Produkte > P9B
Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis ohne MwSt | ||
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P9B | ANALOG | auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||
P9B | AD | MSOP10 | auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||
P9B-10VN | ABB (Thomas and Betts) | P9B-10VN | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P9B10VN | Honeywell | Honeywell | Produkt ist nicht verfügbar | |||
P9B11VN | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||
P9B30HP2F-5071 | SHINDENGEN | P9B30HP2F-5071 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||
P9B40HP2 | Shindengen | MOSFET Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | |||
P9B40HP2-5071 | Shindengen | MOSFET Hi Voltage Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | |||
P9B40HP2-5071 | SHINDENGEN | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 9A; Idm: 36A; 40W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Hi-PotMOS2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 9A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 40W Case: FB (TO252AA) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 14.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||
P9B40HP2-5071 | SHINDENGEN | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 9A; Idm: 36A; 40W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Hi-PotMOS2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 9A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 40W Case: FB (TO252AA) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 14.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | Produkt ist nicht verfügbar | |||
P9BC628TB | auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||
P9BR | auf Bestellung 222 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |