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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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2SC2625 | FUJI ELECTRIC |
NPN 10A 400V 80W 2SC2625 T2SC2625 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FMV30N60S1 | FUJI ELECTRIC |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VLA517-01R | FUJI ELECTRIC |
Description: FUJI ELECTRIC - VLA517-01R - Galvanisch isolierter Gate-Treiber für IGBTs oder MOSFETs, 4A, SIP-15 IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 60 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): - Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: SIP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: - Anzahl der Pins: 15 Produktpalette: - IGBT-Konfiguration: Einfach Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 4 Betriebstemperatur, max.: 60 SVHC: To Be Advised |
Produkt ist nicht verfügbar |
2SC2625 |
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 4.84 EUR |
FMV30N60S1 |
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Hersteller: FUJI ELECTRIC
Description: FUJI ELECTRIC - FMV30N60S1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.106 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Description: FUJI ELECTRIC - FMV30N60S1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.106 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)VLA517-01R |
Hersteller: FUJI ELECTRIC
Description: FUJI ELECTRIC - VLA517-01R - Galvanisch isolierter Gate-Treiber für IGBTs oder MOSFETs, 4A, SIP-15
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 60
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: SIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Anzahl der Pins: 15
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Einfach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 60
SVHC: To Be Advised
Description: FUJI ELECTRIC - VLA517-01R - Galvanisch isolierter Gate-Treiber für IGBTs oder MOSFETs, 4A, SIP-15
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 60
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: SIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Anzahl der Pins: 15
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Einfach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 60
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar