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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
RD3PULSEDescription: PULSE - RD3 - Schublade für 19"-Racks, mit Schloss, 3HE
Außentiefe - imperial: 14.65
Außenbreite - Zoll: 18.98
Außentiefe: 372
Außenhöhe: 130
Zur Verwendung mit: 19"-Rackschränke
Außenbreite: 482
Produktpalette: PULSE 19" Rack Drawers
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3-2650Kinetic TechnologiesDescription: EVB DISPLAYPORT 1.2 TO HDMI 1.4
Packaging: Box
Function: Video Processing
Type: Video
Utilized IC / Part: STDP2650
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: DisplayPort to HDMI
Part Status: Active
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+830.54 EUR
RD3-2650Kinetic TechnologiesVideo IC Development Tools DP1.2 to HDMI1.4 Converter for STDP2650
Produkt ist nicht verfügbar
RD3-2850Kinetic TechnologiesDescription: EVB DISPLAYPORT 1.2 TO HDMI 2.0
Packaging: Box
Function: Video Processing
Type: Video
Utilized IC / Part: MCDP2850
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: DisplayPort to HDMI
Produkt ist nicht verfügbar
RD3-30436-NTSCSTMicroelectronicsRD3-30436-NTSC
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.0NEC
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0B-T1B/JM
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0E--T4
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0E-T1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: DIODE ZENER
Packaging: Bulk
auf Bestellung 103990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8103+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 8103
RD3.0E-T1B1
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0E-T1B2
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0E-T1L1
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0E-T4B1
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0E-T4B2
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0EBEIC SemiconductorZener Diode Single 3V 6% 80Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.0EB1EIC SemiconductorZener Diode Single 3V 4% 80Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.0EB2EIC SemiconductorZener Diode Single 3.1V 3% 80Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.0ESNEC CorporationDescription: DIODE ZENER 3V
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2197+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2197
RD3.0ES-T1-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 378000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2197+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2197
RD3.0ES-T1AB1
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0ES-T1AB2
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0ESABEIC SemiconductorZener Diode Single 3.22V 6% 120Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.0ESAB1EIC SemiconductorZener Diode Single 3.07V 4% 120Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.0ESAB2EIC SemiconductorZener Diode Single 3.22V 3% 120Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.0F-AZNEC CorporationDescription: DIODE ZENER
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.0F/JM(B1)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0FBEIC SemiconductorDiode Zener Single 3.03V 4% 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.0FB1EIC SemiconductorZener Diode Single 2.95V 4% 15Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.0FB2EIC SemiconductorZener Diode Single 3.1V 4% 15Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.0FM
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0FM(D)-T1NECDO214
auf Bestellung 2870 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0FM-TNECSOT-
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0FM-T1
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0FM-T1B
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0L
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0L-T1
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0L-T2NECLL34
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0MNECSOT-23
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0M-T1
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0M-T1-A
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0M-T1B(3V
auf Bestellung 16430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0M-T1B(3V)
auf Bestellung 16430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0M-T1B-ARenesasDescription: RD3.0M-T1B-A - ZENER DIODES 200
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: SC-59
auf Bestellung 185500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2462+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2462
RD3.0M-T1B-A/JMNECSOT23/SOT323
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0M-T1B0
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0M-T2BNECSOT23/SOT323
auf Bestellung 2040 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0M-T2B-A/JMRENESASSOT23/SOT323
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0M-T2B/B1
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0M<1>-T1BNECSOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0MW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0MW-T1B
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0PNECSOT-89
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0P-T1NECSOT89
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0P-T1SOT89-3V-30NEC
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0P-T2NECSOT89
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0P-T2-AZRenesasDescription: RD3.0P - 1W ZENER DIODE
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
475+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 475
RD3.0P3V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0SNEC
auf Bestellung 943 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0S-T1NECSOD123
auf Bestellung 2702 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0S-T1Rochester Electronics, LLCDescription: ZENER DIODE
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD3.0S-T1-ARenesasDescription: RD3.0S-T1-A - ZENER DIODES200 MW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 147000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3557+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3557
RD3.0S-T1-A/JMNECSOD123
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0S-T1-ATRenesasDescription: RD3.0S-T1-AT - ZENER DIODES200 M
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 122583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3557+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3557
RD3.0S-T1/JMNECSOD123
auf Bestellung 2954 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0UHNEC
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0UH-T1
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0UMNEC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0UM-T1NECSOD-523
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0UM-T1-ARenesasDescription: RD3.0UM-T1-A - ZENER DIODES 2PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
RD3.0UM-T2-ANECSOD123
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3F-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1466+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1466
RD3.3FBEIC SemiconductorDiode Zener Single 3.32V 4% 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.3FB1EIC SemiconductorZener Diode Single 3.25V 4% 15Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.3FB2EIC SemiconductorZener Diode Single 3.39V 4% 15Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.3FM-T1
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3L
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3MNEC
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3M-(T1B)NEC04+ SOT23
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3M-T1
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3M-T1BNECSOT23
auf Bestellung 10444 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3M-T1BNECSOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3M-T1BNECSOT23/SOT323
auf Bestellung 6788 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3M-T1B-A
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3M-T1B-ARenesasDescription: RD3.3M - 200MW ZENER DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: SC-59
auf Bestellung 353500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2261+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2261
RD3.3M-T1B3.3V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3M-T2B-A/JMRENESASSOT23/SOT323
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3M/B1/3.3VNEC07+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3MW-T1B/B
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3P
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3P-T1NECSOT-89
auf Bestellung 1824 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3P-T1NEC05+ SOT-89
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3P-T1(3.3)
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3P-T2NECSOT89
auf Bestellung 11442 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3P-T2/3.3VNEC
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3SNEC00+ SOD-323
auf Bestellung 3999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3S-T1NEC03+
auf Bestellung 2418 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3S-T1NEC04+ SOD323
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3S-T1(3.3V)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3S-T1(B)
auf Bestellung 6130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3S-T1(B1)
auf Bestellung 187826 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3S-T1(B2)
auf Bestellung 125891 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3S-T1-A/JMNEC07+PB
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3S-T1-AT/JMRENESASSOD123
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3S-T1B
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3UHNEC
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3UH-T1NEC603
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3UJ(3.3V)
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3UMNEC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3UM-T1NEC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3UM-T1NEC#05+ SOD-523
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3UM-T1NECSOT23
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3UM-T1RENESASSOD-323
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6E
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6E-T1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: DIODE ZENER
Packaging: Bulk
auf Bestellung 297000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8103+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 8103
RD3.6EBEIC SemiconductorZener Diode Single 3.7V 5% 60Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.6EB1EIC SemiconductorZener Diode Single 3.6V 3% 60Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.6EB2EIC SemiconductorZener Diode Single 3.7V 3% 60Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.6ELNECSOT-23 07+
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6ESABEIC SemiconductorZener Diode Single 3.83V 5% 100Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.6ESAB1EIC SemiconductorZener Diode Single 3.68V 3% 100Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.6ESAB2EIC SemiconductorZener Diode Single 3.83V 3% 100Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.6FBEIC SemiconductorDiode Zener Single 3.63V 4% 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.6FB1EIC SemiconductorZener Diode Single 3.56V 4% 15Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.6FB2EIC SemiconductorZener Diode Single 3.71V 3% 15Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.6FM
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6FM-T1
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6FM-T1-A
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6FS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6MNECSOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6M-T1-A
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6M-T1BNECSOT23/SOT323
auf Bestellung 14641 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6M-T1BNECSOT23
auf Bestellung 20600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6M-T1B-A
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6M-T1B-ARenesasDescription: RD3.6M-T1B-A - ZENER DIODES 200
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: SC-59
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2616+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2616
RD3.6M-T1B-A&JMNECSOT23
auf Bestellung 2822 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6M-T1B-A/JMNECSOT23/SOT323
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6M-T1B-ATRenesasDescription: RD3.6M-T1B-AT - ZENER DIODES 200
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: SC-59
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2616+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2616
RD3.6M-T1B/B1
auf Bestellung 2660 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6M-T1B/B2
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6M-T1B3.6VNEC
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6M-TIB
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6M/23-3.6VNEC
auf Bestellung 7400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6P-T1
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6P-T2
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6P-T2/3.6V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6P-TT2/3.6VNEC
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6SNECSOD323
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6S(0)-T1-ATRenesasDescription: RD3.6S(0)-T1-AT - ZENER DIODES20
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2737+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2737
RD3.6S- T1
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6S-T1(B1)
auf Bestellung 6021 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6S-T1(B2)
auf Bestellung 38108 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6S-T1-A
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6S-T1-ARenesasDescription: RD3.6S-T1-A - ZENER DIODES200 MW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 159000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2701+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2701
RD3.6S-T1-A/JMNEC05+PB
auf Bestellung 2873 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6S-T1-ATRenesasDescription: RD3.6S-T1-AT - ZENER DIODES200 M
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2701+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2701
RD3.6S-T1-B1NEC03+
auf Bestellung 1352 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6S-T1B
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6S3.6V
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6UH-T1NEC603
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6UH-T1RenesasZENER DIODES 2PIN ULTRA SUPER MINI MOLD
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.6UMNEC
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6UM-T1NECSOD-423
auf Bestellung 6600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6UM-T1-ARenesasDescription: RD3.6UM-T1-A - ZENER DIODES 2PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2774+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2774
RD3.6UM-T13.6v
auf Bestellung 7634 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.95(0)-T1-ANECSOD123
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9E
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9FM
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9FM-T1
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9FM-T1/1W 3.9VNEC05+ DO-214A
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9FM-T1/1W 3.9VNECDO-214A 05+
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9FM-T1/1W3.9VNEC06+ SOT1812
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9FS-T1NEC
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9M
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9M(3.9V)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9M-T1BNECSOT23/
auf Bestellung 2532 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9M-T1BNECSOT23
auf Bestellung 7537 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9M-T1BNECSOT23/SOT323
auf Bestellung 17999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9M-T1B-ARenesasDescription: RD3.9M-T1B-A - ZENER DIODES 200
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: SC-59
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2225+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2225
RD3.9M-T2B 3.9VNECSOT23
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9M-T2B(3V9)
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9M-T2B3.9V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9MB1-T1BNECSOT23/SOT323
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9MB23.9V
auf Bestellung 1922 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9MW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9MW-T1BNECSOT23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9MW-T2BNECSOT23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9PNEC
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9P-T1NEC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9P-T1-AZ
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9P-T13.9v
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9P-T1B
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9P-T2/89-3.9V/3.9NEC
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9P-TINEC
auf Bestellung 4197 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9P/1W3.9VNEC06+ SOT-89
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9S-T1
auf Bestellung 1362 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9S-T1-A/JMNEC08+PB/09+PB
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9S-T1B
auf Bestellung 88000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9UH
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9UH-T13.9v
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30-3Bussmann / EatonControl Switches 30A 3P 100kA NON-F UL98
Produkt ist nicht verfügbar
RD30-3Eaton BussmannDescription: SWITCH 30A NON-F 3P UL98
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD30-3EatonElectromechanical Switch Non-Fused Disconnect Switch 3P 30A
Produkt ist nicht verfügbar
RD300EXTECHCategory: Meters of Env. Conditions - Others
Description: Meter: leak detectors; Equipment: soft case,leak test bottle
Measuring instrument features: acoustic and optical alarm; low battery indicator
Standard equipment: leak test bottle; soft case
Power supply: battery 6LR61 9V x1
Application: air conditioning; cooling systems
Battery/ rechargeable battery: battery 6LR61 9V x1
Operating temperature: 0...50°C
Storage temperature: -10...60°C
Probe length: 450mm
Detected gas: freo (CFC); HCFC; heptafluoropropane (HFC-227ea); R-22; R-134a; R-404a; R-410a
Body dimensions: 184x70x40mm
Heating up time: 90s
Type of meter: leak detectors
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD300Teledyne FLIRRefrigerant Leakage Detector
Produkt ist nicht verfügbar
RD300EXTECHCategory: Meters of Env. Conditions - Others
Description: Meter: leak detectors; Equipment: soft case,leak test bottle
Measuring instrument features: acoustic and optical alarm; low battery indicator
Standard equipment: leak test bottle; soft case
Power supply: battery 6LR61 9V x1
Application: air conditioning; cooling systems
Battery/ rechargeable battery: battery 6LR61 9V x1
Operating temperature: 0...50°C
Storage temperature: -10...60°C
Probe length: 450mm
Detected gas: freo (CFC); HCFC; heptafluoropropane (HFC-227ea); R-22; R-134a; R-404a; R-410a
Body dimensions: 184x70x40mm
Heating up time: 90s
Type of meter: leak detectors
Produkt ist nicht verfügbar
RD300ExtechEnvironmental Test Equipment Refrigerant Leak Detector
Produkt ist nicht verfügbar
RD300FLIR ExtechDescription: REFRIGERANT LEAK DETECTOR
Produkt ist nicht verfügbar
RD300-LTeledyne FLIRLED Light Tip for Refrigerant Leakage Detector
Produkt ist nicht verfügbar
RD300-LExtechEnvironmental Test Equipment Replacement Led Tip For RD300 (Please Confirm Availability)
Produkt ist nicht verfügbar
RD300-LFLIR ExtechDescription: REPLACEMENT LED TIP FOR RD300
Packaging: Box
For Use With/Related Products: RD300
Type: Leak Detector
Accessory Type: LED Tip
Produkt ist nicht verfügbar
RD300-STeledyne FLIRHeated Diode Sensor Tip for Refrigerant Leakage Detector
Produkt ist nicht verfügbar
RD300-SExtechEnvironmental Test Equipment Heated Diode Replacement Tip For RD300
Produkt ist nicht verfügbar
RD300-SFLIR ExtechDescription: HEATED DIODE REPLACEMENT TIP FOR
Produkt ist nicht verfügbar
RD303M,
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD303S-T1
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3053PAPANASONIC02+
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30B104M201B6H07BWalsinMultilayer Ceramic Capacitors MLCC - Leaded CAP X7R .1 uF 20 % 200V 5LL 7.5LS BULK
Produkt ist nicht verfügbar
RD30E
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30ERenesas Electronics CorporationDescription: DIODE ZENER
Packaging: Bulk
auf Bestellung 144896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8103+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 8103
RD30E-T1-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 13838000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD30E-T2-AZRenesas Electronics CorporationDescription: DIODE ZENER
Packaging: Bulk
auf Bestellung 510000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8103+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 8103
RD30E-T4Renesas Electronics CorporationDescription: DIODE ZENER
Packaging: Bulk
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8103+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 8103
RD30E-T4-AZRenesas Electronics CorporationDescription: DIODE ZENER
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1170000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8103+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 8103
RD30E-T4B4
auf Bestellung 4300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30EBEIC SemiconductorZener Diode Single 28.8V 6% 55Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD30EB1EIC SemiconductorZener Diode Single 27.7V 3% 55Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD30EB2EIC SemiconductorZener Diode Single 28.4V 3% 55Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD30EB3EIC SemiconductorZener Diode Single 29.1V 3% 55Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD30EB4EIC SemiconductorZener Diode Single 29.8V 3% 55Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD30ES-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 71340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD30ES-T1
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30ES-T1-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 342000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD30ESABEIC SemiconductorZener Diode Single 28.8V 6% 55Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD30ESAB1EIC SemiconductorZener Diode Single 27.7V 3% 55Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD30ESAB2EIC SemiconductorZener Diode Single 28.4V 3% 55Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD30ESAB3EIC SemiconductorZener Diode Single 29.1V 3% 55Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD30ESAB4EIC SemiconductorZener Diode Single 29.8V 3% 55Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD30FRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 23822 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD30F(10)-T6-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD30F-T7Renesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD30F-T7-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 803884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD30F-T8-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD30FBEIC SemiconductorDiode Zener Single 29.35V 3% 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD30FB1EIC SemiconductorZener Diode Single 28.26V 3% 18Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD30FB2EIC SemiconductorZener Diode Single 29.37V 3% 18Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD30FB3EIC SemiconductorZener Diode Single 30.42V 2% 18Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD30FB3
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30FM
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30FM-T1NECDO-214
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30FM-T1NECDO214
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30FM-T1-AZRenesasDescription: RD30FM - 1W ZENER DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Power Mini Mold
auf Bestellung 4903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1475+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1475
RD30FM-T1/JM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30FM-T1B
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30HUF1
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30HVF1
Produktcode: 40856
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
RD30HVF1-101
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30JS-T1-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 628750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5864+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 5864
RD30JSABEIC SemiconductorZener Diode Single 30V 6% 200Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD30JSAB1EIC SemiconductorZener Diode Single 28.9V 2% 200Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD30JSAB2EIC SemiconductorZener Diode Single 29.9V 3% 200Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD30JSAB3EIC SemiconductorZener Diode Single 31V 2% 200Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD30M-DNEC
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30M-T1B 30VNECSOT23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30M-T1B/JMNECSOT23/SOT323
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30M-T1B30V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30M-T2BNECSOT23/SOT323
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30M-T2BNECSOT343
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30P
auf Bestellung 1658 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30P(2)-T1NECSOT89
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30P-T1NEC01+ SOT-89
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30P-T1/30
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30P-T130V
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30P-T2NECSOT223
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30PC27-T1
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30SNECSOD323
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30SNEC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30S 30VNECSOD323
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30S(0)-T1-ATRenesasDescription: RD30S(0)-T1-AT - ZENER DIODES200
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3652+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3652
RD30S-T1 0805-30V-301NEC
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30S-T1-A
auf Bestellung 21886 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30S-T1-A/JMNECSOD123
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30S-T10805-30
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30S-T10805-30V-301NEC
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30S-T130V
auf Bestellung 51650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30S-T1B
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30S-T2-ARenesasDescription: RD30S-T2-A - ZENER DIODES200 MW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3713+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3713
RD30S30V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30UJ-T1
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30UJ-T1-ARenesasDescription: RD30UJ-T1-A - LOW NOISE SHARP BR
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD30UM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30UM-T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30UM-T1-ATRenesasDescription: RD30UM-T1-AT - ZENER DIODES 2PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2929+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2929
RD30UM-T1-AT/JMNECSOD123
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30V
auf Bestellung 6900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3112MMA7260Q
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3112MMA7260QNXP USA Inc.Description: BOARD DEMO STAR FOR MMA7260Q
Packaging: Bulk
Sensitivity: 800, 600, 300 or 200mV/g
Interface: Analog
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Sensor Type: Accelerometer, 3 Axis
Utilized IC / Part: MMA7260, MC68HC908KX8
Supplied Contents: Board(s), Cable(s)
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Sensing Range: ±1.5g, 2g, 4g, 6g
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
RD3112MMA7260QE
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3112MMA7260QENXP USA Inc.Description: BOARD DEMO STAR FOR MMA7260QT
Packaging: Bulk
Sensitivity: 800, 600, 300 or 200mV/g
Interface: Analog
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Sensor Type: Accelerometer, 3 Axis
Utilized IC / Part: MMA7260, MC68HC908KX8
Supplied Contents: Board(s), Cable(s)
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Sensing Range: ±1.5g, 2g, 4g, 6g
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
RD3123PA
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3123RA
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3123S
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3123V04+
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3152MMA7260QNXP SemiconductorsMMA7260QT Accelerometer Sensor Development Tool
Produkt ist nicht verfügbar
RD3152MMA7260QNXP USA Inc.Description: BOARD REF 3-AXIS ACCELEROMETER
Packaging: Box
Sensitivity: 800, 600, 300 or 200mV/g
Interface: Analog
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Sensor Type: Accelerometer, 3 Axis
Utilized IC / Part: MMA7260, MC68HC908JW32
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Sensing Range: ±1.5g, 2g, 4g, 6g
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
RD3153NA
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3153RA
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3172MMA7455LNXP SemiconductorsAcceleration Sensor Development Tools EVAL BD FOR MMA7455L
Produkt ist nicht verfügbar
RD3172MMA7455L
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3172MMA7455LNXP USA Inc.Description: EVAL BOARD FOR MMA7455L
Produkt ist nicht verfügbar
RD3172MMA7456L
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3172MMA7456LFreescale Semiconductor - NXPDescription: KIT MMA7456 BOARD/MC13213 BOARD
Produkt ist nicht verfügbar
RD31P-4/111479ebm-papst Inc.Description: FAN BLWR 516X405MM 277/440VAC
Produkt ist nicht verfügbar
RD3243RA
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3304
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3326
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD332M50R. G. Allen Co.Конденсатор електролітичний радіальний; С, мкФ = 3 300; Uном, В = 50; Габ. розм, мм = 18 x 36; Тексп, °С = -40...+85; 18x36mm
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100
RD335M400HFCBAAillenDescription: CAP ALUM 3.3UF 20% 400V RAD TH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.315" Dia (8.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.138" (3.50mm)
Lifetime @ Temp.: 8000 Hrs @ 85°C
Height - Seated (Max): 0.472" (12.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 3.3 µF
Voltage - Rated: 400 V
Ripple Current @ High Frequency: 110 mA @ 100 kHz
auf Bestellung 600000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
RD33771-48VEVMNXP USA Inc.Description: RD33771-48VEVM
Packaging: Box
Function: CANbus
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
RD33771-48VEVMNXP SemiconductorsPower Management IC Development Tools RD33771-48VEVM
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1849.94 EUR
RD33771-48VEVMNXP SemiconductorsMC33771B Motion Motor Control Evaluation Board
Produkt ist nicht verfügbar
RD33771CDSTEVBNXP SemiconductorsPower Management IC Development Tools RDMC33771CEPEVB
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+698.88 EUR
RD33771CDSTEVBNXP SemiconductorsMC33771C Battery Management Evaluation Board
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RD33771CDSTEVBNXP USA Inc.Description: RDMC33771CEPEVB
Packaging: Bulk
Function: Battery Cell Controller
Type: Power Management
Utilized IC / Part: MC33771C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU
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RD33771CNTREVMNXP SemiconductorsMC33771C Battery Management Reference Design Board
Produkt ist nicht verfügbar
RD33771CNTREVMNXP SemiconductorsPower Management IC Development Tools RD33771CNTREVM
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2122.58 EUR
RD33772BJBEVMNXP SemiconductorsPower Management IC Development Tools RD33772BJBEVM
Produkt ist nicht verfügbar
RD33772BJBEVMNXP SemiconductorsMC33772 Battery Management Reference Design Board
Produkt ist nicht verfügbar
RD33774CNC3EVBNXP USA Inc.Description: EVALUATION BOARD
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
RD33774CNT2EVBNXP USA Inc.Description: RD33774CNT2EVB
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
RD33774CNT3EVBNXP SemiconductorsNXP Semiconductors RD33774CNT3EVB
Produkt ist nicht verfügbar
RD33774PC3EVBNXP SemiconductorsPower Management IC Development Tools RD33774PC3EVB
Produkt ist nicht verfügbar
RD33774PC3EVBNXP USA Inc.Description: IC
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
RD33775ACNCEVBNXP SemiconductorsPower Management IC Development Tools RD33775ACNCEVB
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+813.91 EUR
RD33775ACNCEVBNXP SemiconductorsMC33665A, MC33775A Reference Design Board
Produkt ist nicht verfügbar
RD33775ACNCEVBNXP USA Inc.Description: CAN FD CENTRALIZED EVB
Packaging: Box
Function: CANbus
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+753.32 EUR
RD33775ACNCEVBNXPDescription: NXP - RD33775ACNCEVB - Evaluationsboard, MC33665A, MC33775A, Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard MC33665A, MC33775A, TPL-Daisy-Chain/Stromversorgungs- & CAN/Zellen-Schnittstellenkabel, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: NXP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: CAN-FD-Transceiver
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: MC33665A, MC33775A
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD33775ACNTEVBNXP SemiconductorsRD33775ACNTEVB
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RD33775ACNTEVBNXP SemiconductorsPower Management IC Development Tools RD33775ACNTEVB
Produkt ist nicht verfügbar
RD33775ACNTEVBNXP SemiconductorsRD33775ACNTEVB
Produkt ist nicht verfügbar
RD33775ACNTEVBNXP USA Inc.Description: RD33775ACNTEVB
Packaging: Bulk
Function: Battery Cell Controller
Type: Power Management
Utilized IC / Part: MC33775A
Supplied Contents: Board(s), Cable(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
RD33775ADSTEVBNXP SemiconductorsPower Management IC Development Tools RD33775ADSTEVB
Produkt ist nicht verfügbar
RD33ESAB2
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33F-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 7676 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1758+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1758
RD33F-B2
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33F-T6Renesas Electronics America IncDescription: RD33F - ZENER DIODE
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1353+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1353
RD33F-T6-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1466+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1466
RD33F-T7Renesas Electronics America IncDescription: RD33F - ZENER DIODE
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1353+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1353
RD33F-T7-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 709505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1466+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1466
RD33F-T8-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1466+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1466
RD33FBEIC SemiconductorDiode Zener Single 32.25V 3% 1000mW 2-Pin DO-41
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RD33FB1EIC SemiconductorZener Diode Single 31.16V 3% 18Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD33FB2
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33FB2EIC SemiconductorZener Diode Single 32.28V 3% 18Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD33FB3EIC SemiconductorZener Diode Single 33.27V 2% 18Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD33FMNECDO-214
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33FMNEC09+
auf Bestellung 36018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33FM(0)-T1-AYRenesasDescription: RD33FM(0)-T1-AY - ZENER DIODES1
Produkt ist nicht verfügbar
RD33FM(D)-T1NEC
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33FM(D)-T1(33V)
auf Bestellung 1113 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33FM(D)-T1TE25-33VNEC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33FM(D1)-T1NEC33V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33FM(D1)-T1-AZRenesasDescription: RD33FM - 1W ZENER DIODE
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1209+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1209
RD33FM-T1
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33FM-T1-AYRenesasDescription: RD33FM-T1-AY - ZENER DIODES1 W P
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RD33FM-T1-AZnec
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33FM-T1-AZRenesasDescription: RD33FM-T1-AZ - ZENER DIODES1 W P
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RD33FS-T1-AYRenesasDescription: RD33FS-T1-AY - ZENER DIODES1.0 W
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
732+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 732
RD33MNEC
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33M-T1BNECSOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33M-T1B(33V)
auf Bestellung 8993 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33M-T2B(33V)
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33PNEC00+ SOT-89
auf Bestellung 2010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33P-T1NEC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33P-T1(33)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33P-T1(33V)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33P-T2NECSOT89
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33SNEC
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33S(0)-T1-ARenesasDescription: RD33S(0)-T1-A - ZENER DIODES200
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3747+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3747
RD33S-T1
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33S-T1(33V)
auf Bestellung 3445 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33S-T1(B1)
auf Bestellung 153652 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33S-T1-A/JMNECSOD123
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33S-T1-ATRenesasDescription: RD33S-T1-AT - ZENER DIODES200 MW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 59255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3747+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3747
RD33S-T133V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33S-T1B
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33UJ-T1
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33UJ-T1-ATRenesasDescription: RD33UJ-T1-AT - LOW NOISE SHARP B
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD33UM\33VNEC
auf Bestellung 51100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33U\33VNEC
auf Bestellung 42100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3470
auf Bestellung 9262 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3472
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3473A
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3473MMA7360L
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3473MMA7360LNXP USA Inc.Description: BOARD ZSTAR2 XYZ-AXIS ACCEL
Produkt ist nicht verfügbar
RD35Banner EngineeringBanner Engineering
Produkt ist nicht verfügbar
RD35-BAstrodyneRD35-B
Produkt ist nicht verfügbar
RD3501-DCarlo GavazziSolid State Relays - Industrial Mount SSR DC SWITCHING 350V 1A
Produkt ist nicht verfügbar
RD3501-DCarlo Gavazzi Computing SolutionsRD3501-D
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+155.3 EUR
4+ 146.96 EUR
RD35AM(D)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD35HUF2
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD367ABB - THOMAS & BETTSDescription: ABB - THOMAS & BETTS - RD367 - TERMINAL, RING TONGUE, #10, CRIMP, RED
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
Leiterquerschnitt CSA: -
rohsCompliant: YES
Isoliermaterial: Nylon (Polyamide)
Bolzengröße - metrisch: M5
euEccn: NLR
Leiterstärke (AWG), max.: 8AWG
Bolzengröße - imperial: #10
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Isolatorfarbe: Red
usEccn: EAR99
Produktpalette: Sta-Kon RD Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD36EBEIC SemiconductorZener Diode Single 34V 5% 75Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD36EB1EIC SemiconductorZener Diode Single 33V 3% 75Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD36EB2EIC SemiconductorZener Diode Single 33.6V 3% 75Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD36EB3EIC SemiconductorZener Diode Single 34.3V 3% 75Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD36EB4EIC SemiconductorZener Diode Single 34.9V 3% 75Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD36ES-T1
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36ESABEIC SemiconductorZener Diode Single 34V 5% 85Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD36ESAB1EIC SemiconductorZener Diode Single 33V 3% 85Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD36ESAB2EIC SemiconductorZener Diode Single 33.6V 3% 85Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD36ESAB3EIC SemiconductorZener Diode Single 34.3V 3% 85Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD36ESAB4EIC SemiconductorZener Diode Single 34.9V 3% 85Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD36F-T7
auf Bestellung 5458 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36F-T7(B2)
auf Bestellung 5458 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36FBEIC SemiconductorDiode Zener Single 35.13V 3% 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD36FB1EIC SemiconductorZener Diode Single 34.09V 3% 20Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD36FB2EIC SemiconductorZener Diode Single 35.14V 2% 20Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD36FB3EIC SemiconductorZener Diode Single 36.1V 2% 20Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD36FM
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36FM(D)-T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36FM-T1NEC09+
auf Bestellung 9018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36FM-T1NEC
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36JSAB3EIC SemiconductorZener Diode Single 37V 2% 300Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD36MNECSOT23
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36MNEC
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36M-T1B-ARenesasDescription: RD36M - 200MW ZENER DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: SC-59
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2029+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2029
RD36M-T1B/JMNECSOT23/SOT323
auf Bestellung 1810 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36M-T2BNECSOT23
auf Bestellung 11898 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36M-T2B-A
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36MW-T1B36V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36P-T1NECSOT-89
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36P-T1NEC
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36P-T1NECSOT89
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36P-T136V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36P-T2NECSOT89
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36P-T2NEC
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36S
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36S(0)-T1-ARenesasDescription: RD36S(0)-T1-A - ZENER DIODES200
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3468+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3468
RD36S(0)-T1-ATRenesasDescription: RD36S(0)-T1-AT - ZENER DIODES200
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3468+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3468
RD36S-T1NEC09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36S-T1NECSMD0805
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36S-T1NECSOD323
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36S-T1-ATRenesasDescription: RD36S-T1-AT - ZENER DIODES200 MW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3468+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3468
RD36S-T136V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36S-T1B
auf Bestellung 68000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36S-T2-ARenesasDescription: RD36S-T2-A - ZENER DIODES200 MW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3468+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3468
RD36SL-T1
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36U
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36UJ-T1
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36UJ-T1-ARenesasDescription: RD36UJ-T1-A - LOW NOISE SHARP BR
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD36UJ-T1/N3
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36UMNECSOD523
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36UM-T1NEC
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36UM-T1-ARenesasDescription: RD36UM-T1-A - ZENER DIODES 2PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3106+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3106
RD36UM-T1-ATRenesasDescription: RD36UM-T1-AT - ZENER DIODES 2PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3106+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3106
RD36UM\36VNEC
auf Bestellung 129100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36U\36VNEC
auf Bestellung 129100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M00000Positronic Industries37 Pin, Male D-Subminiature Connector
Produkt ist nicht verfügbar
RD37M00000PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M00000/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M0000XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M0000X/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M0000ZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M0000Z/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M000E0PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M000E0/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M000E20PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M000E20/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M000E2XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M000E2X/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M000E2ZPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M000E2Z/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M000EXPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M000EZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M000T0PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M000T20PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
auf Bestellung 109 Stücke:
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RD37M000T20/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M000T2XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
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RD37M000T2ZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M000TXPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
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RD37M000TZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M000V30/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M000V50PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
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RD37M000V5XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
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RD37M00G00Positronic IndustriesRD37M00G00
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RD37M00GVL0/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
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RD37M0F000PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0F000/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0F00XPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0F00X/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0F00ZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S5000PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S5000/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S500XPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S500ZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S50T0Positronic IndustriesStandard Density D-SubminiatureConnector
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RD37M0S50T0/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
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RD37M0S50T20PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S50T2XPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S50T2X/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S50T2ZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S50T2Z/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S50TXPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S50TX/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S50TZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S50TZ/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S50V30/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S50V3SPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Plug for Male Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Board Side (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
RD37M0S50V3S/AAPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Plug for Male Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Board Side (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
RD37M0S50V3X/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S50V3Z/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S50V5SPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Plug for Male Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Board Side (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
RD37M0S50V5S/AAPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Plug for Male Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Board Side (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
RD37M10000-50Positronic IndustriesRD37M10000-50
Produkt ist nicht verfügbar
RD37M1000S/AAPOSITRONICDescription: POSITRONIC - RD37M1000S/AA - D-Sub-Steckverbinder, Standard, Stecker, Produktreihe RD, 37 Kontakt(e), DC, Crimpanschluss
tariffCode: 85366930
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Kontakte: 37Contacts
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: Produktreihe RD
auf Bestellung 10 Stücke:
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RD37M1000X/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
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RD37M100E20PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
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RD37M100E2S/AA-15Positronic IndustriesRD37M100E2S/AA-15
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RD37M100E2Z/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M100TXPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M100TZPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M10ACES/AAAmphenol PositronicD-Sub Standard Connectors
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RD37M10ANVL0/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 6 Stücke:
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RD37M10GE0PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M10GE0/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 56 Stücke:
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RD37M10GEXPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M10GEX/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 71 Stücke:
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RD37M10GEZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB PLUG 37POS CRIMP
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M10GEZ-50-1023.5Amphenol PositronicD-Sub Standard Connectors D-Sub Male Connector 37P Crimp Tin Shell Backshell Assembly Jackscrews
Produkt ist nicht verfügbar
RD37M10GEZ/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M10GVL0PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M10GVLXPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB PLUG 37POS CRIMP
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M10GVLX/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M10GVLZ/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M10HV50/AAPositronicDescription: CONN D-SUB PLUG 37POS CRIMP
Packaging: Box
Features: Backshell, Cable Clamp, Mounting Hardware
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 7.5A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Termination: Crimp
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Contact Finish Thickness: FLASH
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Shell Material, Finish: Steel, Clear Chromate Plated Zinc
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+150.32 EUR
RD37M10JV30Amphenol PositronicD-Sub MIL Spec Connectors D-Sub Male Connector 37P Crimp Zinc Shell Backshell Assembly Lock Lever
Produkt ist nicht verfügbar
RD37M1F00Z/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M1S500XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M1S500X/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M1S500ZPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M1S500Z/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M1S50T0Positronic IndustriesStandard Density D-SubminiatureConnector
Produkt ist nicht verfügbar
RD37M1S50T20Positronic IndustriesConn D-Sub M 37 POS 1.38mmCrimp STCable Mount 37 Terminal 1 Port
Produkt ist nicht verfügbar
RD37M1S50T2XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M1S50V5XPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB PLUG 37POS CRIMP
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37M1S50V5ZPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37P/37.14/89-37VNEC
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37P1000SAmphenol PositronicD-Sub Standard Connectors D-Sub Male Connector 37P Crimp Stainless Steel, Passivated Shell
Produkt ist nicht verfügbar
RD37P1000SPositronic IndustriesRD37P1000S
Produkt ist nicht verfügbar
RD37P1000S/AAPositronic IndustriesRD37P1000S/AA
Produkt ist nicht verfügbar
RD37P1000S/AAAmphenol PositronicD-Sub Standard Connectors
Produkt ist nicht verfügbar
RD37S00000PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S00000/AAPOSITRONICDescription: POSITRONIC - RD37S00000/AA - D-Sub-Steckverbindergehäuse, 37 -polig, D-Sub, DC, Produktreihe RD, Buchse, Gehäuse aus Zink
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 37-polig
productTraceability: No
Steckverbindertyp: D-Sub
rohsCompliant: YES
Ausführung: Buchse
Steckverbindergehäusegröße: DC
euEccn: NLR
Steckverbindermaterial: Gehäuse aus Zink
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Positronic RD Series Female Contacts
usEccn: EAR99
Produktpalette: Produktreihe RD
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD37S00000/AAPEI-GenesisDescription: D-SUB 37 SKT
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S0000SPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Receptacle for Female Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Number of Rows: 2
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S0000XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S0000X/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S000E20PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S000E20/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S000E2S/AAPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Receptacle for Female Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Cable Side, Male Jackscrew (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Number of Rows: 2
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S000E2XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S000E2X/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S000T0PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S000T0/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S000T20PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S000T20/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S000T2XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S000TXPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S00HT2CPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S00LT2SPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S0S5000PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S0S5000/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S0S500XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S0S500X/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S0S50T2XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S0S50V3SPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Receptacle for Female Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Board Side (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
RD37S0S50V3S/AAPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Receptacle for Female Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Board Side (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
RD37S0S50V5SPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Receptacle for Female Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Board Side (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
RD37S0S50V5S/AAPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Receptacle for Female Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Board Side (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
RD37S10000-50Positronic IndustriesRD37S10000-50
Produkt ist nicht verfügbar
RD37S10000-919.2Positronic IndustriesRD37S10000-919.2
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+178.87 EUR
RD37S10000/AAAmphenol PositronicD-Sub Standard Connectors D-Sub Female Connector 37P Crimp Zinc Shell RoHS
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+95.52 EUR
100+ 90.6 EUR
250+ 87.96 EUR
500+ 85.96 EUR
1000+ 85.13 EUR
Mindestbestellmenge: 25
RD37S100E20/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S100E2S/AA-15Positronic IndustriesRD37S100E2S/AA-15
Produkt ist nicht verfügbar
RD37S100E2X/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S100E60Amphenol PositronicD-Sub Mil Spec Connectors D-Sub Female Connector 37P Crimp Zinc Shell Jackscrews
Produkt ist nicht verfügbar
RD37S100T20/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S100TCPositronicDescription: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S100V50PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S10ACES/AAAmphenol PositronicD-Sub Standard Connectors
Produkt ist nicht verfügbar
RD37S10GE0/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S10GEXPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S10GEX-50-1023.5Amphenol PositronicD-Sub Standard Connectors D-Sub Female Connector 37P Crimp Tin Shell Backshell Assembly Jackscrews
Produkt ist nicht verfügbar
RD37S10GEX/AAPositronicDescription: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S10GVL0/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD37S10HECPositronicDescription: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP
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RD37S10HT2CPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP
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RD37S10JV30Amphenol PositronicD-Sub MIL Spec Connectors D-Sub Female Connector 37P Crimp Zinc Shell Backshell Assembly Lock Lever
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RD37S1S500SPositronicDescription: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP
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RD37S1S50T20PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
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RD37S1S50T20/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
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RD37S1S50T2X/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP
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RD37S1S50TCPositronicDescription: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP
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RD37S1S50TX/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
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RD3803MMA7660FCNXP USA Inc.Description: KIT EVAL BOARD MMA7660FC
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RD3803MMA7660FC
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RD3803MMA7660FCNXP SemiconductorsMMA7660FC Accelerometer Sensor Evaluation Kit
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RD38F1010C0ZTL
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RD38F1010C0ZTL0
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RD38F1010C0ZTL0ES
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RD38F1010COZBL0
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RD38F1010COZBLO
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RD38F1010COZTLO
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RD38F1010W0YTL0
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RD38F1010WOYTLO
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RD38F1020C0ZBL0INTEL05+
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RD38F1020C0ZBL0SB93
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RD38F1020C0ZBL0SB93IntelDescription: IC FLASH RAM 32MBIT PAR 66SCSP
Packaging: Tray
Package / Case: 66-LFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit (FLASH), 8Mbit (RAM)
Memory Type: Non-Volatile, Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.3V
Technology: FLASH, SRAM
Memory Format: FLASH, RAM
Supplier Device Package: 66-SCSP (8x14)
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 20 Stücke:
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3+8.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3
RD38F1020C0ZBLQ
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RD38F1020C0ZTL0INTEL05+
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RD38F1020C0ZTL0INTEL05+
auf Bestellung 236 Stücke:
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RD38F1020C0ZTL0SB93IntelDescription: IC FLASH RAM 32MBIT PAR 66SCSP
Packaging: Tray
Package / Case: 66-LFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit (FLASH), 8Mbit (RAM)
Memory Type: Non-Volatile, Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.3V
Technology: FLASH, SRAM
Memory Format: FLASH, RAM
Supplier Device Package: 66-SCSP (8x14)
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 12 Stücke:
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2+9.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD38F1020COIBL0
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RD38F1020COZBL0INTELBGA??
auf Bestellung 230 Stücke:
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RD38F1020COZBLO
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RD38F1020COZTLO
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RD38F1020W0YBQ0SB93IntelDescription: IC FLASH 32MBIT 65NS 66SCSP
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RD38F1020W0YTQ0SB93IntelDescription: IC FLASH RAM 32MBIT PAR 66SCSP
Packaging: Tray
Package / Case: 66-LFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit (FLASH), 8Mbit (RAM)
Memory Type: Non-Volatile, Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH, SRAM
Memory Format: FLASH, RAM
Supplier Device Package: 66-SCSP (8x14)
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 65ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 65 ns
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 12 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3
RD38F1020WOYTQ0INTELBGA??
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RD38F1030WOYBQ2INTELBGA?
auf Bestellung 62 Stücke:
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RD38F1030WOZTQ0INTELBGA??
auf Bestellung 650 Stücke:
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RD38F2020W0YBQ0SB93IntelDescription: IC FLASH 64MBIT 70NS 88SCSP
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RD38F2020W0YTQ0INTELBGA
auf Bestellung 796 Stücke:
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RD38F2020W0YTQ0SB93IntelDescription: IC FLASH 64MBIT 70NS 88SCSP
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RD38F2020W0YTS0
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RD38F2020W0ZBQ0
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RD38F2030W0ZTQ0
auf Bestellung 80 Stücke:
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RD38F2030W0ZTQ1
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auf Bestellung 210 Stücke:
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RD38F2030WOZBQ1INTELBGA??
auf Bestellung 195 Stücke:
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RD38F2030WOZTQ2
auf Bestellung 100 Stücke:
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RD38F2040
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auf Bestellung 500 Stücke:
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RD38F2040WOYBQO
auf Bestellung 37 Stücke:
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RD38F2040WOZBQ0INTELBGA??
auf Bestellung 190 Stücke:
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RD38F2040WOZBQ1INTELBGA??
auf Bestellung 2022 Stücke:
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RD38F2040WOZBQO
auf Bestellung 16 Stücke:
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RD38F2040WOZTQO
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RD38F2240WWYDQ0INTELBGA??
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auf Bestellung 120 Stücke:
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RD38F2240WWYDQOINTEL04+
auf Bestellung 100 Stücke:
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RD38F2240WWYTQ0IntelDescription: WIRELESS FLASH MEMORY
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2000 Stücke:
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28+17.55 EUR
Mindestbestellmenge: 28
RD38F2240WWYTQ0INTELBGA??
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RD38F2240WWZD
auf Bestellung 1000 Stücke:
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RD38F2240WWZDQ0INTELBGA??
auf Bestellung 100 Stücke:
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RD38F2240WWZDQ0IntelDescription: IC FLASH RAM 64MBIT CFI 88SCSP
Packaging: Bulk
Package / Case: 88-LFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit (FLASH), 32Mbit (RAM)
Memory Type: Non-Volatile, Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH, PSRAM
Memory Format: FLASH, RAM
Supplier Device Package: 88-SCSP (8x10)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: CFI
Access Time: 85 ns
Memory Organization: 8M x 8 (FLASH), 4M x 8 (RAM)
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2400 Stücke:
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28+17.55 EUR
Mindestbestellmenge: 28
RD38F2240WWZDQ1
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RD38F2240WWZDQO
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RD38F3000LOYBQO
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RD38F3040L0YBQ0INTELBGA
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RD38F3040L0ZBQ0INTEL
auf Bestellung 20 Stücke:
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RD38F3040L0ZBQ0(TSTDTS)
auf Bestellung 118 Stücke:
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RD38F3040L0ZBQ0S B93INTEL06+;
auf Bestellung 1150 Stücke:
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RD38F3040L0ZTQ0
auf Bestellung 3100 Stücke:
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RD38F3040L0ZTQ0856811INTEL06+;
auf Bestellung 5100 Stücke:
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RD38F3040LOYTQO
auf Bestellung 250 Stücke:
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RD38F3040LOZBQ0INTEL420
auf Bestellung 1538 Stücke:
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auf Bestellung 52 Stücke:
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RD38F3040LOZBQO
auf Bestellung 73 Stücke:
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RD38F3040LOZTQ0INTELBGA??
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RD38F3040LOZTQOINTELBGA
auf Bestellung 79 Stücke:
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RD38F3050LOYTQ1
auf Bestellung 1320 Stücke:
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RD38F3050LOZBQOINTELBGA
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RD38F3350LL
auf Bestellung 3100 Stücke:
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RD38F3350LLZDQ0INTELBGA 08+
auf Bestellung 3591 Stücke:
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RD38F3350WWZDQ1SB93IntelDescription: IC FLASH 128MBIT 65NS 88SCSP
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RD38F3352LLZDQ0
auf Bestellung 5800 Stücke:
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RD38F4000LOYBQ0INTELBGA??
auf Bestellung 158 Stücke:
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RD38F4000LOYBQO
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RD38F4000LOYTQO
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RD38F4000LOZBQOINTELBGA?
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RD38F4050L0YBQ1
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F4050L0ZTQ0ITL07+;
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F4050LOZBQO
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F4050LOZTQO
auf Bestellung 50 Stücke:
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RD38F4400LOYBP0INTELBGA??
auf Bestellung 146 Stücke:
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RD38F4400LOYDQO
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F4400LOZDQ0INTELBGA??
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F4400LOZDQO
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F4455LLYBQ2INTELBGA?
auf Bestellung 332 Stücke:
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RD38F4455LLZBQ0INTELBGA??
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F4466LLYBQ864891INTEL
auf Bestellung 3348 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F4470LLYFH0INTELBGA??
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F5070MOY0B0INTELBGA??
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F5070MOYOBOES
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3924MMA8450QNXP USA Inc.Description: BOARD DEV ACCELEROMETER MMA8450
Produkt ist nicht verfügbar
RD3924MMA8450Q
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3965MMA7660FC
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3965MMA7660FCNXP USA Inc.Description: ZSTAR3 ZIGBEE W/MMA7660FC
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RD39ENEC CorporationDescription: RD39 - 500MW ZENER DIODE, DO-35
Packaging: Bulk
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2029+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2029
RD39E-TB
auf Bestellung 2494 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39EB3
auf Bestellung 4960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39ES-T1-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 2252000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2197+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2197
RD39F2030W0ZBQ1
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39FB3
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39FM
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39FM-T1NEC1808
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39FM-T1B(39V)
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39FS?0?-TI-AYRENESASSOD-123
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39JS/JM
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39L-T1NEC
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39MNEC
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39M-T1
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39M-T1B-ARenesasDescription: RD39M - 200MW ZENER DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: SC-59
auf Bestellung 435000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4058+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4058
RD39M-T1B-ATRenesasDescription: RD39M-T1B-AT - ZENER DIODES 200
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: SC-59
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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RD39M-T2B(39)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39PNECSOT-89
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39P(39V)
auf Bestellung 2910 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39P-T1NECSOT-89
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39P-T1(B)
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39P-T1-AYRenesasDescription: RD39P-T1-AY - 1W POWER MINI MOLD
Tolerance: ±5.13%
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 39 V
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Part Status: Obsolete
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD39P-T1/39/39VNEC
auf Bestellung 4956 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39P-T139V
auf Bestellung 1768 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39P-T2-AZRenesasDescription: RD39P - 1W ZENER DIODE
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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RD39P-T2/39VNEC
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39P/89-39VNEC
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39S(0)-T1-ATRenesasDescription: RD39S(0)-T1-AT - ZENER DIODES200
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 68427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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RD39S(0)-T1-AT/JMRENESASSOD323
auf Bestellung 14990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39S-T1NEC
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39S-T1NECSOD323
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39S-T1NEC05+ SOD-323
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39S-T139V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39S-T1BNECSOD323
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39S-T1BNEC01+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39S-T2-ATRenesasDescription: RD39S-T2-AT - ZENER DIODES200 MW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3925+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3925
RD39UJ-T1
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39UJ-T1-ARenesasDescription: RD39UJ-T1-A - LOW NOISE SHARP BR
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD39UJ-T13.9V
auf Bestellung 1561 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39UM(39V)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39UM-T1-ARenesasDescription: RD39UM-T1-A - ZENER DIODES 2PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3059+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3059
RD3A2BY100J
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY100J-T1
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RD3A2BY114J-T2
auf Bestellung 10000 Stücke:
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RD3A2BY150J
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RD3A2BY152J-T2
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RD3A2BY202J
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RD3A2BY204J
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RD3A2BY220J
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RD3A2BY221J-T2
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RD3A2BY223J-T2
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RD3A2BY272J
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RD3A2BY273J
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RD3A2BY303J-T1
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RD3A2BY304J-T1
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RD3A2BY333J-T1
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RD3A2BY361J-T1
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RD3A2BY363J
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RD3A2BY391J
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RD3A2BY433G
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RD3A2BY512J
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RD3A2BY513J-T2
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RD3A2BY560J-T2
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RD3A2BY561J
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RD3A2BY561J-T2
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RD3A2BY564J
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RD3A2BY5R1J
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RD3A2BY621J
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RD3A2BY683J-T2
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RD3A2BY752J-T1TAIYO99+
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RD3A2BY822J
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RD3A2BY823J
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RD3A2BY910J
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RD3A2BY911J
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RD3A2BY911J-T1
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RD3A2BY912J-T2
auf Bestellung 5000 Stücke:
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RD3CYD08CMB
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RD3CYD08CME
auf Bestellung 6000 Stücke:
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RD3CYD08VSERENESAS05+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3CYDT08CMH1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3G01BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -15A; Idm: -30A; 25W
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -15A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+1 EUR
Mindestbestellmenge: 154
RD3G01BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch -40V -15A Power MOSFET
auf Bestellung 33395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.81 EUR
10+ 1.42 EUR
100+ 1.14 EUR
500+ 0.98 EUR
1000+ 0.8 EUR
2500+ 0.73 EUR
5000+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD3G01BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 15
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 4505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
161+0.95 EUR
250+ 0.88 EUR
500+ 0.82 EUR
1000+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 161
RD3G01BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -15A; Idm: -30A; 25W
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -15A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.78 EUR
13+ 1.46 EUR
100+ 1.14 EUR
500+ 0.96 EUR
1000+ 0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3G01BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 15
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 4505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3G03BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 35
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3G03BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -35A; Idm: -70A; 56W
Power dissipation: 56W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -70A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -35A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.11 EUR
250+ 1.03 EUR
500+ 0.95 EUR
1000+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 138
RD3G03BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 35
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3G03BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -35A; Idm: -70A; 56W
Power dissipation: 56W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -70A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -35A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G03BATTL1ROHM - JapanTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 19,1mOhm; 35A; 56W; -55°C~150°C; RD3G03BATTL1 TRD3G03BATTL1
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.6 EUR
Mindestbestellmenge: 10
RD3G03BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch -40V -35A Power MOSFET
auf Bestellung 7709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.36 EUR
10+ 1.81 EUR
100+ 1.47 EUR
500+ 1.27 EUR
1000+ 1.04 EUR
2500+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
auf Bestellung 4832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.39 EUR
10+ 1.97 EUR
100+ 1.53 EUR
500+ 1.3 EUR
1000+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 8
RD3G03BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 65A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 20 V
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.8 EUR
10+ 2.52 EUR
100+ 2.02 EUR
500+ 1.66 EUR
1000+ 1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7
RD3G03BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3G03BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFET RD3G03BBG is a power MOSFET with low-on resistance and High power package, suitable for switching.
auf Bestellung 4936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.5 EUR
10+ 2.09 EUR
100+ 1.67 EUR
250+ 1.53 EUR
500+ 1.39 EUR
1000+ 1.26 EUR
2500+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD3G03BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 65A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G03BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3G07BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 101W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2083 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3G07BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch -40V -70A Power MOSFET
auf Bestellung 22373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.94 EUR
10+ 2.66 EUR
100+ 2.38 EUR
250+ 2.36 EUR
500+ 2.08 EUR
1000+ 1.78 EUR
2500+ 1.67 EUR
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.25 EUR
51+ 2.89 EUR
100+ 2.4 EUR
200+ 2.17 EUR
500+ 1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 48
RD3G07BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -70A; Idm: -140A; 101W
Power dissipation: 101W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -140A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -70A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 20 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3G07BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2083 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3G07BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -70A; Idm: -140A; 101W
Power dissipation: 101W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -140A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -70A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.1 EUR
100+ 1.94 EUR
250+ 1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 73
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 20 V
auf Bestellung 12894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.03 EUR
10+ 3.28 EUR
100+ 2.27 EUR
500+ 1.84 EUR
1000+ 1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.2 EUR
75+ 1.97 EUR
100+ 1.61 EUR
200+ 1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 70
RD3G07BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00175 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3G07BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00175 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3G07BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFET RD3G07BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching.
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.8 EUR
10+ 4 EUR
100+ 3.17 EUR
250+ 2.92 EUR
500+ 2.68 EUR
1000+ 2.27 EUR
2500+ 2.16 EUR
RD3G400GNTLROHM SEMICONDUCTORRD3G400GNTL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G400GNTLROHM SemiconductorMOSFET RD3G400GN is a power MOSFET with low-on resistance and High power package (TO-252), suitable for switching.
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.52 EUR
10+ 2.27 EUR
100+ 1.78 EUR
500+ 1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD3G400GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TO252
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.45 EUR
10+ 2.18 EUR
100+ 1.7 EUR
500+ 1.4 EUR
1000+ 1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8
RD3G400GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TO252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.04 EUR
5000+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3G500GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G500GNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 100A; 35W; DPAK,TO252
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G500GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G500GNTLROHM SemiconductorMOSFETs RD3G500GN is the low on - resistance MOSFET for switching application.
auf Bestellung 1824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+ 2.11 EUR
100+ 1.69 EUR
500+ 1.42 EUR
1000+ 1.2 EUR
2500+ 1.14 EUR
5000+ 1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD3G500GNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 100A; 35W; DPAK,TO252
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G600GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G600GNTLROHM SemiconductorMOSFET RD3G600GN is a power MOSFET with low-on resistance and High power package (TO-252), suitable for switching.
auf Bestellung 2829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.01 EUR
10+ 2.5 EUR
100+ 1.99 EUR
250+ 1.83 EUR
500+ 1.67 EUR
1000+ 1.43 EUR
2500+ 1.34 EUR
RD3G600GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 20 V
auf Bestellung 2466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.97 EUR
10+ 2.46 EUR
100+ 1.96 EUR
500+ 1.66 EUR
1000+ 1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 6
RD3H045SPFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -45V Vdss -4.5A TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 3628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+ 1.56 EUR
100+ 1.38 EUR
500+ 1.21 EUR
1000+ 0.99 EUR
2500+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD3H045SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
auf Bestellung 2118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.36 EUR
10+ 2.11 EUR
100+ 1.65 EUR
500+ 1.36 EUR
1000+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8
RD3H045SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H045SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3H045SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3H045SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H045SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3H045SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3H045SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3H045SPTL1ROHM SEMICONDUCTORRD3H045SPTL1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
RD3H045SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
auf Bestellung 4927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.06 EUR
10+ 1.84 EUR
100+ 1.44 EUR
500+ 1.19 EUR
1000+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 9
RD3H045SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3H045SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3H045SPTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -45V -4.5A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 4270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.13 EUR
10+ 1.92 EUR
100+ 1.49 EUR
500+ 1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD3H045SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3H080SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H080SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 8 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3H080SPFRATLROHM SemiconductorMOSFET Pch -45V Vdss -8A ID TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.9 EUR
10+ 2.6 EUR
100+ 2.04 EUR
500+ 1.68 EUR
RD3H080SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
auf Bestellung 1643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.78 EUR
10+ 2.49 EUR
100+ 1.94 EUR
500+ 1.6 EUR
1000+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 7
RD3H080SPFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -8A; Idm: -16A; 15W
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Power dissipation: 15W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16A
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -8A
On-state resistance: 147mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
RD3H080SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H080SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 8 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3H080SPFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -8A; Idm: -16A; 15W
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Power dissipation: 15W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16A
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -8A
On-state resistance: 147mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3H080SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3H080SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3H080SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
auf Bestellung 2359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.01 EUR
11+ 1.63 EUR
100+ 1.27 EUR
500+ 1.08 EUR
1000+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 9
RD3H080SPTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -45V -8A TO-252(DPAK)
auf Bestellung 3316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.08 EUR
10+ 1.88 EUR
100+ 1.46 EUR
500+ 1.21 EUR
1000+ 0.95 EUR
2500+ 0.92 EUR
5000+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD3H160SPFRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 45V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+1.76 EUR
100+ 1.55 EUR
250+ 1.37 EUR
500+ 1.19 EUR
1000+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 87
RD3H160SPFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -16A; Idm: -32A; 20W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 20W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -32A
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -16A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
RD3H160SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3H160SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H160SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3H160SPFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -45V Vdss -16A TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 2136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.66 EUR
10+ 2.18 EUR
100+ 1.69 EUR
500+ 1.43 EUR
1000+ 1.16 EUR
2500+ 1.09 EUR
5000+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD3H160SPFRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 45V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.67 EUR
108+ 1.38 EUR
126+ 1.13 EUR
200+ 1.03 EUR
500+ 0.93 EUR
1000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 92
RD3H160SPFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -16A; Idm: -32A; 20W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 20W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -32A
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -16A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3H160SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
auf Bestellung 3691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.99 EUR
10+ 2.68 EUR
100+ 2.09 EUR
500+ 1.72 EUR
1000+ 1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 6
RD3H160SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H160SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3H160SPTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -45V -16A TO-252(DPAK)
auf Bestellung 16156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.69 EUR
10+ 2.08 EUR
100+ 1.69 EUR
500+ 1.46 EUR
1000+ 1.18 EUR
2500+ 1.1 EUR
5000+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD3H160SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
auf Bestellung 4976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.03 EUR
10+ 2.7 EUR
100+ 2.1 EUR
500+ 1.74 EUR
1000+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6
RD3H160SPTL1ROHM SEMICONDUCTORRD3H160SPTL1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
RD3H160SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3H160SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3H160SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3H200SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
auf Bestellung 2376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.8 EUR
10+ 2.51 EUR
100+ 2.02 EUR
500+ 1.66 EUR
1000+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7
RD3H200SNFRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 45V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.52 EUR
10+ 2.27 EUR
100+ 1.83 EUR
500+ 1.49 EUR
1000+ 1.24 EUR
2500+ 1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD3H200SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3H200SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3H200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 20 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3H200SNTL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 45V 20A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 7283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+ 2.31 EUR
100+ 1.8 EUR
500+ 1.49 EUR
1000+ 1.17 EUR
2500+ 1.09 EUR
10000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD3H200SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
auf Bestellung 1511 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.76 EUR
10+ 2.48 EUR
100+ 1.93 EUR
500+ 1.6 EUR
1000+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 7
RD3H200SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3H200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 20 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3H200SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L01BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 158
RD3L01BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 26
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 26
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L01BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
auf Bestellung 4085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.8 EUR
12+ 1.48 EUR
100+ 1.15 EUR
500+ 0.98 EUR
1000+ 0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 10
RD3L01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.06 EUR
170+ 0.87 EUR
199+ 0.72 EUR
209+ 0.65 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.53 EUR
2500+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 145
RD3L01BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; Idm: -20A; 26W
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L01BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; Idm: -20A; 26W
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L01BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch -60V -10A Power MOSFET
auf Bestellung 33641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.81 EUR
10+ 1.49 EUR
100+ 1.16 EUR
500+ 0.98 EUR
1000+ 0.8 EUR
2500+ 0.75 EUR
5000+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD3L01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+0.93 EUR
250+ 0.86 EUR
500+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 166
RD3L03BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 30 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.96 EUR
5000+ 0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3L03BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -35A; Idm: -70A; 56W
Power dissipation: 56W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -70A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -35A
On-state resistance: 46mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L03BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -35A; Idm: -70A; 56W
Power dissipation: 56W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -70A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -35A
On-state resistance: 46mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L03BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch -60V -35A Power MOSFET
auf Bestellung 27230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.36 EUR
10+ 1.81 EUR
100+ 1.48 EUR
500+ 1.27 EUR
1000+ 1.04 EUR
2500+ 0.96 EUR
5000+ 0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD3L03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 136
RD3L03BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 35
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 3037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L03BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 30 V
auf Bestellung 12958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.31 EUR
10+ 1.9 EUR
100+ 1.47 EUR
500+ 1.25 EUR
1000+ 1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 8
RD3L03BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 35
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 3037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.04 EUR
88+ 1.68 EUR
100+ 1.54 EUR
200+ 1.4 EUR
500+ 1.22 EUR
1000+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 75
RD3L03BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L03BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFET RD3L03BBG is a power MOSFET with low-on resistance and High power package, suitable for switching.
auf Bestellung 4641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.52 EUR
10+ 2.09 EUR
100+ 1.67 EUR
250+ 1.54 EUR
500+ 1.4 EUR
1000+ 1.27 EUR
2500+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD3L03BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
auf Bestellung 2108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.5 EUR
10+ 2.08 EUR
100+ 1.65 EUR
500+ 1.4 EUR
1000+ 1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8
RD3L04BBKHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.13 EUR
10+ 1.75 EUR
100+ 1.37 EUR
500+ 1.16 EUR
1000+ 0.94 EUR
2500+ 0.87 EUR
5000+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD3L050SNFRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 60V 5A 15W Pd DPAK TO-252
auf Bestellung 3441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+ 2.09 EUR
100+ 1.66 EUR
500+ 1.46 EUR
1000+ 1.15 EUR
2500+ 1.1 EUR
5000+ 1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD3L050SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.66 EUR
10+ 2.39 EUR
25+ 2.27 EUR
100+ 1.86 EUR
250+ 1.74 EUR
500+ 1.54 EUR
1000+ 1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7
RD3L050SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L050SNFRATLROHM SEMICONDUCTORRD3L050SNFRATL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L050SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L050SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.11 EUR
11+ 1.73 EUR
100+ 1.34 EUR
500+ 1.14 EUR
1000+ 0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 9
RD3L050SNTL1ROHM SEMICONDUCTORRD3L050SNTL1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L050SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L050SNTL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 60V 5A TO-252(DPAK)
auf Bestellung 2036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.04 EUR
10+ 1.69 EUR
100+ 1.32 EUR
500+ 1.12 EUR
1000+ 0.91 EUR
2500+ 0.86 EUR
5000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD3L050SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3L07BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -70A; Idm: -140A; 101W
Power dissipation: 101W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -140A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -70A
On-state resistance: 14.1mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.14 EUR
100+ 1.97 EUR
250+ 1.82 EUR
500+ 1.68 EUR
1000+ 1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 72
RD3L07BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 12089 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L07BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch -60V -70A Power MOSFET
auf Bestellung 57459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.73 EUR
10+ 2.94 EUR
100+ 2.46 EUR
250+ 2.45 EUR
500+ 2.09 EUR
1000+ 1.78 EUR
2500+ 1.67 EUR
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.66 EUR
10+ 3.04 EUR
100+ 2.42 EUR
500+ 2.05 EUR
1000+ 1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.29 EUR
52+ 2.87 EUR
100+ 2.25 EUR
200+ 2.03 EUR
1000+ 1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 47
RD3L07BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -70A; Idm: -140A; 101W
Power dissipation: 101W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -140A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -70A
On-state resistance: 14.1mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L07BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 101W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 12089 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L07BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 115A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L07BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 115A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.17 EUR
10+ 4.64 EUR
100+ 3.73 EUR
500+ 3.07 EUR
1000+ 2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4
RD3L07BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFET RD3L07BBG is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.86 EUR
10+ 4.36 EUR
100+ 3.5 EUR
500+ 2.9 EUR
1000+ 2.5 EUR
2500+ 2.11 EUR
10000+ 2.08 EUR
RD3L080SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L080SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L080SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L080SNFRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.6 EUR
104+ 1.42 EUR
250+ 1.24 EUR
500+ 1.08 EUR
1000+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 96
RD3L080SNFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 16A; 15W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Power dissipation: 15W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
On-state resistance: 109mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L080SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L080SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L080SNFRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 60V Vdss 8A ID TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 8716 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.36 EUR
10+ 1.94 EUR
100+ 1.5 EUR
500+ 1.27 EUR
1000+ 1.04 EUR
2500+ 0.98 EUR
5000+ 0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD3L080SNFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 16A; 15W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Power dissipation: 15W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
On-state resistance: 109mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L080SNFRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.86 EUR
195+ 0.76 EUR
201+ 0.71 EUR
500+ 0.65 EUR
1000+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 179
RD3L080SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
auf Bestellung 4848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.53 EUR
10+ 2.08 EUR
100+ 1.62 EUR
500+ 1.37 EUR
1000+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7
RD3L080SNTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 16A; 15W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Power dissipation: 15W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
On-state resistance: 109mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L080SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
auf Bestellung 8889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.74 EUR
13+ 1.43 EUR
100+ 1.11 EUR
500+ 0.94 EUR
1000+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 11
RD3L080SNTL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 60V 8A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 2360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
RD3L080SNTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 16A; 15W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Power dissipation: 15W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
On-state resistance: 109mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L080SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.72 EUR
5000+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3L08BGNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO252
auf Bestellung 1055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.12 EUR
10+ 4.6 EUR
100+ 3.7 EUR
500+ 3.04 EUR
1000+ 2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4
RD3L08BGNTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4 EUR
50+ 3.71 EUR
100+ 3.46 EUR
250+ 3.22 EUR
500+ 3.01 EUR
1000+ 2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 39
RD3L08BGNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 160A; 119W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 80A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 8.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 119W
Gate charge: 71nC
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L08BGNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L08BGNTLROHM SemiconductorMOSFETs RD3L08BGN is a power MOSFET, suitable for swithing applications.
auf Bestellung 1884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.17 EUR
10+ 3.47 EUR
100+ 2.76 EUR
250+ 2.55 EUR
500+ 2.31 EUR
1000+ 1.99 EUR
2500+ 1.88 EUR
RD3L08BGNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 160A; 119W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 80A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 8.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 119W
Gate charge: 71nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L08BGNTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4 EUR
50+ 3.71 EUR
100+ 3.46 EUR
250+ 3.22 EUR
500+ 3.01 EUR
1000+ 2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 39
RD3L140SPROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L140SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L140SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 4545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L140SPFRATLROHM SEMICONDUCTORRD3L140SPFRATL SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L140SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.5 EUR
10+ 2.05 EUR
100+ 1.59 EUR
500+ 1.35 EUR
1000+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 8
RD3L140SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L140SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 4545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L140SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.03 EUR
5000+ 0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3L140SPFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -60V Vdss -14A TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 12003 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.52 EUR
10+ 1.95 EUR
100+ 1.58 EUR
500+ 1.36 EUR
1000+ 1.11 EUR
2500+ 1.03 EUR
5000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD3L140SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.1 EUR
5000+ 1.05 EUR
12500+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3L140SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L140SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 7018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L140SPTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -60V -14A TO-252(DPAK)
auf Bestellung 4894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.69 EUR
10+ 2.22 EUR
100+ 1.72 EUR
500+ 1.46 EUR
1000+ 1.18 EUR
2500+ 1.12 EUR
5000+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD3L140SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
auf Bestellung 29668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.68 EUR
10+ 2.19 EUR
100+ 1.7 EUR
500+ 1.44 EUR
1000+ 1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 7
RD3L140SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L140SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 7018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L140SPTL1ROHM SEMICONDUCTORRD3L140SPTL1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L150SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L150SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 7020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L150SNFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V Vdss 15A ID TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.66 EUR
10+ 2.01 EUR
100+ 1.65 EUR
500+ 1.41 EUR
1000+ 1.16 EUR
2500+ 1.09 EUR
5000+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD3L150SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3L150SNFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 30A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L150SNFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 30A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L150SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L150SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 7020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L150SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.99 EUR
10+ 2.68 EUR
100+ 2.09 EUR
500+ 1.72 EUR
1000+ 1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 6
RD3L150SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
auf Bestellung 24538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.94 EUR
12+ 1.58 EUR
100+ 1.23 EUR
500+ 1.04 EUR
1000+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
RD3L150SNTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 30A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L150SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.8 EUR
5000+ 0.76 EUR
12500+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3L150SNTL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 60V 15A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 3137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+ 1.59 EUR
100+ 1.24 EUR
500+ 1.05 EUR
1000+ 0.85 EUR
2500+ 0.81 EUR
5000+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD3L150SNTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 30A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L220SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
auf Bestellung 2327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.7 EUR
10+ 3.32 EUR
100+ 2.67 EUR
500+ 2.19 EUR
1000+ 1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5
RD3L220SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L220SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L220SNFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V Vdss 22A ID TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.31 EUR
10+ 2.6 EUR
100+ 2.2 EUR
250+ 2.02 EUR
500+ 1.83 EUR
1000+ 1.57 EUR
2500+ 1.44 EUR
RD3L220SNFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 44A; 20W; DPAK,TO252
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 20W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 44A
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L220SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L220SNFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 44A; 20W; DPAK,TO252
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 20W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 44A
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L220SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L220SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L220SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L220SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L220SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
auf Bestellung 10355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.66 EUR
10+ 2.2 EUR
100+ 1.75 EUR
500+ 1.48 EUR
1000+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 7
RD3L220SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L220SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L220SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.2 EUR
5000+ 1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3L220SNTL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 60V 22A TO-252(DPAK)
auf Bestellung 4915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.68 EUR
10+ 2.09 EUR
100+ 1.76 EUR
250+ 1.63 EUR
500+ 1.48 EUR
1000+ 1.27 EUR
2500+ 1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD3P01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.07 EUR
169+ 0.88 EUR
197+ 0.72 EUR
207+ 0.66 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 144
RD3P01BATTL1ROHM SemiconductorMOSFET RD3P01BAT is a low on-resistance power MOSFET suitable for switching applications.
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.94 EUR
10+ 1.58 EUR
100+ 1.23 EUR
500+ 1.05 EUR
1000+ 0.89 EUR
2500+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2