 EUR
120000+	0.037 EUR
300000+	0.034 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

UMD22N-TP

Digital Transistors NPN Dual Digital Transistors

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UMD22N-TP

Digital Transistors

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UMD22N-TP

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-363

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UMD22NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

UMD22NFHATR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

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UMD22NFHATR

Description: ROHM - UMD22NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2170 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

UMD22NFHATR

Digital Transistors PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors)

auf Bestellung 4208 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.77 EUR
10+	0.48 EUR
100+	0.23 EUR
1000+	0.2 EUR
3000+	0.16 EUR
9000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 4

UMD22NFHATR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin UMT T/R

auf Bestellung 23350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

445+	0.34 EUR
488+	0.3 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.22 EUR
2000+	0.2 EUR
3000+	0.13 EUR
12000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 445

UMD22NFHATR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ

Produkt ist nicht verfügbar

UMD22NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7735 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.76 EUR
38+	0.47 EUR
100+	0.3 EUR
500+	0.22 EUR
1000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 24

UMD22NFHATR

auf Bestellung 2170 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

UMD22NHE3-TP

Digital Transistors NPN & PNP 50Vcc -5Vin 30V

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UMD22NHE3-TP

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

UMD22NHE3-TP

Pre-biased TransistorsSOT-363

Produkt ist nicht verfügbar

UMD22NTR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ

Produkt ist nicht verfügbar

UMD22NTR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

UMD22NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6

Produkt ist nicht verfügbar

UMD22NTR

Digital Transistors DUAL DIGITAL SMT PNP/NPN

auf Bestellung 1586 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.62 EUR
10+	0.5 EUR
100+	0.31 EUR
1000+	0.2 EUR
3000+	0.15 EUR
9000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5

UMD22NTR

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD22NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6

Produkt ist nicht verfügbar

UMD25NTR

Description: UMD25N IS A DIGITAL TRANSISTOR C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

UMD25NTR

Digital Transistors UMD25N is a digital transistor contains a DTA123J chip and a DTC123J chip in a UMT package, therefore the mounting cost and area can be cut in half. It is suitable for inverter, interface, driver applications.

auf Bestellung 3270 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.64 EUR
10+	0.46 EUR
100+	0.2 EUR
1000+	0.16 EUR
3000+	0.14 EUR
9000+	0.12 EUR
24000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 5

UMD25NTR

Description: UMD25N IS A DIGITAL TRANSISTOR C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6

auf Bestellung 11840 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.63 EUR
39+	0.45 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.2 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 28

UMD2A

auf Bestellung 57200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD2N

Bipolar Transistors - Pre-Biased

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UMD2N

03/04+ SOT-363

auf Bestellung 3100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD2N-TP

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

UMD2N-TP

Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-363

Produkt ist nicht verfügbar

UMD2N-TP

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R

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UMD2N-TP

Digital Transistors NPN and PNP l Digital Transistors

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UMD2N-TR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R

auf Bestellung 1080 Stücke:

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UMD2N-TR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R

auf Bestellung 3700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1143+	0.13 EUR
1252+	0.12 EUR
1460+	0.096 EUR
2000+	0.087 EUR
3000+	0.079 EUR

Mindestbestellmenge: 1143

UMD2N-TR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R

auf Bestellung 1080 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

UMD2N-TR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R

auf Bestellung 2600 Stücke:

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444+	0.34 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.3 EUR
2500+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 444

UMD2N.TR

auf Bestellung 3000 Stücke:

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UMD2NFHATR

Digital Transistors TRANS DIGITAL NPN+PNP

auf Bestellung 705 Stücke:

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4+	0.77 EUR
10+	0.54 EUR
100+	0.29 EUR
1000+	0.2 EUR
3000+	0.17 EUR
9000+	0.14 EUR
45000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 4

UMD2NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

UMD2NFHATR

Description: ROHM - UMD2NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMD2N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 5229 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

UMD2NFHATR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

UMD2NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

UMD2NFHATR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ

Produkt ist nicht verfügbar

UMD2NFHATR

auf Bestellung 5229 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

UMD2NHE3-TP

Description: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

UMD2NHE3-TP

Description: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

UMD2NHE3-TP

Digital Transistors

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.67 EUR
10+	0.51 EUR
100+	0.32 EUR
1000+	0.17 EUR
3000+	0.15 EUR
9000+	0.13 EUR
24000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 5

UMD2NHE3-TP

Pre-biased Transistors SOT-363

Produkt ist nicht verfügbar

UMD2NHE3-TPQ2

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

UMD2NHE3-TPQ2

Digital Transistors

Produkt ist nicht verfügbar

UMD2NTL

09+

auf Bestellung 27313 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD2NTR

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD2NTR

Description: ROHM - UMD2NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMD2N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

Produkt ist nicht verfügbar

UMD2NTR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

UMD2NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6

auf Bestellung 4228 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.76 EUR
39+	0.46 EUR
100+	0.29 EUR
500+	0.22 EUR
1000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 24

UMD2NTR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ

Produkt ist nicht verfügbar

UMD2NTR

SOT-363

auf Bestellung 2250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD2NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

UMD2NTR

Digital Transistors NPN/PNP 50V 30MA

auf Bestellung 8608 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.75 EUR
10+	0.53 EUR
100+	0.24 EUR
1000+	0.19 EUR
3000+	0.16 EUR
9000+	0.14 EUR
24000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 4

UMD2TL

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD2TR

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD2TR(D2)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD2\D2

SOT-353

auf Bestellung 21100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD3 N TR

SOT26

auf Bestellung 2921 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD3 N TR

SOT363-D3

auf Bestellung 474000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD3 N TR

SOT26/SOT363

auf Bestellung 2540 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD3 N TR SOT363-D3

auf Bestellung 435000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD3 N TR SOT363-D3

auf Bestellung 474000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD3 N TR/D3

SMD

auf Bestellung 86200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD3 NFHATR

SOT26/SOT363

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD3 NFHATR

SOT23

auf Bestellung 2600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD3 NTR

SOT23-6

auf Bestellung 2126 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD3 NTR

auf Bestellung 9200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD3 TR

auf Bestellung 11100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD3(D3)

95 SOT-363

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD3-N-TR

SOT23

auf Bestellung 8880 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD3/D3

00+ SOT-363

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD36B

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD3N

Yangjie Technology

Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

auf Bestellung 300000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.053 EUR
15000+	0.049 EUR
30000+	0.048 EUR
60000+	0.044 EUR
120000+	0.04 EUR
300000+	0.037 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

UMD3N

Yangjie Electronic Technology

auf Bestellung 7100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD3N

UMD3N

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6000+	0.036 EUR

Mindestbestellmenge: 6000

UMD3N

Bipolar Transistors - Pre-Biased

Produkt ist nicht verfügbar

UMD3N

03/04+ SOT363

auf Bestellung 3100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD3N-TP

Digital Transistors NPN and PNP l Digital Transistors

Produkt ist nicht verfügbar

UMD3N-TP

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 50mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

UMD3N-TP

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

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UMD3N-TP

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 50mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

UMD3N-TPQ2

Description: PRE-BIASED TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)

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UMD3N-TPQ2

Digital Transistors

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UMD3N.TR

auf Bestellung 3000 Stücke:

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UMD3NFHA

Bipolar Transistors - Pre-Biased

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UMD3NFHATR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ

Produkt ist nicht verfügbar

UMD3NFHATR

Description: ROHM - UMD3NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN+PNP, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: 0
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 0
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2193 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

UMD3NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN + PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10330 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.76 EUR
33+	0.54 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.24 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 24

UMD3NFHATR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin UMT T/R

auf Bestellung 5700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

572+	0.26 EUR
625+	0.23 EUR
630+	0.22 EUR
1000+	0.19 EUR
2000+	0.17 EUR
3000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 572

UMD3NFHATR

auf Bestellung 2193 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

UMD3NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN + PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.17 EUR
6000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

UMD3NFHATR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

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UMD3NFHATR

Digital Transistors TRANS DIGITAL PNP+NPN

auf Bestellung 34746 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.75 EUR
10+	0.51 EUR
100+	0.24 EUR
1000+	0.19 EUR
3000+	0.15 EUR
9000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 4

UMD3NHE3-TP

Digital Transistors NPN & PNP 50Vcc -10Vin 40V

Produkt ist nicht verfügbar

UMD3NHE3-TP

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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UMD3NTL

97+

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD3NTL

09+

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UMD3NTL/D3

auf Bestellung 2153 Stücke:

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UMD3NTR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R

auf Bestellung 2900 Stücke:

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849+	0.18 EUR
1000+	0.17 EUR
2500+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 849

UMD3NTR

Digital Transistors NPN/PNP 50V 50MA

auf Bestellung 39481 Stücke:

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5+	0.65 EUR
10+	0.47 EUR
100+	0.21 EUR
1000+	0.16 EUR
3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 5

UMD3NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active

auf Bestellung 201539 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.65 EUR
39+	0.46 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 28

UMD3NTR
Produktcode: 110590

Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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UMD3NTR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R

auf Bestellung 1797 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

381+	0.4 EUR
1020+	0.14 EUR
1098+	0.13 EUR
1247+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 381

UMD3NTR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

UMD3NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active

auf Bestellung 195000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.1 EUR
6000+	0.099 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

UMD3NTR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R

auf Bestellung 98 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

UMD3NTR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ

Produkt ist nicht verfügbar

UMD3NTR
Produktcode: 189190

IC > IC andere

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UMD3NTR(D3)

auf Bestellung 2300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD3NTRSOT363

auf Bestellung 435000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD3P

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD3T2R

auf Bestellung 216000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD3Z1TR

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD4

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD4N

auf Bestellung 27 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD4NTR

UMD4NTR Complementary transistors

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UMD4NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6

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UMD4NTR

Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP/NPN

auf Bestellung 6983 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.79 EUR
10+	0.6 EUR
100+	0.34 EUR
500+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 4

UMD4NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6

auf Bestellung 1047 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

31+	0.58 EUR
40+	0.44 EUR
100+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 31

UMD4NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6

auf Bestellung 1047 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.63 EUR
38+	0.47 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.18 EUR
1000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 28

UMD5

SOT-363

auf Bestellung 3600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD5

auf Bestellung 17900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD5N

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD5NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW, 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6

auf Bestellung 3664 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.7 EUR
36+	0.49 EUR
100+	0.25 EUR
500+	0.2 EUR
1000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 25

UMD5NTR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SC88; SOT363
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 47/4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47/10kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 30...68
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape

Produkt ist nicht verfügbar

UMD5NTR

Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP/NPN

auf Bestellung 8523 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.7 EUR
10+	0.53 EUR
100+	0.2 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.1 EUR
9000+	0.092 EUR
24000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 4

UMD5NTR

05+ SOT363

auf Bestellung 2795 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD5NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW, 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6

Produkt ist nicht verfügbar

UMD5NTR

Produkt ist nicht verfügbar

UMD5V-235

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD5V-553

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD5V-563

UMD

SOT-563 08+

auf Bestellung 65000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD5V-705

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD5V-706

UMD

0909+ SC70-6

auf Bestellung 84000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD5V-953

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD6/D6

auf Bestellung 63000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD6B-TR

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD6D-100

auf Bestellung 1991 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD6D-100L

auf Bestellung 2502 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD6JN

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD6N

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD6N-TR

auf Bestellung 1160 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD6NFHA

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

UMD6NFHATN

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

UMD6NFHATR

Bipolar Transistors - BJT PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors). Devices integrating two transistors are available in ultra-compact packages, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high

auf Bestellung 5965 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.77 EUR
10+	0.45 EUR
100+	0.24 EUR
1000+	0.19 EUR
3000+	0.15 EUR
24000+	0.14 EUR
45000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 4

UMD6NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.76 EUR
38+	0.47 EUR
100+	0.3 EUR
500+	0.22 EUR
1000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 24

UMD6NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.17 EUR
6000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

UMD6NTR

auf Bestellung 1945 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

UMD6NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT6

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

26+	0.69 EUR
37+	0.49 EUR
100+	0.25 EUR
500+	0.22 EUR
1000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 26

UMD6NTR

Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN/PNP 50V 100MA

auf Bestellung 2854 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.74 EUR
10+	0.56 EUR
100+	0.35 EUR
500+	0.24 EUR
1000+	0.18 EUR
3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 4

UMD6NTR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SC88; SOT363
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 100...600
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape

Produkt ist nicht verfügbar

UMD6NTR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SC88; SOT363
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 100...600
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape

Produkt ist nicht verfügbar

UMD6NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT6

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3000+	0.15 EUR
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UMD6NTR(D6)

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UMD6TL

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UMD714

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UMD716

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UMD7423

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UMD8D-100L

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UMD8N

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UMD9 N TR

SOT26/SOT363

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UMD9/D9

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UMD9N

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UMD9N-13P

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363

Produkt ist nicht verfügbar

UMD9N-TPQ2

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363

Produkt ist nicht verfügbar

UMD9NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

UMD9NFHATR

Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors). Devices integrating two transistors are available in ultra-compact packages, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuit

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4+	0.86 EUR
10+	0.65 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 4

UMD9NFHATR

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UMD9NFHATR

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UMD9NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5785 Stücke:

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24+	0.76 EUR
33+	0.54 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 24

UMD9NHE3-TP

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

UMD9NTR

UMD9NTR Complementary transistors

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UMD9NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6

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3000+	0.16 EUR
9000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

UMD9NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6

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34+	0.52 EUR
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UMD9NTR