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Si9433BDY-T1-E3 транзистор

Produktcode: 202907
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si9433bd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.58 EUR
5000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI9433BDY-T1-E3 SI9433BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay si9433bd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
186+0.83 EUR
187+ 0.8 EUR
188+ 0.76 EUR
219+ 0.63 EUR
250+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 186
SI9433BDY-T1-E3 SI9433BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay si9433bd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
167+0.93 EUR
186+ 0.8 EUR
187+ 0.77 EUR
188+ 0.73 EUR
219+ 0.61 EUR
250+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 167
SI9433BDY-T1-E3 SI9433BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay si9433bd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si9433bd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 9475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+1.39 EUR
16+ 1.14 EUR
100+ 0.89 EUR
500+ 0.75 EUR
1000+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors si9433bd.pdf MOSFET 20V 6.2A 0.04Ohm
auf Bestellung 23181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.41 EUR
10+ 1.15 EUR
100+ 0.89 EUR
500+ 0.76 EUR
25000+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Hersteller : VISHAY SI9433BDY-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1343 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
37+1.96 EUR
67+ 1.07 EUR
80+ 0.9 EUR
85+ 0.84 EUR
500+ 0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Hersteller : VISHAY SI9433BDY-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1343 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
37+1.96 EUR
67+ 1.07 EUR
80+ 0.9 EUR
85+ 0.84 EUR
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Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Hersteller : VISHAY SI9433BDY-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
37+1.96 EUR
67+ 1.07 EUR
80+ 0.9 EUR
85+ 0.84 EUR
500+ 0.82 EUR
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Si9433BDY-T1-E3 Hersteller : Siliconix si9433bd.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3; SI9433BDY TSI9433bdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 20
SI9433BDYT1E3 Hersteller : VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI9433BDY-T1-E3 SI9433BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay 72755.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R
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Si9433BDY-T1-E3 Hersteller : VISHAY si9433bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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