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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
MJW0281AonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 260V 150W NPN
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MJW0281ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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MJW0281AONTO-247 09+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW0281AonsemiDescription: TRANS NPN 260V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 150 W
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MJW0281AG
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW0281AGonsemiDescription: TRANS NPN 260V 15A TO-247
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MJW0281AGonsemiBipolar Transistors - BJT NPN DIP PWR XTOR
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MJW0302A
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW0302AonsemiDescription: TRANS PNP 260V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 150 W
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MJW0302AG
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW0302AGONSEMIDescription: ONSEMI - MJW0302AG - POWER BIPOLAR TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJW0302AGonsemiDescription: TRANS PNP 260V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 150 W
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MJW1102L
auf Bestellung 100 Stücke:
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MJW13003
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW13009
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW1302AonsemiDescription: TRANS PNP 230V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 200 W
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MJW1302AonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 250V 200W PNP
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MJW1302A
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW1302AGONSEMIDescription: ONSEMI - MJW1302AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJW1302AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJW1302AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJW1302AGonsemiDescription: TRANS PNP 230V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.49 EUR
30+ 5.15 EUR
120+ 4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJW1302AGonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 250V 200W PNP
auf Bestellung 1761 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.67 EUR
30+ 5.3 EUR
120+ 4.56 EUR
300+ 4.19 EUR
600+ 3.94 EUR
1200+ 3.5 EUR
MJW1302AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJW1302AMJW3281A
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW16010
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW16010
Produktcode: 47199		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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MJW16010A--TO-3PI 09+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW16018
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW16110
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW16206onsemiDescription: TRANS GP BJT NPN 500V 12A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.5A, 6.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10A, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-247
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 150 W
auf Bestellung 7717 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
98+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 98
MJW16206
auf Bestellung 2145 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW16212MotorolaDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 2.2A, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 10A, 5V
Frequency - Transition: 2.75MHz
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 150 W
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
61+7.78 EUR
Mindestbestellmenge: 61
MJW16212ON SEMICONDUCTORnpn 650V 10A 125W TO-247
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+8.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJW16212 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 29090		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJW18020onsemiBipolar Transistors - BJT 20A 450V 250W NPN
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MJW18020
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW18020GonsemiBipolar Transistors - BJT 30A 450V 250W NPN
auf Bestellung 2824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.16 EUR
10+ 9.24 EUR
30+ 6.78 EUR
600+ 6.67 EUR
MJW18020GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJW18020GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 30A; 250W; TO247-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 30A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Current gain: 4...34
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 13MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MJW18020GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW18020GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 30A; 250W; TO247-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 30A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Current gain: 4...34
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 13MHz
Produkt ist nicht verfügbar
MJW18020GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJW18020GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJW18020GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJW18020GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21191onsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21191onsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 3090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
329+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 329
MJW21191onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 100W PNP
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MJW21191
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW21191GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21191GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 100W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21191GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 3962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
329+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 329
MJW21192
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW21192onsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21192ONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21192 - MJW21192 - TRANSISTOR NPN 150V 8A TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJW21192onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 100W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21192GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 100W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21192GonsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21193onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21193onsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21193
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21193GonsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.79 EUR
10+ 6.56 EUR
100+ 4.74 EUR
500+ 3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJW21193GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21193G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250V, 16A, 200W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21193GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Collector current: 16A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 200W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 250V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21193GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W PNP
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.47 EUR
10+ 7.11 EUR
30+ 4.38 EUR
120+ 4.31 EUR
210+ 4.29 EUR
420+ 4.12 EUR
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21193GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Collector current: 16A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 200W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 250V
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21194
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW21194onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21194onsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21194GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
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2+9.79 EUR
10+ 6.56 EUR
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MJW21194GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21194GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 16A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Current gain: 8...80
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
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12+6.12 EUR
16+ 4.49 EUR
30+ 4.38 EUR
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MJW21194GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 16A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Current gain: 8...80
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.12 EUR
16+ 4.49 EUR
30+ 4.38 EUR
120+ 4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 12
MJW21194GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
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1050+ 4.54 EUR
MJW21194GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21194G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250V, 16A, 200W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 16 Stücke:
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MJW21194GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJW21194GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJW21195
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MJW21195onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W PNP
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MJW21195
Produktcode: 46846		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21195onsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21195GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W PNP
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1+7.23 EUR
10+ 7.16 EUR
30+ 5.72 EUR
120+ 5.02 EUR
420+ 3.85 EUR
MJW21195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJW21195GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 16A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21195GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250 V, 16 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 16A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJW21195GonsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 39 Stücke:
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3+7.25 EUR
30+ 5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJW21195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJW21195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJW21195GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 16A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MJW21195MJW21196
auf Bestellung 10000 Stücke:
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MJW21196
Produktcode: 46841		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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MJW21196
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW21196onsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21196onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21196GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21196G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 16A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21196GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
auf Bestellung 2517 Stücke:
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1+7.81 EUR
10+ 6 EUR
30+ 4.29 EUR
420+ 4.05 EUR
2520+ 3.85 EUR
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21196GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.69 EUR
10+ 5.8 EUR
100+ 4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW3281AonsemiDescription: TRANS NPN 230V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJW3281A
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJW3281AonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 230V 200W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MJW3281AGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW3281AGonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 230V 200W NPN
auf Bestellung 767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.6 EUR
10+ 5.56 EUR
30+ 3.96 EUR
300+ 3.5 EUR
MJW3281AGONSEMIDescription: ONSEMI - MJW3281AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 230 V, 15 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJW3281AGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW3281AGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW3281AGonsemiDescription: TRANS NPN 230V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 1545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.08 EUR
10+ 5.36 EUR
100+ 3.83 EUR
500+ 3.17 EUR
1000+ 2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3