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NTM-120BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
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NTM-120Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.120" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.120" (3.05mm)
LED: T1, T1 3/4
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NTM-120BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.120in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-120BIVARNTM-120 Spacers for LED
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NTM-130BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
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NTM-130Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.130" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.130" (3.30mm)
LED: T1, T1 3/4
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NTM-130BivarPanel Mount LED Holder
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NTM-130BIVARNTM-130 Spacers for LED
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NTM-140BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
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NTM-140Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.140" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.140" (3.56mm)
LED: T1, T1 3/4
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NTM-140BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.140in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-140BIVARNTM-140 Spacers for LED
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NTM-150BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.150in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-150BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
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NTM-150Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.150" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.150" (3.81mm)
LED: T1, T1 3/4
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NTM-150BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.150in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-150BIVARNTM-150 Spacers for LED
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NTM-160BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 137 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 4
NTM-160Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.160" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.160" (4.06mm)
LED: T1, T1 3/4
Part Status: Active
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NTM-160BIVARNTM-160 Spacers for LED
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NTM-160BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.160in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-170BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.170in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-170BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
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NTM-170Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.170" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.170" (4.32mm)
LED: T1, T1 3/4
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NTM-170BIVARNTM-170 Spacers for LED
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NTM-180BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
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NTM-180Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.180" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.180" (4.57mm)
LED: T1, T1 3/4
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NTM-180BIVARNTM-180 Spacers for LED
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NTM-180BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.180in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-190BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.190in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-190BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
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NTM-190Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.190" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.190" (4.83mm)
LED: T1, T1 3/4
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NTM-190BIVARNTM-190 Spacers for LED
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NTM-200BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 580 Stücke:
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NTM-200Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.200" 3/5MM 2L
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NTM-200BIVARNTM-200 Spacers for LED
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NTM-210Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.210" 3/5MM 2L
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NTM-210BIVARNTM-210 Spacers for LED
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NTM-210BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
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NTM-220BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
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NTM-220Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.220" 3/5MM 2L
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NTM-220BIVARNTM-220 Spacers for LED
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NTM-230BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
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NTM-230Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.230" 3/5MM 2L
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NTM-230BIVARNTM-230 Spacers for LED
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NTM-240BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.240in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-240BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
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NTM-240Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.240" 3/5MM 2L
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NTM-240BIVARNTM-240 Spacers for LED
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NTM-250BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1780 Stücke:
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NTM-250Bivar Inc.Description: LED MOUNT .250"
Packaging: Bulk
Color: Natural
Material: Nylon
Length: 0.290" (7.37mm)
LED: T1, T1 3/4
Part Status: Active
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NTM-250BIVARNTM-250 Spacers for LED
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NTM-260BIVARNTM-260 Spacers for LED
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NTM-260BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
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NTM-260Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.260" 3/5MM 2L
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NTM-270BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 165 Stücke:
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NTM-270Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.270" 3/5MM 2L
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NTM-270BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.270in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-270BIVARNTM-270 Spacers for LED
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NTM-280BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 2132 Stücke:
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NTM-280Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.280" 3/5MM 2L
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NTM-280BIVARNTM-280 Spacers for LED
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NTM-290BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1500 Stücke:
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NTM-290Bivar Inc.Description: LED MOUNT .290"
Packaging: Bulk
Color: Natural
Material: Nylon
Length: 0.290" (7.37mm)
LED: T1, T1 3/4
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NTM-290BIVARNTM-290 Spacers for LED
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NTM-300BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 900 Stücke:
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NTM-300Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.300" 3/5MM 2L
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NTM-300BIVARNTM-300 Spacers for LED
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NTM-310BIVARNTM-310 Spacers for LED
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NTM-310BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.310in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-310BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1500 Stücke:
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NTM-310Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.310" 3/5MM 2L
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NTM-320BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1255 Stücke:
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4+0.7 EUR
10+ 0.47 EUR
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500+ 0.24 EUR
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NTM-320Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.320" 3/5MM 2L
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NTM-320BIVARNTM-320 Spacers for LED
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NTM-330BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1500 Stücke:
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NTM-330Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.330" 3/5MM 2L
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NTM-330BIVARNTM-330 Spacers for LED
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NTM-340BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 790 Stücke:
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NTM-340Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.340" 3/5MM 2L
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NTM-340BIVARNTM-340 Spacers for LED
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NTM-350BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTM-350Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.350" 3/5MM 2L
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NTM-350BIVARNTM-350 Spacers for LED
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NTM-360BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm LED Black
auf Bestellung 100 Stücke:
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5+0.65 EUR
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2500+ 0.25 EUR
10000+ 0.22 EUR
25000+ 0.2 EUR
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NTM-360Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.360" 3/5MM 2L
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NTM-360BIVARNTM-360 Spacers for LED
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NTM-370BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 72 Stücke:
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3+1 EUR
10+ 0.71 EUR
100+ 0.22 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTM-370Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.370" 3/5MM 2L
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NTM-370BIVARNTM-370 Spacers for LED
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NTM-380BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1500 Stücke:
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3+1.02 EUR
10+ 0.73 EUR
100+ 0.23 EUR
1000+ 0.18 EUR
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NTM-380Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.380" 3/5MM 2L
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NTM-380BIVARNTM-380 Spacers for LED
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NTM-390BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTM-390Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.390" 3/5MM 2L
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NTM-390BIVARNTM-390 Spacers for LED
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NTM-390BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.390in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-400BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 30 Stücke:
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5+0.67 EUR
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1000+ 0.19 EUR
2500+ 0.17 EUR
10000+ 0.15 EUR
25000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTM-400Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.400" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.400" (10.16mm)
LED: T1, T1 3/4
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.83 EUR
33+ 0.55 EUR
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Mindestbestellmenge: 22
NTM-400BIVARNTM-400 Spacers for LED
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NTM-410BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.02 EUR
10+ 0.73 EUR
100+ 0.23 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTM-410Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.410" 3/5MM 2L
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NTM-410BIVARNTM-410 Spacers for LED
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NTM-420BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.420in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-420BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 2000 Stücke:
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500+ 0.24 EUR
1000+ 0.22 EUR
2500+ 0.18 EUR
5000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTM-420Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.420" 3/5MM 2L
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NTM-420BIVARNTM-420 Spacers for LED
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NTM-430BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.67 EUR
10+ 0.44 EUR
100+ 0.29 EUR
1000+ 0.23 EUR
2500+ 0.2 EUR
10000+ 0.17 EUR
25000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTM-430Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.430" 3/5MM 2L
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NTM-430BIVARNTM-430 Spacers for LED
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NTM-440BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.440in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-440BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTM-440Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.440" 3/5MM 2L
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NTM-440BIVARNTM-440 Spacers for LED
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NTM-450BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTM-450Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.450" 3/5MM 2L
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NTM-450BIVARNTM-450 Spacers for LED
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NTM-460BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.460in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-460BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTM-460Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.460" 3/5MM 2L
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NTM-460BIVARNTM-460 Spacers for LED
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NTM-480BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.480in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-480BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1500 Stücke:
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4+0.72 EUR
10+ 0.48 EUR
100+ 0.32 EUR
500+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTM-480Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.480" 3/5MM 2L
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NTM-480BIVARNTM-480 Spacers for LED
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NTM-490BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTM-490Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.490" 3/5MM 2L
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NTM-490BIVARNTM-490 Spacers for LED
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NTM-500BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTM-500Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.500" 3/5MM 2L
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NTM-500BIVARNTM-500 Spacers for LED
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NTM-520BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTM-520Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.520" 3/5MM 2L
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NTM-520BIVARNTM-520 Spacers for LED
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NTM-520BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.520in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-530BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTM-530Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.530" 3/5MM 2L
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NTM-530BIVARNTM-530 Spacers for LED
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NTM-550BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 802 Stücke:
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4+0.74 EUR
10+ 0.48 EUR
100+ 0.32 EUR
1000+ 0.21 EUR
2500+ 0.19 EUR
10000+ 0.16 EUR
25000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTM-550Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.550" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.550" (13.97mm)
LED: T1, T1 3/4
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NTM-550BIVARNTM-550 Spacers for LED
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NTM-570Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.570" 3/5MM 2L
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NTM-570BIVARNTM-570 Spacers for LED
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NTM-570BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.07 EUR
10+ 0.76 EUR
100+ 0.24 EUR
1000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTM-600BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
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NTM-600Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.600" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.600" (15.24mm)
LED: T1, T1 3/4
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NTM-600BIVARNTM-600 Spacers for LED
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NTM-620BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTM-620Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.620" 3/5MM 2L
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NTM-620BIVARNTM-620 Spacers for LED
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NTM-650BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+ 0.4 EUR
100+ 0.32 EUR
1000+ 0.27 EUR
2500+ 0.25 EUR
10000+ 0.21 EUR
25000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTM-650Bivar Inc.Description: LED MOUNT .650"
Packaging: Bulk
Color: Natural
Material: Nylon
Length: 0.650" (16.51mm)
LED: T1, T1 3/4
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.95 EUR
28+ 0.64 EUR
100+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NTM-650BIVARNTM-650 Spacers for LED
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NTM-670BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1270 Stücke:
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5+0.65 EUR
10+ 0.4 EUR
100+ 0.32 EUR
1000+ 0.31 EUR
2500+ 0.19 EUR
10000+ 0.16 EUR
25000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTM-670Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.670" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.670" (17.02mm)
LED: T1, T1 3/4
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NTM-670BIVARNTM-670 Spacers for LED
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NTM-700BIVARNTM-700 Spacers for LED
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NTM-700BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.700in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-700BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1300 Stücke:
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NTM-700Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.700" 3/5MM 2L
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NTM-720BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTM-720Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.720" 3/5MM 2L
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NTM-720BIVARNTM-720 Spacers for LED
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NTM-750BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.7 EUR
10+ 0.43 EUR
100+ 0.33 EUR
1000+ 0.25 EUR
2500+ 0.23 EUR
10000+ 0.2 EUR
25000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTM-750Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.750" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.750" (19.05mm)
LED: T1, T1 3/4
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NTM-750BIVARNTM-750 Spacers for LED
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NTM-770BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTM-770Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.770" 3/5MM 2L
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NTM-770BIVARNTM-770 Spacers for LED
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NTM-800BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
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NTM-800Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.800" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.800" (20.32mm)
LED: T1, T1 3/4
Part Status: Active
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NTM-800BIVARCategory: Spacers for LED
Description: Spacer sleeve; LED; Øout: 5.1mm; ØLED: 3mm,5mm; L: 20.3mm; natural
Type of LED accessories: spacer sleeve
Application: LED
Outside diameter: 5.1mm
LED diameter: 3mm; 5mm
Spacer length: 20.3mm
Colour: natural
Flammability rating: UL94V-2
Body material: polyamide 6.6
Mounting holes pitch: 2.5mm
Kind of bulb: T1; T1 3/4
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTM-800BIVARCategory: Spacers for LED
Description: Spacer sleeve; LED; Øout: 5.1mm; ØLED: 3mm,5mm; L: 20.3mm; natural
Type of LED accessories: spacer sleeve
Application: LED
Outside diameter: 5.1mm
LED diameter: 3mm; 5mm
Spacer length: 20.3mm
Colour: natural
Flammability rating: UL94V-2
Body material: polyamide 6.6
Mounting holes pitch: 2.5mm
Kind of bulb: T1; T1 3/4
Produkt ist nicht verfügbar
NTM-820BIVARCategory: Spacers for LED
Description: Spacer sleeve; LED; Øout: 5.1mm; ØLED: 3mm,5mm; L: 20.8mm; natural
Application: LED
Flammability rating: UL94V-2
Body material: polyamide 6.6
Outside diameter: 5.1mm
LED diameter: 3mm; 5mm
Kind of bulb: T1; T1 3/4
Spacer length: 20.8mm
Type of LED accessories: spacer sleeve
Colour: natural
Mounting holes pitch: 2.5mm
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTM-820BIVARCategory: Spacers for LED
Description: Spacer sleeve; LED; Øout: 5.1mm; ØLED: 3mm,5mm; L: 20.8mm; natural
Application: LED
Flammability rating: UL94V-2
Body material: polyamide 6.6
Outside diameter: 5.1mm
LED diameter: 3mm; 5mm
Kind of bulb: T1; T1 3/4
Spacer length: 20.8mm
Type of LED accessories: spacer sleeve
Colour: natural
Mounting holes pitch: 2.5mm
Produkt ist nicht verfügbar
NTM-820BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTM-820Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.820" 3/5MM 2L
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NTM-850BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTM-850Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.850" 3/5MM 2L
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NTM-850BIVARNTM-850 Spacers for LED
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NTM-870BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
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NTM-870Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.870" 3/5MM 2L
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NTM-870BIVARNTM-870 Spacers for LED
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NTM-900BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1000 Stücke:
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3+1.3 EUR
10+ 0.93 EUR
100+ 0.29 EUR
1000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTM-900Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.900" 3/5MM 2L
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NTM-900BIVARCategory: Spacers for LED
Description: Spacer sleeve; LED; Øout: 5.1mm; ØLED: 3mm,5mm; L: 22.9mm; natural
Application: LED
Outside diameter: 5.1mm
LED diameter: 3mm; 5mm
Kind of bulb: T1; T1 3/4
Spacer length: 22.9mm
Type of LED accessories: spacer sleeve
Colour: natural
Mounting holes pitch: 2.5mm
Flammability rating: UL94V-2
Body material: polyamide 6.6
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTM-900BIVARCategory: Spacers for LED
Description: Spacer sleeve; LED; Øout: 5.1mm; ØLED: 3mm,5mm; L: 22.9mm; natural
Application: LED
Outside diameter: 5.1mm
LED diameter: 3mm; 5mm
Kind of bulb: T1; T1 3/4
Spacer length: 22.9mm
Type of LED accessories: spacer sleeve
Colour: natural
Mounting holes pitch: 2.5mm
Flammability rating: UL94V-2
Body material: polyamide 6.6
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NTM-900BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.900in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM1NeutrikAudio Transformers / Signal Transformers TRANSFRMER MIC INPUT PCB VERT 1:1 RATIO
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+91.84 EUR
50+ 90.39 EUR
100+ 88.46 EUR
250+ 86.94 EUR
500+ 86.89 EUR
1000+ 86.87 EUR
NTM105K100FNIC ComponentsCap Film 1uF 100V PET 10%( 10 X 19mm) Axial 85°C
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NTM105K250FNIC ComponentsCap Film 1uF 250V PET 10% (11.5 X 27mm) Axial 85°C
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.99 EUR
1200+ 0.87 EUR
2400+ 0.78 EUR
3600+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 200
NTM10N02ZMOT
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM10N02ZMOT09+ SO-8
auf Bestellung 1587 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM11210-SC900
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM1210-SC900TOKO0402X2
auf Bestellung 5064 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM156K100D18R0FNIC ComponentsCap Film 15uF 100V PET 10% (22 X 47mm) Axial 85°C
Produkt ist nicht verfügbar
NTM156K100D18R0FNIC ComponentsCap Film 15uF 100V PET 10% (22 X 47mm) Axial 85°C
Produkt ist nicht verfügbar
NTM156K100FNIC ComponentsCap Film 15uF 100V PET 10% (22 X 47mm) Axial 85°C
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTM156K100FNIC ComponentsCap Film 15uF 100V PET 10% (22 X 47mm) Axial 85°C
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTM1603HDBivarVertical LED Assembly,2 Lead Single Color, Green, Diffused Lens, Black PVC Alloy
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NTM1603HDBivar Inc.Description: LED CBI 3MM RED THROUGH HOLE
Packaging: Tray
Current: 30mA
Color: Red
Voltage Rating: 2V
Mounting Type: Through Hole
Millicandela Rating: 30mcd
Configuration: Single
Viewing Angle: 45°
Lens Type: Diffused
Wavelength - Peak: 635nm
Part Status: Active
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 3mm, T-1
Produkt ist nicht verfügbar
NTM1603HDBIVARCategory: Spacers for LED
Description: Spacer sleeve; 3mm; natural
Colour: natural
LED diameter: 3mm
Type of LED accessories: spacer sleeve
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NTM1603HDBIVARCategory: Spacers for LED
Description: Spacer sleeve; 3mm; natural
Colour: natural
LED diameter: 3mm
Type of LED accessories: spacer sleeve
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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NTM1603HDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm HE Red
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NTM1N05EMOT
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM1N05EMOT09+ SO-8
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM2003GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
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NTM2003GDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM GRN 565NM
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NTM2073D
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM2222AHITACHI01+ SOT-23
auf Bestellung 3999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM2222A-T1B
auf Bestellung 1703 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM2222AT1
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM2369NEC
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM2369-T1B
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM2369-T2B
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM2369-TBTOSHIBA02+ SOT-23
auf Bestellung 3999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM2603GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
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NTM2603HDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm HE Red
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NTM2907NEC
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM2907A
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM2907A-T1B
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM2907A/Y15
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM3003GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
Produkt ist nicht verfügbar
NTM3003HDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm HE Red
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NTM3003YDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Yellow
Produkt ist nicht verfügbar
NTM3003YDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM YLW 585NM
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NTM3414AM
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM3703GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
Produkt ist nicht verfügbar
NTM3703GDBivar IncDescription: LED ASSY VERT
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NTM3703YDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Yellow
Produkt ist nicht verfügbar
NTM3703YDBivar IncDescription: LED ASSY VERT
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NTM3904
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM3904/B25
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM3906
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM3906-T1BNECSOT23/SOT323
auf Bestellung 5952 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM3906/Y25
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM4NeutrikPower Transformers TRANSFRMER MIC INPUT PCB VERT 1:4 RATIO
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTM4NeutrikAudio Transformer 1:4 PC Pin Thru-Hole
Produkt ist nicht verfügbar
NTM4403GDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM GRN 565NM
Produkt ist nicht verfügbar
NTM4403GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
Produkt ist nicht verfügbar
NTM4403YDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Yellow
Produkt ist nicht verfügbar
NTM4403YDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM YLW 585NM
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NTM4558DJRC
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM4816NR2G
auf Bestellung 6880 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM5203GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
Produkt ist nicht verfügbar
NTM5203GDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM GRN 565NM
Produkt ist nicht verfügbar
NTM5203HDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM HER 635NM
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NTM5203HDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm HE Red
Produkt ist nicht verfügbar
NTM5203YDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Yellow
Produkt ist nicht verfügbar
NTM5203YDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM YLW 585NM
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NTM78L09UAT2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM8050(M)-T1BNEC05+ SOT-23
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM8050(M)-T1B-MFNEC
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM88H055T1NXP SemiconductorsTire Pressure Monitoring Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
NTM88H055T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NTM88H055T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors TPMS 4X4 900kPa X axis
auf Bestellung 1984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTM88H055T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 1913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.7 EUR
5+ 12.97 EUR
10+ 11.46 EUR
25+ 9.3 EUR
50+ 8.22 EUR
100+ 8 EUR
500+ 6.7 EUR
1000+ 6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTM88H065T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 1847 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.7 EUR
5+ 12.97 EUR
10+ 11.46 EUR
25+ 9.3 EUR
50+ 8.22 EUR
100+ 8 EUR
500+ 6.7 EUR
1000+ 6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTM88H065T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.44 EUR
5+ 13.6 EUR
10+ 12.02 EUR
25+ 9.75 EUR
NTM88H065T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NTM88H065T1NXP SemiconductorsTire Pressure Monitoring Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
NTM88H075T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTM88H075T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTM88H075T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTM88H077T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NTM88H125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTM88H125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTM88H135ST1NXP SemiconductorsTPMS 4X4 900kPa XZ axis
Produkt ist nicht verfügbar
NTM88H135T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.26 EUR
5+ 9.51 EUR
10+ 8.84 EUR
25+ 8.02 EUR
50+ 7.45 EUR
100+ 6.92 EUR
500+ 5.84 EUR
1000+ 5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTM88H135T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.66 EUR
5+ 13.83 EUR
10+ 8.78 EUR
NTM88H135T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
NTM88H145T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
Produkt ist nicht verfügbar
NTM88H145T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
NTM88H145T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensor 90kPa to 930kPa 24-Pin HQFN EP
Produkt ist nicht verfügbar
NTM88H155T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NTM88H155T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensor 90kPa to 930kPa 24-Pin HQFN EP
Produkt ist nicht verfügbar
NTM88H155T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
auf Bestellung 1943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.66 EUR
5+ 13.82 EUR
10+ 12.2 EUR
25+ 9.91 EUR
NTM88H155T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NTM88J125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NTM88J125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NTM88J127T1NXP SemiconductorsNTM88J127T1
Produkt ist nicht verfügbar
NTM88J135ST1NXP SemiconductorsNTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
Produkt ist nicht verfügbar
NTM88J135T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NTM88J145ST1NXP SemiconductorsNTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
Produkt ist nicht verfügbar
NTM88J145T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NTM88J145T1NXP SemiconductorsNTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
Produkt ist nicht verfügbar
NTM88J155T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NTMC083NP10M5LonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Dual N- & P-Channel, SO8
auf Bestellung 59931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.57 EUR
10+ 1.29 EUR
100+ 0.91 EUR
500+ 0.85 EUR
1000+ 0.67 EUR
2500+ 0.63 EUR
5000+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTMC1300RMOT01+
auf Bestellung 2167 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMC1300R2onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A, 1.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1110+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1110
NTMC1300R2onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A, 1.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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NTMC1300R2
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD2C02R2ON05+
auf Bestellung 70 Stücke:
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NTMD2C02R2ONSO-8
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD2C02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
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NTMD2C02R2onsemiMOSFET 20V 5.2A
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NTMD2C02R2ON07+ SO-8
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD2C02R2GON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD2C02R2GonsemiMOSFET 20V 5.2A Complementary
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD2C02R2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
auf Bestellung 16455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
802+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 802
NTMD2C02R2SGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1603+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1603
NTMD2C02R2SGonsemiMOSFET COMP20V 2A .043R TR
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NTMD2C02R2SGON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
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NTMD2N05ZMOT
auf Bestellung 1318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD2N05ZMOT09+ SO-8
auf Bestellung 2318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD2P01ON07+ SO-8
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD2P01ONSO-8
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD2P01R2ON05+
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD2P01R2ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
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NTMD2P01R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
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NTMD2P02MOT95+ SOP
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD2P10MOT95+ SOP
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD3N03MOT
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD3N03MOT95+ SOP
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD3N03MOT09+ SO-8
auf Bestellung 1754 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD3N08LON07+ SO-8
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD3N08LONSO-8
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD3N08LR2onsemiMOSFET 80V 2.3A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD3N08LR2onsemiDescription: MOSFET PWR N-CHAN DUAL 80V 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 114190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1374+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1374
NTMD3N08LR2GonsemiMOSFET
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NTMD3P03ON07+ SO-8
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD3P03ONSO-8
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD3P03R2
auf Bestellung 280000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD3P03R2GONSOP8 07+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD3P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD3P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD3P03R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.05A 8-Pin SOIC N T/R
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NTMD3P03R2GonsemiMOSFET 30V 3.05A P-Channel
auf Bestellung 7430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+ 1.06 EUR
100+ 0.93 EUR
500+ 0.89 EUR
1000+ 0.81 EUR
2500+ 0.77 EUR
5000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTMD4184PFG
auf Bestellung 7717 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4184PFR2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
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NTMD4184PFR2G
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4184PFR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4184PFR2G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMD4184PFR2GonsemiMOSFET PFET FTKY S08 30V TR 3.8A
auf Bestellung 22502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTMD4184PFR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD4184PFR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4184PFR2G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMD4820Nonsemionsemi NFET SO8 30V 8A 0.020R TR
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD4820NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTMD4820NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD4820NR2GonsemiMOSFET NFET SO8 30V 8A TR 0.020R
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.52 EUR
10+ 1.26 EUR
100+ 0.97 EUR
500+ 0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTMD4820NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD4820NR2G
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4820NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
auf Bestellung 20895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTMD4820NR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4820NR2G - NFET SO8 30V 8A 0.020R TR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 60481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMD4840Nonsemionsemi NFET SO8 30V 7.5A 0.034R
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NTMD4840NR2GON Semiconductor
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4840NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 680mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD4840NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD4840NR2GON08+ SOP-8
auf Bestellung 1678 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4840NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 680mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD4840NR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4840NR2G - MOSFET, DUAL N CH, 30V, 5.5A, SOIC-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 234602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMD4840NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 680mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 307102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1156+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1156
NTMD4840NR2GonsemiMOSFET NFET SO8 30V 7.5A 0.034R
auf Bestellung 1396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+ 1.04 EUR
100+ 0.8 EUR
500+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTMD4884NFR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD4884NFR2G
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4884NFR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 15 V
auf Bestellung 45537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTMD4N01MOT
auf Bestellung 2948 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4N01MOT09+ SO-8
auf Bestellung 3948 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4N03onsemionsemi NFET SO8 30V 4A 60MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD4N03DR2
auf Bestellung 1456 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4N03R2ON05+
auf Bestellung 4252 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4N03R2ONSO-8
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4N03R2ON07+ SO-8
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4N03R2ONSOP-8
auf Bestellung 3012 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 31763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.23 EUR
17+ 1.06 EUR
100+ 0.73 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 15
NTMD4N03R2GonsemiMOSFETs 30V 4A N-Channel
auf Bestellung 28896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.95 EUR
10+ 0.83 EUR
100+ 0.68 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.47 EUR
2500+ 0.45 EUR
5000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTMD4N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD4N03R2GON06+ SOIC
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.46 EUR
5000+ 0.44 EUR
12500+ 0.41 EUR
25000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTMD4N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMD4N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD5836NLR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD5836NLR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 9A/5.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD5836NLR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD5836NLR2GonsemiMOSFET NFET SO8-D 40V 10 25mOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD5836NLR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD5838NLR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMD5838NLR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
226+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 226
NTMD5838NLR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD5838NLR2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.4 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Anzahl der Pins: 8
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: NSOIC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02
Dauer-Drainstrom Id: 7.4
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0162
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2.1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 20085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMD5838NLR2GonsemiMOSFETs NFETDPAK40V100A3.7M OHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD5838NLR2G
Produktcode: 204296		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD5838NLR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
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NTMD5838NLR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
226+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 226
NTMD5838NLR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.46 EUR
5000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTMD5838NLR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD5838NLR2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.4 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.4
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: NSOIC
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 20085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMD6601NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
auf Bestellung 60595 Stücke:
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NTMD6601NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 2.2A 8-Pin SOIC N T/R
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NTMD6601NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
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NTMD6N02ON07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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NTMD6N02MOT09+ SO-8
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NTMD6N02ONSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6N02MOT
auf Bestellung 2811 Stücke:
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NTMD6N02D2
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NTMD6N02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
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NTMD6N02R2Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 21500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTMD6N02R2ON SemiconductorMOSFET 20V 6A N-Channel
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NTMD6N02R2MOTSOP-8
auf Bestellung 200 Stücke:
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NTMD6N02R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMD6N02R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 730mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.92A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.52 EUR
5000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTMD6N02R2GonsemiMOSFETs NFET 20V 0.035R TR
auf Bestellung 7421 Stücke:
Lieferzeit 143-147 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+ 1.2 EUR
100+ 0.83 EUR
500+ 0.7 EUR
1000+ 0.59 EUR
2500+ 0.53 EUR
5000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTMD6N02R2GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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NTMD6N02R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
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NTMD6N02R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 730mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.92A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 9768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.37 EUR
15+ 1.2 EUR
100+ 0.83 EUR
500+ 0.69 EUR
1000+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 13
NTMD6N02R2GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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NTMD6N03onsemionsemi NFET SO8 30V 6A 32MOHM
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NTMD6N03MOT
auf Bestellung 668 Stücke:
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NTMD6N03MOT95+ SOP
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6N03MOT09+ SO-8
auf Bestellung 1668 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6N0382
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6N03R2onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 53550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1401+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1401
NTMD6N03R2ON04+
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6N03R2onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
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NTMD6N03R2onsemiMOSFET 30V 6A N-Channel
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NTMD6N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
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NTMD6N03R2GON
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
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NTMD6N03R2GonsemiMOSFET NFET 30V SPCL TR
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NTMD6N03R2GON Semiconductor
auf Bestellung 52570 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
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NTMD6N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.1 EUR
139+ 1.05 EUR
141+ 1 EUR
162+ 0.84 EUR
250+ 0.77 EUR
500+ 0.64 EUR
1000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 138
NTMD6N03R2GON09+
auf Bestellung 7518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
798+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 798
NTMD6N03R2G
Produktcode: 94669		Transistoren > MOSFET N-CH
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NTMD6N03R2GOSonsemiMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Arrays - MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC
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NTMD6N04R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 32V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD6N04R2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD6N04R2G - NTMD6N04R2G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMD6N04R2GonsemiMOSFET NFET SO8 40V 5.8A 0.027R
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NTMD6N04R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 32V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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NTMD6N04R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
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NTMD6N04R2G
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6P02onsemionsemi PFET SO8 20V 6A 33MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD6P02ONSO-8
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6P02ON07+ SO-8
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6P02DR2G
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6P02R2
auf Bestellung 4792 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6P02R2onsemiMOSFET 20V 6A P-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD6P02R2onsemiDescription: MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC
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NTMD6P02R2GonsemiMOSFET 20V 6A P-Channel
auf Bestellung 2992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.99 EUR
10+ 1.63 EUR
100+ 1.27 EUR
500+ 1.02 EUR
1000+ 0.88 EUR
2500+ 0.83 EUR
5000+ 0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTMD6P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD6P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMD6P02R2GON-SemicoductorTransistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6,2A; 1,28W; -55°C ~ 150°C; NTMD6P02R2G TNTMD6p02
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NTMD6P02R2GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD6P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD6P02R2GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD6P02R2SGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
704+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 704
NTMD6P02R2SGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NTMED2P01R2G
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMF1N05MOT09+ SO-8
auf Bestellung 2227 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMF1N05MOT
auf Bestellung 1227 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMF4708NT1G
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMF4N02MOT09+ SO-8
auf Bestellung 1062 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMF4N02MOT
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFC013NP10M5Lonsemionsemi MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD001N03P9onsemiMOSFETs Power Mosfet 30V POWERTRENCH Power Clip Power Mosfet 30V POWERTRENCH? Power Clip
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.27 EUR
10+ 2.71 EUR
100+ 2.16 EUR
250+ 1.99 EUR
500+ 1.81 EUR
1000+ 1.65 EUR
3000+ 1.43 EUR
NTMFD016N06ConsemiON Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD016N06CT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET Power, N-Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 16.3 mohm, 32 A
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 192-196 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+ 1.94 EUR
100+ 1.49 EUR
500+ 1.27 EUR
1000+ 1.14 EUR
1500+ 0.98 EUR
3000+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A/32A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A/32A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
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NTMFD020N06CT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET Power, N-Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 20.3 mohm, 27 A
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NTMFD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A/27A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
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NTMFD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A/27A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
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Mindestbestellmenge: 6
NTMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A/24A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
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6+2.94 EUR
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100+ 1.26 EUR
500+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A/24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
auf Bestellung 12000 Stücke:
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4500+ 0.78 EUR
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NTMFD024N06CT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET Power, N-Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 22.6 mohm, 24 A Power MOSFET Power, N-Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 22.6 mohm, 24 A
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NTMFD030N06CT1GON SemiconductorPower MOSFET Power, N Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 29.7 m, 19 A
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A/19A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
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NTMFD030N06CT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET Power, N-Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 29.7 mohm, 19 A
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1000+ 0.84 EUR
1500+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A/19A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
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NTMFD0D9N02P1EonsemiDescription: IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 1.04W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, 720µOhm @ 41A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V, 30nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 340µA, 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD1D1N02XonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 14A/75A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 27W (Tc), 1W (Ta), 44W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc), 27A (Ta), 178A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 12V, 4265pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, 0.87mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 59nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 240µA, 2.1V @ 850µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
auf Bestellung 2908 Stücke:
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6+3.24 EUR
10+ 2.69 EUR
100+ 2.14 EUR
500+ 1.81 EUR
1000+ 1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTMFD1D1N02XonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 14A/75A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 27W (Tc), 1W (Ta), 44W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc), 27A (Ta), 178A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 12V, 4265pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, 0.87mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 59nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 240µA, 2.1V @ 850µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD1D1N02XON SemiconductorMOSFET-Power Dual N-Channel Power Clip
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD1D1N02XonsemiMOSFET Dual Power MOSFETs, N-Channel, 25V, 3.0mohm/75A, 0.87mohm/178A, Asymmetric, Power Clip Dual 5x6 25V, N-Channel, Power MOSFETs, Power Clip Dual 5x6
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD1D4N02P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A/74A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2V @ 800µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 5875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.85 EUR
10+ 3.21 EUR
100+ 2.55 EUR
500+ 2.16 EUR
1000+ 1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTMFD1D4N02P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A/74A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2V @ 800µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFD1D6N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 23W (Tc), 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 32A (Ta), 109A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 6430pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 1.6mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 87nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 1724994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.45 EUR
10+ 2.03 EUR
100+ 1.61 EUR
500+ 1.36 EUR
1000+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTMFD1D6N03P8onsemiMOSFET PT8 N-CH DUAL 30V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+ 2.08 EUR
100+ 1.65 EUR
250+ 1.52 EUR
500+ 1.38 EUR
1000+ 1.18 EUR
3000+ 1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTMFD1D6N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 23W (Tc), 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 32A (Ta), 109A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 6430pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 1.6mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 87nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 1722000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.1 EUR
6000+ 1.06 EUR
9000+ 1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFD2D4N03P8onsemiMOSFET PT8 N-CH DUAL 30V
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.22 EUR
10+ 1.81 EUR
100+ 1.4 EUR
500+ 1.19 EUR
1000+ 0.97 EUR
3000+ 0.91 EUR
6000+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTMFD2D4N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 23W (Tc), 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 25A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 3825pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 2.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 55nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
auf Bestellung 366000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.16 EUR
10+ 1.77 EUR
100+ 1.38 EUR
500+ 1.17 EUR
1000+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NTMFD2D4N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 23W (Tc), 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 25A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 3825pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 2.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 55nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
auf Bestellung 366000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.9 EUR
6000+ 0.85 EUR
9000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFD4901NFonsemionsemi NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4901NFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 17.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4901NFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A/23.4A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4901NFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
LPC11U35FHI33/501
Produktcode: 91879		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4901NFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 17.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4901NFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A/23.4A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4901NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4902NFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.16W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 13.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4902NFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A/17.5A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4902NFT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4902NFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A/17.5A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4902NFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.16W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 13.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4902NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4902NFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.16W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 13.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4902NFT3GON Semiconductor
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFD4902NFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A/17.5A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4902NFT3G-SonsemiDescription: NTMFD4902NFT3G-S
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4951NFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL
Packaging: Bulk
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
190+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 190
NTMFD4951NFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A
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NTMFD4951NFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4951NFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4951NFT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFD4951NFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
172+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 172
NTMFD4951NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4951NFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4952NFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4952NFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4952NFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4952NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C20NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1268 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFD4C20NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.09W, 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 13.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C20NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 27A 3.4MOH
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.41 EUR
10+ 2.85 EUR
100+ 2.68 EUR
250+ 2.59 EUR
500+ 2.5 EUR
1000+ 2.39 EUR
1500+ 2.34 EUR
NTMFD4C20NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A/18A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C20NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.09W, 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 13.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTMFD4C20NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A/18A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C20NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 27A 3.4MOH
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C20NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.09W, 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 13.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C50NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
337+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 337
NTMFD4C50NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C50NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C50NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C50NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C85NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
auf Bestellung 182728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
130+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 130
NTMFD4C85NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25.4A/49.2A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C85NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C85NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4C85NT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 25.4 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.95W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 182728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFD4C85NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 40A 1.2MOH
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.81 EUR
10+ 6.56 EUR
25+ 6.2 EUR
100+ 5.32 EUR
NTMFD4C85NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C85NT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C85NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C85NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25.4A/49.2A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C86NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 32A 2.1MOH
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C86NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4C86NT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 20.2 A, 0.0043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.89W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 40079 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFD4C86NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C86NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.8A/23.7A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C86NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 40079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
117+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 117
NTMFD4C86NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
auf Bestellung 795000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
117+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 117
NTMFD4C86NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C86NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 32A 2.1MOH
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C87NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
130+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 130
NTMFD4C87NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 26A 3.1MOH
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C87NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C87NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4C87NT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFD4C87NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C87NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 26A 3.1MOH
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C88NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4C88NT1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFD4C88NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C88NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 24A 3.4MOH
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C88NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
160+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 160
NTMFD4C88NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C88NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C88NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.4A/18.7A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5875NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A/22A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5875NLT1GON SemiconductorNFET SO8FL 60V 22A 33MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5875NLT1GonsemiMOSFET 60V 22A 33MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5C446NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5C446NLT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 549-553 Tag (e)
1+8.43 EUR
10+ 7.87 EUR
100+ 6.99 EUR
500+ 6.58 EUR
1000+ 5.9 EUR
NTMFD5C446NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A/145A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5C446NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A/145A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
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NTMFD5C462NLT1GON SemiconductorDescription: T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTMFD5C466NLT1GON SemiconductorDescription: T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTMFD5C466NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V LL S08FL DS
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NTMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 40V S08FL DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5C466NT1GonsemiMOSFET 40V 8.1 MOHM T6 S08FL DUAL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5C466NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin DFN EP Reel
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 40V S08FL DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.53 EUR
10+ 2.07 EUR
100+ 1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTMFD5C466NT1GON SemiconductorDual N Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+2.23 EUR
3000+ 2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
auf Bestellung 5713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.7 EUR
10+ 3.89 EUR
100+ 3.1 EUR
500+ 2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTMFD5C470NLT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 1239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.72 EUR
10+ 3.91 EUR
100+ 3.12 EUR
250+ 2.89 EUR
500+ 2.6 EUR
1000+ 2.22 EUR
1500+ 2.13 EUR
NTMFD5C478NLT1GonsemiMOSFETs 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DUAL
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.59 EUR
10+ 1.3 EUR
100+ 1.01 EUR
500+ 0.85 EUR
1000+ 0.7 EUR
1500+ 0.65 EUR
3000+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTMFD5C650NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTMFD5C650NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5C650NLT1GON SemiconductorDescription: T6 60V LL S08FL DS
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTMFD5C650NLT1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.38 EUR
10+ 2.8 EUR
100+ 2.22 EUR
250+ 2.06 EUR
500+ 1.69 EUR
1500+ 1.52 EUR
3000+ 1.47 EUR
NTMFD5C650NLT1GON Semiconductor
auf Bestellung 2829 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFD5C650NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5C672NLT1GonsemiDescription: T6 60V LL S08FL DS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5C672NLT1GON SemiconductorPower MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5C672NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD5C672NLT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 49 A, 0.0119 ohm
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 49A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 45W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFD5C672NLT1GonsemiDescription: T6 60V LL S08FL DS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.09 EUR
11+ 1.71 EUR
100+ 1.33 EUR
500+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NTMFD5C672NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD5C672NLT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 49 A, 0.0119 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 49A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0119ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 45W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFD5C674NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
auf Bestellung 2987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTMFD5C674NLT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFD5C674NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5C674NLT1GonsemiMOSFET T6 60V LL S08FL DS
auf Bestellung 5899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+ 1.74 EUR
100+ 1.33 EUR
500+ 1.13 EUR
1500+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTMFD5C680NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
auf Bestellung 40500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+2.13 EUR
3000+ 2.03 EUR
7500+ 1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFD5C680NLT1GonsemiMOSFETs T6 60V LL SO8FL DUAL
auf Bestellung 11965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.57 EUR
10+ 1.29 EUR
100+ 1 EUR
500+ 0.83 EUR
1500+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTMFD5C680NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
auf Bestellung 40500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.49 EUR
10+ 3.73 EUR
100+ 2.97 EUR
500+ 2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTMFD5C680NLT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFD6H846NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A/31A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.27 EUR
10+ 2.09 EUR
100+ 1.42 EUR
500+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTMFD6H846NLT1GonsemiMOSFET T8 80V LL SO8FL DS
auf Bestellung 2239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+ 2.16 EUR
100+ 1.72 EUR
500+ 1.44 EUR
1000+ 1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTMFD6H846NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A/31A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFD6H846NLT1GON SemiconductorDual N Channel Power MOSFET 80V, 31A, 15m
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD6H846NLT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFD6H852NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD6H852NLT1GonsemiMOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 185-189 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+ 1.94 EUR
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500+ 1.26 EUR
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Mindestbestellmenge: 2
NTMFRS4707NT1G
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS002N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS002N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0023 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS002N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 351µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V
auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.26 EUR
10+ 4.43 EUR
100+ 3.58 EUR
500+ 3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTMFS002N10MCLT1GonsemiMOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel 100 V, 2.8 mohm, 175A MOSFET - Power, Single, N-Channel 100 V, 2.8 mohm, 175A
auf Bestellung 4316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.26 EUR
10+ 4.4 EUR
25+ 4.15 EUR
100+ 3.57 EUR
250+ 3.38 EUR
500+ 3.15 EUR
1000+ 2.71 EUR
NTMFS002N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 351µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS002N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS002N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0023 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS002P03P8ZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS002P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 226 A, 0.0012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 226A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 138.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS002P03P8ZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS002P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 226 A, 0.0012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 226A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138.9W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS002P03P8ZT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.2A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 138.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 217 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 15 V
auf Bestellung 5641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.46 EUR
10+ 4.25 EUR
100+ 3 EUR
500+ 2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTMFS002P03P8ZT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 40.2A 5-Pin SO-FL EP Reel
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS002P03P8ZT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.2A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 138.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 217 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 15 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS002P03P8ZT1GonsemiMOSFET MOSFET, Power -30V P-Channel, SO-8FL
auf Bestellung 5332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.05 EUR
10+ 4.24 EUR
25+ 4.17 EUR
100+ 3.43 EUR
250+ 3.4 EUR
500+ 3.06 EUR
1000+ 2.82 EUR
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.09 EUR
80+ 1.77 EUR
100+ 1.45 EUR
250+ 1.34 EUR
500+ 1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 73
NTMFS005N10MCLT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS005N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS005N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 105 A, 0.0042 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.09 EUR
80+ 1.77 EUR
100+ 1.45 EUR
250+ 1.34 EUR
500+ 1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 73
NTMFS005N10MCLT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 105A, 5.1 mohm
auf Bestellung 7419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.43 EUR
10+ 2.87 EUR
100+ 2.27 EUR
250+ 2.09 EUR
500+ 1.9 EUR
1000+ 1.64 EUR
1500+ 1.56 EUR
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS005N10MCLT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.48 EUR
10+ 2.89 EUR
100+ 2.3 EUR
500+ 1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTMFS005N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS005N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 105 A, 0.0042 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS005N10MCLT1GON Semiconductor
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS005P03P8ZST1GonsemiMOSFETs PT8P PORTFOLIO EXPANSION
auf Bestellung 1468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.82 EUR
10+ 2.08 EUR
100+ 1.46 EUR
500+ 1.16 EUR
1000+ 1.11 EUR
1500+ 1.01 EUR
3000+ 0.96 EUR
NTMFS005P03P8ZST1GonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7880 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS005P03P8ZST1GonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7880 pF @ 15 V
auf Bestellung 1278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.24 EUR
10+ 2.08 EUR
100+ 1.41 EUR
500+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTMFS005P03P8ZT1GonsemiMOSFETs MOSFET, Power -30V P-Channel, SO-8FL
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 122-126 Tag (e)
2+2.41 EUR
10+ 1.99 EUR
100+ 1.53 EUR
500+ 1.23 EUR
1000+ 1.03 EUR
3000+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTMFS005P03P8ZT1GON SemiconductorPower, Single P-Channel, SO8-FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS006N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A/82A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 40 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.45 EUR
10+ 2.87 EUR
100+ 2.28 EUR
500+ 1.93 EUR
1000+ 1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTMFS006N08MConsemiMOSFET 80V PTNG IN PQFN8
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.47 EUR
10+ 2.89 EUR
100+ 2.29 EUR
250+ 2.11 EUR
500+ 1.92 EUR
1000+ 1.64 EUR
3000+ 1.57 EUR
NTMFS006N08MCON Semiconductor
auf Bestellung 2936 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS006N08MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14.7A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS006N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A/82A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 40 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFS006N08MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14.7A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS006N08MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14.7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.97 EUR
45000+ 0.85 EUR
90000+ 0.77 EUR
135000+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFS006N08MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14.7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 174000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.14 EUR
3000+ 1.99 EUR
6000+ 1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS006N12MCT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 60 V
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NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
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NTMFS006N12MCT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS006N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 93 A, 0.005 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS006N12MCT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 60 V
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NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
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NTMFS006N12MCT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS006N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 93 A, 0.005 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS006N12MCT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET, 120V Single N channel 93A, 6m Ohm in Power56 package
auf Bestellung 26723 Stücke:
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1+4.79 EUR
10+ 4.03 EUR
25+ 3.8 EUR
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500+ 2.46 EUR
1500+ 2.34 EUR
NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.14 EUR
3000+ 1.99 EUR
6000+ 1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS006N12MCT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS008N12MCT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS008N12MCT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 60 V
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.85 EUR
10+ 3.2 EUR
100+ 2.55 EUR
500+ 2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTMFS008N12MCT1GonsemiMOSFET PTNG 120V SG
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTMFS008N12MCT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 102W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS008N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 12A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS008N12MCT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 60 V
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NTMFS010N10GTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
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NTMFS010N10GTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 83A 8-Pin PQFN EP T/R
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NTMFS010N10GTWGonsemiDescription: 100V MVSOA IN PQFN56 PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 164µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 50 V
auf Bestellung 11960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.74 EUR
10+ 3.75 EUR
100+ 2.63 EUR
500+ 2.15 EUR
1000+ 1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTMFS010N10GTWGonsemiDescription: 100V MVSOA IN PQFN56 PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 164µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 50 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFS011N15MConsemiMOSFETs Power MOSFET, 150V Single N channel 35A, 11.5m Ohm in Power56 package MOSFET Power 150V N channel in power 56 package
auf Bestellung 2524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.64 EUR
10+ 11.9 EUR
NTMFS011N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS011N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10.7A/78A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 194µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3592 pF @ 75 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+11.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFS011N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 78 A, 0.009 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS011N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS011N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10.7A/78A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 194µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3592 pF @ 75 V
auf Bestellung 35613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.4 EUR
10+ 11.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTMFS011N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 78 A, 0.009 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 147W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS011N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS015N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
184+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 184
NTMFS015N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13380 pF @ 50 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS015N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 0.0097 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS015N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS015N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS015N10MCLT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 54A, 12.2mohm
auf Bestellung 21092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.8 EUR
10+ 1.49 EUR
100+ 1.17 EUR
500+ 1.06 EUR
1000+ 1.04 EUR
1500+ 0.96 EUR
3000+ 0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTMFS015N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.18 EUR
147+ 1 EUR
151+ 0.94 EUR
166+ 0.81 EUR
250+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 129
NTMFS015N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13380 pF @ 50 V
auf Bestellung 2171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.12 EUR
10+ 1.99 EUR
100+ 1.35 EUR
500+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTMFS015N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 0.0097 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+2.3 EUR
6000+ 2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS015N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 9.2A/61A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 108.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V
auf Bestellung 92956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.6 EUR
10+ 4.36 EUR
100+ 3.08 EUR
500+ 2.53 EUR
1000+ 2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTMFS015N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS015N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 61 A, 0.0102 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 108.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 108.7W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0102ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS015N15MConsemiMOSFETs Power MOSFET, 150V Single N channel 61A, 14m Ohm in Power56 package
auf Bestellung 6373 Stücke:
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1+4.12 EUR
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500+ 2.57 EUR
1000+ 2.53 EUR
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 66
NTMFS015N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 9.2A/61A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 108.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFS015N15MCON Semiconductor
auf Bestellung 2755 Stücke:
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NTMFS015N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS015N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 61 A, 0.0102 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 108.7W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2828 Stücke:
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65+2.16 EUR
100+ 2.07 EUR
250+ 1.99 EUR
500+ 1.9 EUR
1000+ 1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 65
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFS016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
auf Bestellung 17990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.83 EUR
16+ 1.15 EUR
100+ 0.76 EUR
500+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NTMFS016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.5 EUR
3000+ 0.46 EUR
4500+ 0.44 EUR
7500+ 0.42 EUR
10500+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS016N06CT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 33A, 15.6mohm Single N-Channel Power MOSFET 60V, 33A, 15.6mohm
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS020N06CT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS020N06CT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET Power, N-Channel, SINGLE SO8FL, 60 V, 19.6 mohm, 28 A
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 213-217 Tag (e)
3+1.34 EUR
10+ 0.99 EUR
100+ 0.67 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.49 EUR
1500+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTMFS020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
auf Bestellung 1476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.64 EUR
18+ 1.02 EUR
100+ 0.67 EUR
500+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NTMFS020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS022N15MConsemiMOSFETs Power MOSFET, 150V Single N channel 41.9A, 22m Ohm in Power56 package
auf Bestellung 4382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+ 3.29 EUR
100+ 2.34 EUR
500+ 1.9 EUR
1000+ 1.75 EUR
3000+ 1.72 EUR
NTMFS022N15MConsemiDescription: POWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 41.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 80.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFS022N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.3A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS022N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41.9 A, 0.0181 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0181ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0181ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS022N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.3A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS022N15MConsemiDescription: POWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 41.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 80.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
auf Bestellung 27229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.98 EUR
10+ 3.24 EUR
100+ 2.25 EUR
500+ 1.82 EUR
1000+ 1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTMFS022N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41.9 A, 0.0181 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0181ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS022N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.3A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS024N06CT1GON SemiconductorT6 60V SG HIGHER RDS-ON P
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.47 EUR
3000+ 0.43 EUR
4500+ 0.41 EUR
7500+ 0.39 EUR
10500+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS024N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
auf Bestellung 49455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.71 EUR
17+ 1.07 EUR
100+ 0.7 EUR
500+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NTMFS034N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.1A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS034N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 6.1A/31A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
auf Bestellung 2585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.17 EUR
10+ 2.62 EUR
100+ 2.09 EUR
500+ 1.77 EUR
1000+ 1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTMFS034N15MConsemiMOSFETs Power MOSFET, 150V Single N channel 31A, 31m Ohm in Power56 package
auf Bestellung 9440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.24 EUR
10+ 2.48 EUR
100+ 1.94 EUR
250+ 1.9 EUR
500+ 1.56 EUR
1000+ 1.4 EUR
3000+ 1.37 EUR
NTMFS034N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.1A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.49 EUR
72+ 2.03 EUR
76+ 1.86 EUR
100+ 1.54 EUR
250+ 1.44 EUR
500+ 1.16 EUR
1000+ 0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 61
NTMFS034N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 6.1A/31A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS034N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS034N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 31 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS034N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.1A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.49 EUR
72+ 2.03 EUR
76+ 1.86 EUR
100+ 1.54 EUR
250+ 1.44 EUR
500+ 1.16 EUR
1000+ 0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 61
NTMFS034N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.1A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS034N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS034N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 31 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS08N003CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS08N003C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 147 A, 0.0026 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS08N003CON SemiconductorNTMFS08N003C ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 22A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+7.08 EUR
25+ 6.71 EUR
100+ 6.35 EUR
250+ 6 EUR
500+ 5.65 EUR
1000+ 5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 21
NTMFS08N003ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+7.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFS08N003CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin Power 56 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS08N003CON SemiconductorNTMFS08N003C ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 22A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+6.77 EUR
Mindestbestellmenge: 23
NTMFS08N003ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V
auf Bestellung 62948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.5 EUR
10+ 11.57 EUR
100+ 9.64 EUR
500+ 8.51 EUR
1000+ 7.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTMFS08N003CON Semiconductor
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS08N003CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS08N003C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 147 A, 0.0026 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS08N003ConsemiMOSFETs PTNG 80/20V IN 5X6CLIP
auf Bestellung 2564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.61 EUR
10+ 9.66 EUR
25+ 9.57 EUR
100+ 8.64 EUR
250+ 8.55 EUR
500+ 8.01 EUR
1000+ 7.55 EUR
NTMFS08N003CON SemiconductorNTMFS08N003C ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 22A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS08N004CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 18A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS08N004CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 18A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS08N004CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS08N004C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0034 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS08N004CON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS08N004CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS08N004C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0034 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS08N2D5Consemi / FairchildMOSFETs PTNG 80V/20V N-Channel MOSFET
auf Bestellung 1574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.82 EUR
10+ 9.26 EUR
25+ 9.01 EUR
100+ 7.73 EUR
250+ 7.6 EUR
500+ 6.81 EUR
1000+ 5.86 EUR
NTMFS08N2D5CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS08N2D5C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 0.0022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS08N2D5ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 166A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
auf Bestellung 34995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.45 EUR
10+ 8.96 EUR
100+ 7.46 EUR
500+ 6.59 EUR
1000+ 5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTMFS08N2D5CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS08N2D5C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 0.0022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS08N2D5CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS08N2D5ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 166A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFS0D4N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 509A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8577 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D4N04XMT1GON SemiconductorNTMFS0D4N04XMT1G
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D4N04XMT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.42mohm, 509A, SO8-FL 5x6 Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.42mohm, 509A, SO8-FL 5x6
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.2 EUR
10+ 4.07 EUR
100+ 2.99 EUR
250+ 2.9 EUR
500+ 2.57 EUR
1000+ 2.34 EUR
1500+ 2.2 EUR
NTMFS0D4N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 509A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8577 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D55N03CGT1GonsemiMOSFETs MOSFET, Power, 30V N-Channel, SO8-FL
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.54 EUR
10+ 4.19 EUR
25+ 4.15 EUR
100+ 3.08 EUR
500+ 2.52 EUR
1500+ 2.34 EUR
NTMFS0D55N03CGT1GonsemiDescription: WIDE SOA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D55N03CGT1GON SemiconductorMOSFET, Power, 30V N Channel, SO8 FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D55N03CGT1GonsemiDescription: WIDE SOA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 15 V
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.58 EUR
10+ 4.32 EUR
100+ 3.04 EUR
500+ 2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTMFS0D5N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
auf Bestellung 4455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.75 EUR
10+ 3.99 EUR
100+ 3.23 EUR
500+ 2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTMFS0D5N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D5N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 464 A, 0.00043 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SO-8 FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS0D5N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
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NTMFS0D5N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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1500+2.46 EUR
3000+ 2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS0D5N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D5N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 464 A, 0.00043 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SO-8 FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS0D5N03CT1GonsemiMOSFETs MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL
auf Bestellung 5465 Stücke:
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1+4.14 EUR
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250+ 2.66 EUR
500+ 2.41 EUR
1000+ 2.39 EUR
NTMFS0D5N04XLT1GonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.49mohm, 455A, SO8-FL 5x6 Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.49m ohms, Logic Level, SO8-FL 5x6
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.04 EUR
10+ 5.07 EUR
25+ 4.79 EUR
100+ 4.1 EUR
250+ 3.87 EUR
500+ 3.64 EUR
1000+ 3.13 EUR
NTMFS0D5N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS0D5N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS0D5N04XMT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.52mohm, 414A, SO8-FL 5x6 Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.52mohm, 414A, SO8-FL 5x6
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.47 EUR
10+ 3.31 EUR
100+ 2.32 EUR
500+ 1.9 EUR
1000+ 1.87 EUR
1500+ 1.72 EUR
NTMFS0D6N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D6N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00052 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS0D6N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D6N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
auf Bestellung 3216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.61 EUR
10+ 3.84 EUR
100+ 3.05 EUR
500+ 2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTMFS0D6N03CT1GonsemiMOSFETs MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL
auf Bestellung 4754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.19 EUR
10+ 3.78 EUR
25+ 3.63 EUR
100+ 2.64 EUR
500+ 2.16 EUR
1500+ 2.01 EUR
NTMFS0D6N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 82
NTMFS0D6N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS0D6N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D6N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00052 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 520µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS0D6N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R
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NTMFS0D6N04XMT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.57mohm, 380A, SO8-FL 5x6 Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.57mohm, 380A, SO8-FL 5x6
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.1 EUR
10+ 3.03 EUR
100+ 2.16 EUR
500+ 1.74 EUR
1000+ 1.72 EUR
1500+ 1.56 EUR
NTMFS0D6N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5574 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D6N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5574 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D7N03CGT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS0D7N03CGT1GON SemiconductorN-Channel MOSFET
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NTMFS0D7N03CGT1GonsemiMOSFETs WIDE SOA
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+ 3.82 EUR
100+ 3.03 EUR
500+ 2.57 EUR
1500+ 1.99 EUR
NTMFS0D7N04XLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 349A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS0D7N04XLT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.7mohm, 349A, SO8-FL 5x6 Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.7mohm, 349A, SO8-FL 5x6
auf Bestellung 1468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.75 EUR
10+ 3.22 EUR
100+ 2.22 EUR
500+ 1.81 EUR
1500+ 1.63 EUR
NTMFS0D7N04XLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 349A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS0D7N04XMT1GonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.7mohm, 323A, SO8-FL 5x6 Power MOSFET, N-Channel, 40V, 0.7m ohms, SO8-FL 5x6
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 255-259 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+ 2.15 EUR
100+ 1.7 EUR
250+ 1.58 EUR
500+ 1.44 EUR
1000+ 1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTMFS0D8N02P1ET1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D8N02P1ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 365 A, 0.00044 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 365A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS0D8N02P1ET1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D8N02P1ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 365 A, 0.00044 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 365A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS0D8N02P1ET1GonsemiMOSFETs MOSFET, Power, 25V Single N-Channel, SO-8FL
auf Bestellung 1379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.36 EUR
10+ 3.85 EUR
100+ 3.29 EUR
250+ 3.26 EUR
500+ 3.04 EUR
1000+ 2.99 EUR
1500+ 2.73 EUR
NTMFS0D8N02P1ET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 13 V
auf Bestellung 16494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.37 EUR
10+ 5.72 EUR
100+ 4.69 EUR
500+ 3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTMFS0D8N02P1ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 55A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
auf Bestellung 2903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.05 EUR
78+ 1.88 EUR
79+ 1.79 EUR
80+ 1.7 EUR
100+ 1.54 EUR
250+ 1.46 EUR
500+ 1.32 EUR
1000+ 1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 74
NTMFS0D8N02P1ET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 13 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+3.37 EUR
3000+ 3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS0D8N03CT1GonsemiMOSFETs MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL
auf Bestellung 3772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+ 2.99 EUR
100+ 2.38 EUR
250+ 2.31 EUR
500+ 2.01 EUR
1000+ 1.99 EUR
1500+ 1.6 EUR
NTMFS0D8N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTMFS0D8N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
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NTMFS0D8N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 0.00062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 337A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS0D8N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
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NTMFS0D8N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.44 EUR
39+ 3.6 EUR
100+ 3.11 EUR
250+ 2.96 EUR
500+ 2.81 EUR
1000+ 2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 35
NTMFS0D8N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 0.00062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 337A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS0D8N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTMFS0D8N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
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NTMFS0D9N03CGT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6DFN
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NTMFS0D9N03CGT1GonsemiMOSFET WIDE SOA
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.1 EUR
10+ 3.4 EUR
100+ 2.69 EUR
250+ 2.57 EUR
500+ 2.27 EUR
1000+ 2.09 EUR
1500+ 1.78 EUR
NTMFS0D9N03CGT1GON Semiconductor30 V, Single N Channel Power Transistor
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NTMFS0D9N04XLT1GonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.9mohm, 278A, SO8-FL 5x6 Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.9mohm, 278A, SO8-FL 5x6
auf Bestellung 1453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.98 EUR
10+ 2.66 EUR
100+ 1.81 EUR
500+ 1.46 EUR
1500+ 1.28 EUR
3000+ 1.26 EUR
NTMFS0D9N04XMT1GON SemiconductorPower MOSFET, Single, N-Channel
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NTMFS0D9N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 20 V
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NTMFS0D9N04XMT1GON SemiconductorPower MOSFET, Single, N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D9N04XMT1GonsemiMOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 332-336 Tag (e)
2+2.6 EUR
10+ 2.15 EUR
100+ 1.67 EUR
500+ 1.42 EUR
1000+ 1.15 EUR
1500+ 1.09 EUR
3000+ 1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTMFS0D9N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 20 V
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NTMFS10N3D2ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 151A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6215 pF @ 50 V
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NTMFS10N3D2CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
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NTMFS10N3D2CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS10N3D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS10N3D2Consemi / FairchildMOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET
auf Bestellung 2425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.07 EUR
10+ 10.37 EUR
25+ 9.72 EUR
100+ 8.64 EUR
250+ 8.4 EUR
500+ 7.62 EUR
1000+ 6.55 EUR
NTMFS10N3D2ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 151A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6215 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS10N3D2CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS10N3D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS10N7D2CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS10N7D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS10N7D2Consemi / FairchildMOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.23 EUR
10+ 4.38 EUR
25+ 4.14 EUR
100+ 3.56 EUR
250+ 3.52 EUR
500+ 3.08 EUR
1000+ 2.69 EUR
NTMFS10N7D2ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFS10N7D2CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS10N7D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS10N7D2ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
auf Bestellung 14822 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.9 EUR
10+ 5.29 EUR
100+ 4.33 EUR
500+ 3.69 EUR
1000+ 3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTMFS10N7D2CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS1D15N03CGT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 43A/245A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 160µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 15 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.31 EUR
10+ 2.75 EUR
100+ 2.19 EUR
500+ 1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTMFS1D15N03CGT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 43A/245A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 160µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 15 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS1D15N03CGT1GON Semiconductor30 V, Single N Channel Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS1D15N03CGT1GonsemiMOSFETs WIDE SOA
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS1D15N03CGT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS1D1N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.00105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS1D1N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.00105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS1D3N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS1D3N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS1D7N03CGT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS1D7N03CGT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS1D7N03CGT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.00145 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS1D7N03CGT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, 30V N-CHANNEL, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.74mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 15 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.03 EUR
10+ 1.94 EUR
100+ 1.31 EUR
500+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTMFS1D7N03CGT1GonsemiMOSFETs MOSFET, Power, 30V N-Channel, SO8-FL
auf Bestellung 2038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.22 EUR
10+ 1.78 EUR
100+ 1.36 EUR
500+ 1.08 EUR
1000+ 0.98 EUR
1500+ 0.93 EUR
3000+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTMFS1D7N03CGT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS1D7N03CGT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.00145 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 87W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00145ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS1D7N03CGT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, 30V N-CHANNEL, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.74mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 15 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS23D9N06HLT1GON SemiconductorPower MOSFET 60 V, 23.9 mW, 23 A, Single N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS23D9N06HLT1GonsemiMOSFET T8 60V LOW COSS
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS2D1N08XT1GonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 1.9mohm, 201 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 1.9mohm, 201 A
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.63 EUR
10+ 3.03 EUR
100+ 2.41 EUR
250+ 2.31 EUR
500+ 2.02 EUR
1000+ 1.74 EUR
1500+ 1.64 EUR
NTMFS2D5N08XT1GonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 2.1mohm, 181 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 2.1mohm, 181 A
auf Bestellung 1758 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.63 EUR
10+ 2.71 EUR
100+ 1.97 EUR
250+ 1.95 EUR
500+ 1.57 EUR
1000+ 1.53 EUR
1500+ 1.43 EUR
NTMFS2D5N08XT1GON SemiconductorN-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS2D5N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 0.0021 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 181A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS2D5N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 213µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+ 2.74 EUR
100+ 1.89 EUR
500+ 1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTMFS2D5N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 0.0021 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 181A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS2D5N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 213µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS3D0N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 0.0026 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS3D0N08XT1GON SemiconductorN-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS3D0N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 0.0026 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS3D2N10MDT1GonsemiDescription: PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 316µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 50 V
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS3D2N10MDT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS3D2N10MDT1GonsemiDescription: PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 316µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 50 V
auf Bestellung 11565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.49 EUR
10+ 4.28 EUR
100+ 3.02 EUR
500+ 2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTMFS3D2N10MDT1GonsemiMOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 142A, 3.2mohm N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 142A, 3.5mohm
auf Bestellung 1587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+ 4.28 EUR
25+ 4.05 EUR
100+ 3.47 EUR
250+ 3.27 EUR
500+ 3.08 EUR
1000+ 2.64 EUR
NTMFS3D5N08XT1GON SemiconductorMOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate,SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS3D5N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS3D5N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 153µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS3D5N08XT1GonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 3.0mohm, 135 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 3.0mohm, 135 A
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 255-259 Tag (e)
2+2.6 EUR
10+ 2.08 EUR
100+ 1.51 EUR
500+ 1.25 EUR
1000+ 1.15 EUR
1500+ 1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTMFS3D5N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS3D5N08XT1GonsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 153µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.42 EUR
10+ 3.66 EUR
100+ 2.92 EUR
500+ 2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS3D6N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS3D6N10MCLT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 131A, 3.6mohm
auf Bestellung 25398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+ 3.43 EUR
100+ 2.53 EUR
500+ 2.08 EUR
1500+ 1.94 EUR
3000+ 1.92 EUR
NTMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS4108N
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4108NT1GON06+
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4108NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4108NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4108NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
auf Bestellung 15066 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
460+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 460
NTMFS4108NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4108NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4108NT3G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4108NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
auf Bestellung 14636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
460+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 460
NTMFS4119N
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4119NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
auf Bestellung 5358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
589+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 589
NTMFS4119NT1GON0737+ QFN8
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4119NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
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NTMFS4119NT1GONQFN8 0749+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4119NT1GON07+;
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4119NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
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NTMFS4119NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4119NT1GON2005
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4119NT1GON06+ QFN8
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4119NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
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NTMFS4119NT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4119NT3G - NTMFS4119NT3G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS4119NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
545+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 545
NTMFS4119NT3G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4120NON09+
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4120NT1
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4120NT1GON2005
auf Bestellung 1553 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4120NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 24 V
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NTMFS4120NT1GON
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4120NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 24 V
auf Bestellung 131261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
683+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 683
NTMFS4120NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4121NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.25mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 24 V
auf Bestellung 728470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
807+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 807
NTMFS4121NT1GonsemiMOSFET NFET 24A 30V 4.0MOH
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4121NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.25mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 24 V
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NTMFS4121NT1G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4121NT3G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4121NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
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NTMFS4122NT1GonsemiMOSFET NFET 23A 30V 4.6MO
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4122NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 5DFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4122NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 5DFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4122NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 5DFN
auf Bestellung 7228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTMFS4122NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 5DFN
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NTMFS4701NON07+ SO-8
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4701NONSO-8
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4701NT1GON
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4701NT1GonsemiMOSFET 30V 20A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4701NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.7A 5DFN
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NTMFS4701NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.7A SO8FL
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NTMFS4707NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A 5DFN
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NTMFS4707NT1GonsemiMOSFET 30V 17A N-Channel
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NTMFS4707NT1GON08+ QFN8
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4707NT1GON2005
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4707NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A 5DFN
auf Bestellung 46126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTMFS4707NT1GON07+;
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4707NT1GON0814+ QFN8
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4707NT3G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4707NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A SO8FL
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NTMFS4708N
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4708NT1GON2005 QFN
auf Bestellung 1138 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4708NT1GON07+;
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4708NT1GON09+
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4708NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.8A 5DFN
auf Bestellung 64433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTMFS4708NT1GON0732+
auf Bestellung 1169 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4708NT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4708NT3G - NTMFS4708NT3G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS4708NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.8A 5DFN
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTMFS4709NT1G
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4709NT3G
auf Bestellung 13516 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4741N
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4744NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4744NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4744NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
auf Bestellung 153685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTMFS4744NT1GON05+
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4744NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4744NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 53A 10MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4744NT3GonsemiMOSFET NFET 30V 53A 10MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4744NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTMFS4744NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4821NonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 58.8A 6.95
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4821NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 870mW (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4821NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 716 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4821NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 2349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
869+0.17 EUR
1019+ 0.14 EUR
1040+ 0.13 EUR
1099+ 0.12 EUR
1166+ 0.11 EUR
1243+ 0.096 EUR
1329+ 0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 869
NTMFS4821NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V TR
auf Bestellung 7004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTMFS4821NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 870mW (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 12 V
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.78 EUR
16+ 1.12 EUR
100+ 0.74 EUR
500+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NTMFS4821NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4821NT1G - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 13.8A, DFN-5
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 81458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS4821NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4821NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 2349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1040+0.15 EUR
1099+ 0.13 EUR
1166+ 0.12 EUR
1243+ 0.11 EUR
1329+ 0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 1040
NTMFS4821NT1GNTMFS4821NT3G4821N
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4821NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4823NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4823NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4823NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4823NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/30A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 32.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 15 V
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1099+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1099
NTMFS4823NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4823NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/30A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 32.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4823NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4825NFET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 15 V
auf Bestellung 5045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
173+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 173
NTMFS4825NFET1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4825NFET1G - MOSFET, N CH, W SCH, 30V, 17A, SO8FL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5200 Stücke:
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NTMFS4825NFET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 29A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4825NFET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 15 V
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NTMFS4825NFET1GonsemiMOSFET NFETFL 30V 171A 2mOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4825NFET3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 15 V
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NTMFS4825NFET3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 15 V
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NTMFS4826NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
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NTMFS4826NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
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NTMFS4826NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4826NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
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NTMFS4826NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4826NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
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NTMFS4827NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 58.5A SO-8FL
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NTMFS4827NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 58.5A SO-8FL
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NTMFS4827NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 58.5A SO-8FL
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NTMFS4827NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
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NTMFS4827NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
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NTMFS4827NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
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NTMFS4833NonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM
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NTMFS4833NAT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/191A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 12 V
auf Bestellung 16335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
165+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 165
NTMFS4833NAT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/191A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 12 V
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NTMFS4833NAT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM
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NTMFS4833NST1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 26A T/R
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NTMFS4833NST1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/156A SO-8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 86.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SO-8FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 12 V
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NTMFS4833NST1GonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, 30 V, 156 A, SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4833NST3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/156A SO-8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 86.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SO-8FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 12 V
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NTMFS4833NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 191A 2MOHM
auf Bestellung 8943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTMFS4833NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/156A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4833NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4833NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4833NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/156A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 12 V
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NTMFS4833NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4833NT3GON SemiconductorNTMFS4833NT3G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
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NTMFS4833NT3GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 191A 2MOHM
auf Bestellung 11144 Stücke:
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NTMFS4833NT3G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4833NT3GON SemiconductorNTMFS4833NT3G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.11 EUR
141+ 1.04 EUR
143+ 0.99 EUR
150+ 0.9 EUR
250+ 0.84 EUR
500+ 0.79 EUR
1000+ 0.71 EUR
3000+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 137
NTMFS4834NT1GON0806+
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4834NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4834NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 130A 3MOHM
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NTMFS4834NT1GON
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4834NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4834NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 86.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4834NT1GONQFN
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4834NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4834NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4835NT
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4835NT1G
Produktcode: 133508		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4835NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4835NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12 V
auf Bestellung 829741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
510+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 510
NTMFS4835NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4835NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4835NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4835NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 0.0025 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: SO-8 FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1024741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)