Produkte > FF9
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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| FF9-40A-R12B | DDK | 06+ | auf Bestellung 11286 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF9-50A-R12B | DDK | 06+ | auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF900R12IE4 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA Power dissipation: 5.1kW Electrical mounting: screw Type of module: IGBT Case: AG-PRIME2-1 Technology: PrimePACK™ 2 Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IE4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 900A | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF900R12IE4 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA Power dissipation: 5.1kW Electrical mounting: screw Type of module: IGBT Case: AG-PRIME2-1 Technology: PrimePACK™ 2 Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IE4 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100000mW 10-Pin PRIME2-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF900R12IE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100000mW 10-Pin PRIME2-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IE4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF900R12IE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IE4PBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 900A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF900R12IE4PBOSA1 | Infineon Technologies | 1200V PrimePACK 2 dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode, NTC and pre-applied Thermal Interface Material. | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IE4PBOSA1 | Infineon Technologies | 1200V PrimePACK 2 dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode, NTC and pre-applied Thermal Interface Material. | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IE4PBOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules N | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF900R12IE4V | Infineon Technologies | IGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF900R12IE4VBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IE4VBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF900R12IE4VBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100000mW Automotive 10-Pin PRIME2-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IE4VBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IE4VPBOSA1 | Infineon Technologies | High Reliability IGBT Modules IC | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IE4VPBOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors PP IHM I | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IE4VPBOSA1 | Infineon Technologies | Description: PP, IHM I, XHP 1,7KV Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF900R12IP4 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100000mW 8-Pin PRIME2-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT-MODULE | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 108-112 Tag (e) |
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| FF900R12IP4 Produktcode: 86731 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
| FF900R12IP4B60BOSA1 | Infineon Technologies | FF900R12IP4B60BOSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4B60BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules N | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4B60BOSA1 | Infineon Technologies | Description: PP IHM I Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4BOSA2 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF900R12IP4BOSA2 | Infineon Technologies | Diode Module with Chopper-IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4BOSA2 | Infineon Technologies | Diode Module with Chopper-IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4BOSA2 | Infineon Technologies | Diode Module with Chopper-IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4BOSA2 | Infineon Technologies | IGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4D | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100000mW 10-Pin PRIME2-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4D | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 900A | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF900R12IP4DBOSA2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4DBOSA2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100000mW Automotive Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4DBOSA2 | Infineon Technologies | IGBT Modules PP IHM I | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4DBOSA2 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4DV | Infineon Technologies | IGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4DVBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4DVBOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4DVBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF900R12IP4P | Infineon Technologies | IGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4PB60BPSA1 | Infineon Technologies | FF900R12IP4PB60BPSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4PB60BPSA1 | Infineon Technologies | Description: PP IHM I Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4PB60BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules PP IHM I | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4PBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 900A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4PBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A Automotive Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4PBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 900A Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V | auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF900R12IP4PBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A Automotive Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4V | Infineon Technologies | IGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4VBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4VBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100000mW 10-Pin PRIME2-1 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12IP4VBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V | auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF900R12ME7B11BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF900R12ME7B11BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA Electrical mounting: Press-Fit; screw Type of module: IGBT Case: AG-ECONOD-5 Technology: TRENCHSTOP™ Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12ME7B11BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 11-Pin AG-ECONOD Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12ME7B11BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 900A | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF900R12ME7B11BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA Electrical mounting: Press-Fit; screw Type of module: IGBT Case: AG-ECONOD-5 Technology: TRENCHSTOP™ Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor Anzahl je Verpackung: 6 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12ME7B11BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 11-Pin AG-ECONOD Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12ME7B11NPSA1 | Infineon Technologies | SP005422550 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12ME7B11NPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD-3 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 122 nF @ 25 V | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF900R12ME7B11NPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 11-Pin ECONOD-3 Tray | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF900R12ME7B11NPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 11-Pin ECONOD-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12ME7B11NPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules N | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF900R12ME7B11NPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF900R12ME7B11NPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 900 A, 1.5 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Dauer-Kollektorstrom: 900A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoDUAL 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 900A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF900R12ME7B11NPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 11-Pin ECONOD-3 Tray | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF900R12ME7PB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Module Trench Stop | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12ME7PB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules N | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF900R12ME7PB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF900R12ME7PB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 875 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Dauer-Kollektorstrom: 875A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Module Produktpalette: EconoDUAL 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF900R12ME7PB11BPSA1 | Infineon Technologies | PLUG HE13 IDC 90 3 P TUBE | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12ME7PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 900A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-ECONOD IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 122 nF @ 25 V | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF900R12ME7WB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 890A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12ME7WB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 890 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 122 nF @ 25 V | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF900R12ME7WB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 890A 11-Pin ECONOD-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R12ME7WB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules N | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF900R12ME7WB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF900R12ME7WB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 890 A, 1.5 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Dauer-Kollektorstrom: 890A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoDual 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 890A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF900R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 900A 11-Pin ECONOD-3 Tray | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF900R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules N | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF900R17ME7B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF900R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 900 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 900A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 20mW euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 900A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF900R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | SP005423488 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 93.8 nF @ 25 V | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF900R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 900A 11-Pin ECONOD-3 Tray | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF900R17ME7PB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R17ME7PB11BPSA1 | Infineon Technologies | SP005630175 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R17ME7PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R17ME7PB11BPSA1 | Infineon Technologies | FF900R17ME7PB11BPSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF900R17ME7WB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 93800 pF @ 25 V | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF900R17ME7WB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF900R17ME7WB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 800 A, 1.67 V, 20 mW, 175 °C, Module tariffCode: 85044095 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.67V Dauer-Kollektorstrom: 800A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Module Produktpalette: EconoDUAL 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| FF900R17ME7WB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules N | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 150-154 Tag (e) |
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| FF900R17ME7WB11BPSA1 | Infineon Technologies | FF900R17ME7WB11BPSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF90FF | Belden Inc. | Description: RIGHT ANGLE F61 CONNECTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF90FM | Belden Inc. | Description: RIGHT ANGLE F CONNECTOR Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF92 | EBM Papst | Thrml Mgmt Access Fan Filter Guard 92mm | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| FF92 | ebm-papst | Fan Accessories Fan Filter Finger Guard Grille, 92x92mm | auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF92 | ebm-papst Inc. | Description: FAN FILTER ASSEMBLY 92MM Packaging: Box Material: Polycarbonate (PC) Fan Accessory Type: Filter Guard Assembly Fits Fan Size: 92mm Sq Part Status: Active | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF93525 | auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |