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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
MJB18004D2T4
auf Bestellung 18400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJB41ConsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MJB41ConsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJB41C
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJB41CGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 1327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.03 EUR
50+1.97 EUR
100+1.77 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 5
MJB41CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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MJB41CG
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJB41CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.15 EUR
143+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 142
MJB41CGonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.17 EUR
10+1.58 EUR
100+1.51 EUR
250+1.50 EUR
500+1.39 EUR
950+1.18 EUR
MJB41CG
Produktcode: 179306		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJB41CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.15 EUR
143+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 142
MJB41CT4onsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MJB41CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
auf Bestellung 5369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.52 EUR
10+1.78 EUR
100+1.24 EUR
800+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJB41CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A
Übergangsfrequenz, PNP: -MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 65W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
597+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 597
MJB41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.05 EUR
1600+0.97 EUR
2400+0.92 EUR
4000+0.88 EUR
5600+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 800
MJB41CT4GAptina ImagingTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.95 EUR
1600+0.82 EUR
2400+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 800
MJB41CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A
Übergangsfrequenz, PNP: -MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 65W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.96 EUR
1600+0.82 EUR
2400+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 800
MJB41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 6084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.27 EUR
10+2.09 EUR
100+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MJB42ConsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
MJB42CT4
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MJB42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 2405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.71 EUR
11+1.73 EUR
100+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 7
MJB42CT4GON Semiconductor
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJB42CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W PNP
auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.46 EUR
100+1.19 EUR
500+1.18 EUR
800+0.82 EUR
2400+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJB42CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJB42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+0.86 EUR
1600+0.79 EUR
2400+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 800
MJB42CT4GON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJB42CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJB44H11onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MJB44H11onsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
Produkt ist nicht verfügbar
MJB44H11GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
950+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 950
MJB44H11GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.47 EUR
50+1.67 EUR
100+1.50 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
Produkt ist nicht verfügbar
MJB44H11GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
auf Bestellung 9918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.08 EUR
100+1.01 EUR
500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
Produkt ist nicht verfügbar
MJB44H11GAptina ImagingTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
950+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 950
MJB44H11GON-SemicoductorNPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 25
MJB44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJB44H11T4 Transistor
Produktcode: 58814		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MJB44H11T4ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MJB44H11T4
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJB44H11T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJB44H11T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - Pre-Biased 80V Low Voltage NPN 5V VEBO 10A IC 50W
Produkt ist nicht verfügbar
MJB44H11T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.08 EUR
10+1.96 EUR
100+1.32 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsDigital Transistors Automotive-grade low volt NPN power transistor
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MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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MJB44H11T4-ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJB44H11T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2000+0.88 EUR
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MJB44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Mindestbestellmenge: 1000
MJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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105+1.50 EUR
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250+1.03 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 104
MJB44H11T4GON Semiconductor
auf Bestellung 11860 Stücke:
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MJB44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJB44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 20800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.13 EUR
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2400+0.99 EUR
4000+0.94 EUR
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MJB44H11T4GAptina ImagingTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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1600+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 800
MJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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72+2.28 EUR
104+1.52 EUR
105+1.45 EUR
136+1.07 EUR
250+0.99 EUR
500+0.90 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 72
MJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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1600+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 800
MJB44H11T4GON09+ SOP
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MJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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800+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 800
MJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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MJB44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJB44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 21354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.48 EUR
10+2.22 EUR
100+1.50 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Mindestbestellmenge: 800
MJB44H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
auf Bestellung 1284 Stücke:
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1+2.96 EUR
10+1.95 EUR
100+1.37 EUR
500+1.34 EUR
800+1.05 EUR
MJB45H11Welwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
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MJB45H11onsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJB45H11onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
MJB45H11
auf Bestellung 4336 Stücke:
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MJB45H11GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 1367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.71 EUR
50+1.42 EUR
100+1.29 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 7
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJB45H11G
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJB45H11GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJB45H11GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
auf Bestellung 10151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.66 EUR
10+1.19 EUR
100+1.09 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJB45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJB45H11G
Produktcode: 105006		ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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MJB45H11T4
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJB45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJB45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.01 EUR
10+1.92 EUR
100+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MJB45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MJB45H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
auf Bestellung 4690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.50 EUR
10+1.70 EUR
100+1.19 EUR
800+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJB45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJB45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJB45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 800
MJB45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MJB45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MJB45H11TG4
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJB5742T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MJB5742T4GON Semiconductor
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJB5742T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 400V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4A, 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 16919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.61 EUR
10+3.88 EUR
100+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
MJB5742T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.31 EUR
44+3.59 EUR
45+3.40 EUR
100+2.59 EUR
250+2.40 EUR
Mindestbestellmenge: 38
MJB5742T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MJB5742T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 400V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4A, 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 16800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.79 EUR
1600+2.39 EUR
2400+2.25 EUR
5600+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 800
MJB5742T4GonsemiDarlington Transistors BIP D2PAK XSTR TR
auf Bestellung 1528 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.56 EUR
10+3.54 EUR
100+2.69 EUR
800+2.46 EUR
2400+2.25 EUR
MJB_AccelerometerGOWIN SemiconductorGOWIN Semiconductor
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MJB_Camera_V2.1GOWIN SemiconductorCamera Development Tools
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MJB_MicGOWIN SemiconductorArray
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MJB_V1.2GOWIN SemiconductorProgrammable Logic IC Development Tools
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