Suchergebnisse für "fdb3632." : 10

Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ohne MwSt
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.53 EUR
1600+ 3.12 EUR
3200+ 2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 800
FDB3632 FDB3632 ONSEMI 2304074.pdf Description: ONSEMI - FDB3632 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0075 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB80NF10T4 STB80NF10T4 STMicroelectronics stp80nf10-1851394.pdf MOSFET N-Ch 100 Volt 80 Amp
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.44 EUR
10+ 4.58 EUR
100+ 3.7 EUR
500+ 3.29 EUR
1000+ 2.66 EUR
2000+ 2.64 EUR
FDB3632 FDB3632 ONSEMI FDB3632.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDB3632-F085 FDB3632-F085 ON Semiconductor fdb3632_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDB3632-F101 FDB3632-F101 ON Semiconductor fdb3632_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDB3632-SN00239 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+3.53 EUR
1600+ 3.12 EUR
3200+ 2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 800
FDB3632 2304074.pdf
FDB3632
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB3632 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0075 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB80NF10T4 stp80nf10-1851394.pdf
STB80NF10T4
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 100 Volt 80 Amp
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+5.44 EUR
10+ 4.58 EUR
100+ 3.7 EUR
500+ 3.29 EUR
1000+ 2.66 EUR
2000+ 2.64 EUR
FDB3632 FDB3632.pdf
FDB3632
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDB3632-F085 fdb3632_f085-d.pdf
FDB3632-F085
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDB3632-F101 fdb3632_f085-d.pdf
FDB3632-F101
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDB3632-SN00239 fdp3632-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A T/R
Produkt ist nicht verfügbar