BF1005E6327 Infineon
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ RF (up to 1 GHz) N-MOSFET SOT143 Udss=8V; Id=0,025A; Pdmax=0,2W; двухзатворный, Gp=19 dB
Транз. Пол. ММ RF (up to 1 GHz) N-MOSFET SOT143 Udss=8V; Id=0,025A; Pdmax=0,2W; двухзатворный, Gp=19 dB
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Technische Details BF1005E6327 Infineon
Транз. Пол. ММ RF (up to 1 GHz) N-MOSFET SOT143 Udss=8V; Id=0,025A; Pdmax=0,2W; двухзатворный, Gp=19 dB.
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| BF 1005 E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
 RF MOSFET Transistors Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
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