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07+ SOT-252

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SUD06N10-225L

SOT-252

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SUD06N10-225L-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252

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SUD06N10-225L-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD06N10-225L-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252

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SUD06N10-225L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD06N10-225L-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252AA

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SUD06N10-225L-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252AA

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SUD06N10-22L

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SUD06N10-255L

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SUD08P06-155L

SOT-252

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SUD08P06-155L

07+ SOT-252

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SUD08P06-155L-BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

auf Bestellung 2144 Stücke:

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11+	1.62 EUR
14+	1.32 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SUD08P06-155L-BE3

SUD08P06-155L-BE3

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SUD08P06-155L-BE3

MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)

auf Bestellung 109898 Stücke:

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2+	1.59 EUR
10+	1.3 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.7 EUR
2000+	0.64 EUR
4000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUD08P06-155L-BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

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SUD08P06-155L-BE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8.4A 4-Pin(3+Tab) TO-252

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SUD08P06-155L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

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SUD08P06-155L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD08P06-155L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

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SUD08P06-155L-E3

auf Bestellung 2000 Stücke:

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SUD08P06-155L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD08P06-155L-GE3

Description: VISHAY - SUD08P06-155L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2992 Stücke:

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SUD08P06-155L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 6000 Stücke:

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SUD08P06-155L-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET

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SUD08P06-155L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD08P06-155L-GE3

auf Bestellung 2992 Stücke:

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SUD08P06-155L-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

auf Bestellung 19648 Stücke:

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11+	1.62 EUR
14+	1.32 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SUD08P06-155L-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SUD08P06-155L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD08P06-155L-GE3

MOSFET -30V 0.155ohm@-10V -8.4A P-CH

auf Bestellung 17336 Stücke:

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2+	1.59 EUR
10+	1.3 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.7 EUR
2000+	0.64 EUR
4000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUD08P06-155L-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.67 EUR
6000+	0.63 EUR
10000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD08P06-155L-T4E3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

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SUD08P06-1S5L-E3

auf Bestellung 248 Stücke:

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SUD09P10-195-BE3

Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V

auf Bestellung 1974 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.53 EUR
13+	1.36 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SUD09P10-195-BE3

MOSFET 100V P-CH MOSFET (D-S)

auf Bestellung 134945 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.36 EUR
10+	1.12 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.6 EUR
2000+	0.55 EUR
4000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SUD09P10-195-BE3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 4-Pin(3+Tab) TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

SUD09P10-195-BE3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 4-Pin(3+Tab) TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

SUD09P10-195-BE3

Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V

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SUD09P10-195-BE3

SUD09P10-195-BE3 SMD P channel transistors

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SUD09P10-195-GE3

MOSFET -100V 195mOhms@ 10V -8.8A

auf Bestellung 15319 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.42 EUR
10+	1.24 EUR
100+	1 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.71 EUR
4000+	0.68 EUR
10000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUD09P10-195-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SUD09P10-195-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD09P10-195-GE3

SUD09P10-195-GE3 SMD P channel transistors

auf Bestellung 1994 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

67+	1.07 EUR
118+	0.61 EUR
125+	0.58 EUR
2000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 67

SUD09P10-195-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 620 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

106+	1.46 EUR
125+	1.2 EUR
145+	0.99 EUR
200+	0.9 EUR
500+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 106

SUD09P10-195-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V

auf Bestellung 27427 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.37 EUR
16+	1.12 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SUD09P10-195-GE3

Description: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - MOSFET, P-CH, -100V, -8.8A, 150DEG C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

auf Bestellung 1976 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD09P10-195-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SUD09P10-195-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.57 EUR
6000+	0.54 EUR
10000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD10P06

auf Bestellung 3212 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD10P06-280L

09+ SSOP20

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD10P06-280L

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD10P06-280L

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD10P06-280L

MOSFET 60V 10A 37W

Produkt ist nicht verfügbar

SUD10P06-280L

Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD10P06-280L-E3

auf Bestellung 682 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD10P06-280L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD08P06-155LGE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUD10P06-280L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD10P06-280L-T4

MOSFET 60V P-CH 280MOHM 8M LOWVT

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SUD10P06-280L-T4E3

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SUD10P06-28DL

auf Bestellung 3666 Stücke:

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SUD10P06-28L

auf Bestellung 35000 Stücke:

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SUD12NE06

auf Bestellung 3000 Stücke:

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SUD15N015-95

auf Bestellung 45000 Stücke:

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SUD15N06

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD15N06

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD15N06-90L

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD15N06-90L

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD15N06-90L-E3

auf Bestellung 1000 Stücke:

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SUD15N06-90L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD15N15-95

09+ TSSOP

auf Bestellung 2500 Stücke:

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SUD15N15-95

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD15N15-95

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD15N15-95-BE3

Description: MOSFET N-CH 150V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD15N15-95-BE3

MOSFET 150V N-CH (D-S) 175 DEG.C

auf Bestellung 3587 Stücke:

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1+	3.47 EUR
10+	2.89 EUR
100+	2.29 EUR
500+	2.27 EUR

SUD15N15-95-BE3

Description: MOSFET N-CH 150V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

auf Bestellung 6310 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.48 EUR
10+	2.9 EUR
100+	2.3 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SUD15N15-95-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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SUD15N15-95-E3

Description: VISHAY - SUD15N15-95-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15 A, 0.077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 6102 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD15N15-95-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	1.57 EUR
6000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD15N15-95-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 15A; Idm: 25A; 62W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SUD15N15-95-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT SUD15N15-95

auf Bestellung 21328 Stücke:

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1+	3.2 EUR
10+	2.73 EUR
100+	2.25 EUR
250+	2.2 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.67 EUR

SUD15N15-95-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

auf Bestellung 6643 Stücke:

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6+	3.48 EUR
10+	2.9 EUR
100+	2.3 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SUD15N15-95-E3

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SUD15N15-T1-E3

auf Bestellung 1182 Stücke:

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SUD15P01-52

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD15P01-52

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD15P01-52-E3

auf Bestellung 2000 Stücke:

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SUD15P02-52

auf Bestellung 200 Stücke:

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SUD17N25-165

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD17N25-165

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD17N25-165-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO252

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SUD17N25-165-E3

auf Bestellung 29000 Stücke:

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SUD17N25-165-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO252

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SUD17N25-165-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD19N20

auf Bestellung 3000 Stücke:

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SUD19N20-90

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD19N20-90

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD19N20-90-BE3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD19N20-90-BE3

Description: MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

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SUD19N20-90-BE3

MOSFET N-CHANNEL 200V (D-S

auf Bestellung 2732 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.8 EUR
10+	4 EUR
100+	3.17 EUR
250+	2.92 EUR
500+	2.68 EUR
1000+	2.27 EUR
2000+	2.16 EUR

SUD19N20-90-BE3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD19N20-90-BE3

Description: MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

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SUD19N20-90-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD19N20-90-E3

Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 3
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

SUD19N20-90-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

auf Bestellung 1098 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.86 EUR
10+	4.04 EUR
100+	3.21 EUR
500+	2.72 EUR
1000+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SUD19N20-90-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 136W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SUD19N20-90-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SUD19N20-90-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD19N20-90-E3

Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 19
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

SUD19N20-90-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

auf Bestellung 1098 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

SUD19N20-90-E3

MOSFET 200V N-CH (D-S) 175 DEG.C

auf Bestellung 2481 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.75 EUR
10+	4.01 EUR
100+	3.19 EUR
250+	3.04 EUR
500+	2.69 EUR
1000+	2.32 EUR

SUD19N20-90-E3
Produktcode: 154670

Transistoren > MOSFET N-CH

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SUD19N20-90-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD19N20-90-T4-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SUD19N20-90-T4-E3

auf Bestellung 2300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD19N20-90-T4-E3

MOSFET N-CH 200V 19A

Produkt ist nicht verfügbar

SUD19N20-90-T4-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SUD19P06

auf Bestellung 35000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD19P06-60-BE3

MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)

auf Bestellung 15362 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.85 EUR
10+	1.52 EUR
100+	1.18 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.81 EUR
2000+	0.76 EUR
4000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUD19P06-60-BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

auf Bestellung 5741 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.87 EUR
12+	1.53 EUR
100+	1.19 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SUD19P06-60-BE3

SUD19P06-60-BE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUD19P06-60-BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD19P06-60-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD19P06-60-E3

SUD19P06-60-E3 SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SUD19P06-60-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252

Produkt ist nicht verfügbar

SUD19P06-60-E3
Produktcode: 75848

Verschiedene Bauteile > Other components 3

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SUD19P06-60-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD19P06-60-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD19P06-60-E3

MOSFET 60V 19A 38.5W

auf Bestellung 34547 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.85 EUR
10+	1.52 EUR
100+	1.18 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.81 EUR
2000+	0.73 EUR
4000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUD19P06-60-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252

Produkt ist nicht verfügbar

SUD19P06-60-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD19P06-60-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

auf Bestellung 68000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.76 EUR
6000+	0.73 EUR
10000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD19P06-60-GE3

Description: VISHAY - SUD19P06-60-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.3 A, 0.048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 18.3
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 38.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 38.5
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 7538 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD19P06-60-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD19P06-60-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.19A; 2.3W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.19A
Power dissipation: 2.3W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	7.95 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SUD19P06-60-GE3

MOSFET 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V

auf Bestellung 16406 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.06 EUR
10+	1.83 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUD19P06-60-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD19P06-60-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

auf Bestellung 70063 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.83 EUR
12+	1.51 EUR
100+	1.17 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SUD19P06-60-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD19P06-60-GE3

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9+	7.95 EUR
24+	2.97 EUR
65+	1.1 EUR

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SUD19P06-60L

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD19P06-60L

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD19P06-60L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 2820 Stücke:

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100+	1.56 EUR
101+	1.48 EUR
131+	1.1 EUR
250+	1.05 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 100

SUD19P06-60L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 19A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.85 EUR
6000+	0.81 EUR
10000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD19P06-60L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -19A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 46W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke

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SUD19P06-60L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD19P06-60L-E3

auf Bestellung 1630 Stücke:

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SUD19P06-60L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD19P06-60L-E3

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SUD19P06-60L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 19A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

auf Bestellung 21426 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.06 EUR
11+	1.68 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SUD19P06-60L-E3

MOSFET 60V 19A 46W 60mohm @ 10V

auf Bestellung 47654 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.06 EUR
10+	1.69 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUD19P06-60L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 2820 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

81+	1.91 EUR
100+	1.5 EUR
101+	1.43 EUR
131+	1.06 EUR
250+	1.01 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.59 EUR

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SUD19P0660

auf Bestellung 9300 Stücke:

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SUD19P0660L

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD20N10-66L-BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V

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SUD20N10-66L-BE3

MOSFET 100V N-CH TO-252

auf Bestellung 15885 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.34 EUR
10+	1.17 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.57 EUR
2000+	0.52 EUR
4000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SUD20N10-66L-BE3

SUD20N10-66L-BE3

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SUD20N10-66L-BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.36 EUR
15+	1.17 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SUD20N10-66L-GE3

MOSFET N-Channel 100-V D-S

auf Bestellung 5915 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.34 EUR
10+	1.17 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.57 EUR
2000+	0.51 EUR
4000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SUD20N10-66L-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 16.9A; Idm: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke

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SUD20N10-66L-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V

auf Bestellung 4493 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.36 EUR
15+	1.17 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SUD20N10-66L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD20N10-66L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD20N10-66L-GE3

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SUD20N10-66L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD20N10-66L-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD20N10-66L-GE3

SUD20N10-66L-GE3 Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 605 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD20N10-66L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD23N06-31

10+ TSSOP8

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD23N06-31-BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 4-Pin(3+Tab) TO-252

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SUD23N06-31L-E3
Produktcode: 75849

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

SUD23N06-31-BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

auf Bestellung 1939 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.53 EUR
14+	1.26 EUR
100+	0.98 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SUD23N06-31-BE3

Description: VISHAY - SUD23N06-31-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 21.4A, TO-252
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 21.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 31.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 31.25
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: Lead

Produkt ist nicht verfügbar

SUD23N06-31-BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S)

auf Bestellung 947 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.52 EUR
10+	1.25 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.67 EUR
2000+	0.62 EUR
4000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUD23N06-31-BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUD23N06-31-BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 4-Pin(3+Tab) TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

SUD23N06-31-GE3

Description: VISHAY - SUD23N06-31-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21.4 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.25W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 1944 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD23N06-31-GE3

MOSFET N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V

auf Bestellung 22549 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.52 EUR
10+	1.25 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.67 EUR
2000+	0.61 EUR
4000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUD23N06-31-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD23N06-31-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD23N06-31-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

auf Bestellung 7977 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.53 EUR
14+	1.26 EUR
100+	0.98 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SUD23N06-31-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD23N06-31-GE3

auf Bestellung 1944 Stücke:

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SUD23N06-31-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17.1A
Power dissipation: 31.25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1769 Stücke:

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65+	1.12 EUR
78+	0.93 EUR
117+	0.61 EUR
124+	0.58 EUR

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SUD23N06-31-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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117+	1.33 EUR
137+	1.09 EUR
160+	0.9 EUR
200+	0.82 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.66 EUR

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SUD23N06-31-GE3

auf Bestellung 1769 Stücke:

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65+	1.12 EUR
78+	0.93 EUR
117+	0.61 EUR
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Mindestbestellmenge: 65

SUD23N06-31-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

auf Bestellung 7825 Stücke:

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2000+	0.64 EUR
6000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD23N06-31-T4-GE3

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SUD23N06-31-T4-GE3

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8+	2.2 EUR
10+	1.8 EUR
100+	1.4 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	0.97 EUR

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SUD23N06-31-T4-GE3

MOSFET N-Channel 60-V (D-S)

auf Bestellung 2355 Stücke:

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2+	2.18 EUR
10+	1.78 EUR
100+	1.39 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	0.96 EUR
2500+	0.9 EUR
5000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUD23N06-31L

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD23N06-31L

MOSFET 60V 23A 100W

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SUD23N06-31L

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD23N06-31L-E3

MOSFET 60V 23A 100W

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SUD23N06-31L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD23N06-31L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUD23N06-31L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUD23N06-31L-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

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12+	1.57 EUR
14+	1.28 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.69 EUR

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SUD23N06-31L-T4-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD23N06-31L-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

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2500+	0.65 EUR

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SUD23N06-31L-T4-E3

MOSFET N-CH 60-V (D-S) 175C Logic Level

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SUD23N06-31L-T4BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 4-Pin(3+Tab) TO-252

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SUD23N06-31L-T4BE3

MOSFET 60V N-CHANNEL

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2+	1.59 EUR
10+	1.29 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.77 EUR
5000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUD23N06-31L-T4BE3

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SUD23N06-31L-T4BE3

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SUD25N04

auf Bestellung 45000 Stücke:

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SUD25N04-25

07+ SOT-252

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SUD25N04-25

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD25N04-25-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD25N04-25-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO252

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SUD25N04-25-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO252

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SUD25N05-45L

auf Bestellung 1000 Stücke:

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SUD25N06-45L

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SUD25N06-45L

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD25N06-45L

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD25N06-45L
Produktcode: 133238

Transistoren > MOSFET N-CH

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SUD25N06-45L

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD23N06-31-GE3

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SUD25N06-45L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD25N06-45L-E3

MOSFET 60V 25A 50W

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SUD25N06-45L-E3

10+ SOP

auf Bestellung 12000 Stücke:

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SUD25N06-45L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD25N06-45L-T4

MOSFET 60V N-CH LOGIC LEVEL

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SUD25N15-52

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD25N15-52

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD25N15-52-E3

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SUD25N15-52

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD25N15-52-BE3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD25N15-52-BE3

MOSFET 150V N-CH (D-S) 175 DEG.C

auf Bestellung 7683 Stücke:

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1+	3.96 EUR
10+	3.29 EUR
100+	2.62 EUR
500+	2.22 EUR
1000+	1.88 EUR

SUD25N15-52-BE3

Trans MOSFET N-CH 150V 25A

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SUD25N15-52-BE3

SUD25N15-52-BE3

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SUD25N15-52-BE3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V

auf Bestellung 5390 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.89 EUR
10+	3.22 EUR
100+	2.57 EUR
500+	2.17 EUR
1000+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SUD25N15-52-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD25N15-52-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD25N15-52-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD25N15-52-E3

Description: VISHAY - SUD25N15-52-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2491 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD25N15-52-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 50A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SUD25N15-52-E3

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SUD25N15-52-E3

MOSFET 150V 25A 136W 52mohm @ 10V

auf Bestellung 4839 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.96 EUR
10+	3.47 EUR
100+	2.8 EUR
250+	2.69 EUR
500+	2.34 EUR
1000+	1.95 EUR
2000+	1.88 EUR

SUD25N15-52-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD25N15-52-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V

auf Bestellung 2354 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.92 EUR
10+	3.26 EUR
100+	2.6 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SUD25N15-52-T4-E3

MOSFET N-Channel 150-V D-S

Produkt ist nicht verfügbar

SUD25N15-52-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V

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SUD30N03

auf Bestellung 145 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD30N03-30

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD30N03-30

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD30N03-30

MOSFET 30V 30A 50W

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SUD30N03-30-E3

MOSFET 30V 30A 50W

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SUD30N03-30-T4

MOSFET 30V-30MILLIOHM N-CH

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SUD30N03-30-T4

auf Bestellung 3822 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD30N04-10

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD30N04-10

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD30N04-10

MOSFET 40V 30A 97W

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SUD30N04-10-E3

MOSFET 40V 30A 97W

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SUD30N04-10-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD30N04-10-T1-E3

MOSFET

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SUD30N04-10-T4

MOSFET 40V N-CH 12MTRENCH

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SUD35N05

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD35N05-26

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD35N05-26L

Trans MOSFET N-CH 55V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD35N05-26L
Produktcode: 122656

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

SUD35N05-26L

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD35N05-26L-E3

Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO252

Produkt ist nicht verfügbar

SUD35N05-26L-E3

auf Bestellung 6000 Stücke:

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SUD35N05-26L-E3

Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO252

Produkt ist nicht verfügbar

SUD35N05-26L-E3

Trans MOSFET N-CH 55V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD35N10-26

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SUD35N10-26P-BE3

MOSFET 100V N-CH (D-S)

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1+	3.41 EUR
10+	2.85 EUR
100+	2.27 EUR
250+	2.18 EUR
500+	1.92 EUR
1000+	1.62 EUR
2000+	1.6 EUR

SUD35N10-26P-BE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SUD35N10-26P-BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V

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SUD35N10-26P-BE3

SUD35N10-26P-BE3

auf Bestellung 4000 Stücke:

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2000+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD35N10-26P-BE3

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 4-Pin(3+Tab) TO-252

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SUD35N10-26P-BE3

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SUD35N10-26P-BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V

auf Bestellung 1835 Stücke:

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6+	3.36 EUR
10+	2.79 EUR
100+	2.22 EUR
500+	1.88 EUR
1000+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SUD35N10-26P-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V

auf Bestellung 308 Stücke:

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6+	3.36 EUR
10+	2.79 EUR
100+	2.22 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SUD35N10-26P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD35N10-26P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD35N10-26P-E3

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SUD35N10-26P-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V

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SUD35N10-26P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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48+	3.23 EUR
54+	2.77 EUR
57+	2.56 EUR
100+	2.07 EUR
250+	1.95 EUR
500+	1.5 EUR
1000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 48

SUD35N10-26P-E3

MOSFET 100V 35A 83W 26mohm @ 10V

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1+	3.41 EUR
10+	2.85 EUR
100+	2.27 EUR
250+	2.09 EUR
500+	1.9 EUR
1000+	1.62 EUR
2000+	1.5 EUR

SUD35N10-26P-E3

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SUD35N10-26P-GE3

auf Bestellung 1990 Stücke:

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6+	3.36 EUR
10+	2.79 EUR
100+	2.22 EUR
500+	1.88 EUR
1000+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SUD35N10-26P-GE3

N-Channel 100 V MOSFET

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SUD35N10-26P-GE3

MOSFET 100V 35A 83W 26mohm @ 10V

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10+	2.85 EUR
100+	2.27 EUR
250+	2.09 EUR
500+	1.9 EUR
1000+	1.64 EUR

SUD35N10-26P-GE3

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SUD35N10-26P-GE3

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SUD35N10-26P-GE3

N-Channel 100 V MOSFET

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SUD35N10-26P-GE3

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SUD35N10-26P-T4GE3

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SUD35N10-26P-T4GE3

MOSFET N-Channel 100-V D-S

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SUD40151EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

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SUD40151EL-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V

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SUD40151EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

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SUD40151EL-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -42A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -42A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke

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SUD40151EL-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs TO-252

auf Bestellung 67017 Stücke:

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1+	2.97 EUR
10+	2.46 EUR
100+	1.99 EUR
250+	1.81 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.41 EUR
2000+	1.39 EUR

SUD40151EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

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SUD40151EL-GE3

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SUD40151EL-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V

auf Bestellung 2329 Stücke:

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6+	2.96 EUR
10+	2.45 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SUD40N02-08

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD40N02-08

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD40N02-08-E3

auf Bestellung 1931 Stücke:

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SUD40N02-08-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 40A TO252

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SUD40N02-08-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD40N02-3M3P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 24.4A/40A TO252

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SUD40N02-3M3P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 24.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD40N03

auf Bestellung 2000 Stücke:

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SUD40N03-18

auf Bestellung 5000 Stücke:

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SUD40N03-18P

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD40N03-18P

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD40N03-18P

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD40N04-10A

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD40N04-10A

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD40N04-10A

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD40N04-10A-E3

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD40N04-10A-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TO252

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SUD40N04-10A-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD40N04-10A-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TO252

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SUD40N04-10AE3

auf Bestellung 1000 Stücke:

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SUD40N06
Produktcode: 58679

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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SUD40N06-24

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD40N06-24-T4

MOSFET 60V N-CH .024

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SUD40N06-25L

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD40N06-25L
Produktcode: 88851

IC > IC andere
8542 39 90 00

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SUD40N06-25L

MOSFET 60V 20A 75W

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SUD40N06-25L

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD40N06-25L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD40N06-25L-E3

MOSFET 60V 20A 75W

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SUD40N06-25L-E3

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SUD40N06-25L-T1-E3

MOSFET

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SUD40N06-25L-T4

MOSFET 60V AS 10MIL TRIMTL2 @2V 25R

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SUD40N0625LE3

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SUD40N08-16

MOSFET 80V 40A 100W

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SUD40N08-16

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD40N08-16

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD40N08-16-E3

Trans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD40N08-16-E3

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD40N08-16-E3

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V

auf Bestellung 6574 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.82 EUR
10+	4.06 EUR
100+	3.28 EUR
500+	2.92 EUR
1000+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SUD40N08-16-E3

Trans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 1045 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	4.08 EUR
50+	2.98 EUR
51+	2.84 EUR
100+	2.4 EUR
250+	2.06 EUR
500+	1.89 EUR
1000+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 38

SUD40N08-16-E3

MOSFET 80V 40A 100W

auf Bestellung 9825 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.79 EUR
10+	4.05 EUR
100+	3.27 EUR
500+	2.92 EUR
1000+	2.69 EUR
2000+	2.68 EUR

SUD40N08-16-E3

Trans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD40N08-16-E3

SUD40N08-16-E3 SMD N channel transistors

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SUD40N08-16-E3

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	2.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD40N08-16-E3

Description: VISHAY - SUD40N08-16-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.013 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 136
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD40N08-16-T4

09+ DIP

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD40N10-25

auf Bestellung 12170 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD40N10-25

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD35N10-26P-GE3

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SUD40N10-25

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD40N10-25

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD40N10-25

0630+

auf Bestellung 520 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD40N10-25

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD40N10-25-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD40N10-25-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUD40N10-25-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD40N10-25-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 70A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke

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SUD40N10-25-E3

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SUD40N10-25-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

auf Bestellung 2114 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.95 EUR
10+	4.15 EUR
100+	3.36 EUR
500+	2.98 EUR
1000+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SUD40N10-25-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD40N10-25-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT SUD35N10-26P-GE3

auf Bestellung 8451 Stücke:

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1+	4.91 EUR
10+	4.12 EUR
25+	3.89 EUR
100+	3.34 EUR
250+	3.15 EUR
500+	2.96 EUR
1000+	2.53 EUR

SUD40N10-25-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252

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SUD40N10-25-T4-E3

MOSFET N-Channel 100-V D-S

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SUD40N1025

0433

auf Bestellung 10 Stücke:

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SUD40P03-20

auf Bestellung 500 Stücke:

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SUD42N03-3M9P-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3

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SUD42N03-3M9P-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO252

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SUD42N03-3M9P-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 30V 107A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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SUD42N03-3M9P-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO252

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SUD45N05

auf Bestellung 1050 Stücke:

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SUD45N05-20L

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD45N05-20L

MOSFET 50V 30A 75W

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SUD45N05-20L

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD45N05-20L-E3

Trans MOSFET N-CH 50V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD45N05-20L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD23N06-31-GE3

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SUD45P03

auf Bestellung 682 Stücke:

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SUD45P03-09-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 45A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V

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SUD45P03-09-GE3

Description: VISHAY - SUD45P03-09-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 45 A, 0.0072 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 45
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 41.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 41.7
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

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SUD45P03-09-GE3

MOSFET 30V 45A PCH

auf Bestellung 13533 Stücke:

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SUD45P03-09-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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SUD45P03-10

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD45P03-10

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD45P03-10-E3
Produktcode: 92766

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SUD45P03-10-E3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD45P03-10-E3

Description: MOSFET P-CH 30V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V

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SUD45P03-15

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD45P03-15

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD45P03-15-E3

auf Bestellung 200000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD45P03-15-E3

Description: MOSFET P-CH 30V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

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SUD45P03-15-T1-E3

auf Bestellung 2460 Stücke:

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SUD45P04-16P-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 36A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD492H

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD492H

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD492J

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD492J

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD494J

AUK

07+ SOT-363

auf Bestellung 3000 Stücke:

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SUD494J

AUK

auf Bestellung 6200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD494J

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD494N

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD494N

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD50M02-12P

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD50M02-12P

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N014-06P

auf Bestellung 2000 Stücke:

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SUD50N02-04P

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N02-04P

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N02-04P-E3

auf Bestellung 1840 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N02-04P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V

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SUD50N02-06

auf Bestellung 6800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N02-06-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 30A TO252

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SUD50N02-06-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50N02-06-E3

auf Bestellung 2000 Stücke:

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SUD50N02-06P

Trans MOSFET N-CH 20V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50N02-06P

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N02-06P

MOSFET OBSOLETE - USE SUD50N02-06P-E3

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SUD50N02-06P

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N02-06P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V

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SUD50N02-06P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 3 Stücke:

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SUD50N02-06P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50N02-06P-E3

MOSFET 20V 26A 65W

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SUD50N02-06P-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N02-06P-E3

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SUD50N02-06P-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)

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SUD50N02-06P-T4

MOSFET 20V 26A 65W

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SUD50N02-09P

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N02-09P

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N02-09P

MOSFET 20V 20A 6.5W

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SUD50N02-09P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

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SUD50N02-09P-E3

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N02-09P-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUD50N02-06P-GE3

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SUD50N02-09P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N02-09P-E3

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N02-09P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N02-09P-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

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SUD50N02-09P-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUD50N02-06P-GE3

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SUD50N02-09P-GE3

N-Ch MOSFET DPak (TO-252) 20V 9.5mohm @ 10V 175C Rated

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SUD50N02-09P-T4

MOSFET

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SUD50N02-09P-T4-E3

MOSFET

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SUD50N02-11P

SOT-252

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SUD50N02-11P

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD50N02-12P

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD50N02-12P

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD50N0206

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N0206T4

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SUD50N024

auf Bestellung 5000 Stücke:

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SUD50N024-0

auf Bestellung 3774 Stücke:

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SUD50N024-06

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD50N024-06

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD50N024-06P

TO252

auf Bestellung 2528 Stücke:

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SUD50N024-06P

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD50N024-06P
Produktcode: 89310

Transistoren > MOSFET N-CH

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SUD50N024-06P

MOSFET OBSOLETE - USE SUD50N025-06P-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N024-06P

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N024-06P-E3

MOSFET 24V 80A 6.8W

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SUD50N024-06P-T4

auf Bestellung 1000 Stücke:

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SUD50N024-06P-T4E3

TO252

auf Bestellung 42900 Stücke:

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SUD50N024-09F-T4

auf Bestellung 400 Stücke:

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SUD50N024-09P

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N024-09P

TO252

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N024-09P

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N024-09P Transistor
Produktcode: 85069

Verschiedene Bauteile > Other components 3

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SUD50N024-09P-E3

Description: MOSFET N-CH 22V 49A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 22 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

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SUD50N024-09P-E3

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD50N024-09P-E4E3

TO252

auf Bestellung 22541 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N024-09P-T4

auf Bestellung 3774 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N024-09P-T4E3

auf Bestellung 4200 Stücke:

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SUD50N024-6D-24

auf Bestellung 1000 Stücke:

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SUD50N025

auf Bestellung 1072 Stücke:

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SUD50N025-05P

SOT-252

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SUD50N025-05P

07+ SOT-252

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SUD50N025-06P-E3

06+

auf Bestellung 100000 Stücke:

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SUD50N025-06P-E3

Description: MOSFET N-CH 25V 78A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.7W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 12 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N025-06P-E3

MOSFET 25V 78A 65W

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SUD50N025-06P-E3

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SUD50N025-09BP-4E3

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SUD50N025-09BP-E3

Description: MOSFET N-CH D-S 25V TO252

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SUD50N03

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SUD50N03-06

vishay

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SUD50N03-06AP-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 100A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SUD50N03-06AP-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V

auf Bestellung 4245 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.72 EUR
13+	1.43 EUR
100+	1.14 EUR
500+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SUD50N03-06AP-E3

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SUD50N03-06AP-E3

MOSFET 30V 90A 83W

auf Bestellung 2891 Stücke:

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2+	2.45 EUR
10+	2.02 EUR
100+	1.61 EUR
250+	1.55 EUR
500+	1.35 EUR
1000+	1.16 EUR
2000+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUD50N03-06AP-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50N03-06AP-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N03-06AP-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

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2000+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50N03-06AP-E3

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SUD50N03-06AP-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50N03-06AP-T4E3

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V

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SUD50N03-06P

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD50N03-06P

MOSFET RECOMMENDED ALT SUD50N048M8P4GE3

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SUD50N03-06P

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD50N03-06P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50N03-06P-E3

09+

auf Bestellung 478 Stücke:

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SUD50N03-06P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 84A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

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SUD50N03-07

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N03-07

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD50N03-07

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3

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SUD50N03-07

SIL

02+

auf Bestellung 3000 Stücke:

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SUD50N03-07-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3

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SUD50N03-07-E3

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD50N03-07-T4

Vishay OBSOLETE - USE SUD50N03-06AP-E3

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SUD50N03-07AP

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD50N03-07AP

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3

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SUD50N03-07AP-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3

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SUD50N03-07AP-T4

MOSFET 30V N-CH, 175DEG C RATED

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SUD50N03-09P

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD50N03-09P

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD50N03-09P

VISHY

2004

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SUD50N03-09P

auf Bestellung 20 Stücke:

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SUD50N03-09P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 63A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

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SUD50N03-09P-E3

09+

auf Bestellung 618 Stücke:

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SUD50N03-09P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N03-09P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 63A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N03-09P-E3

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD50N03-09P-GE3

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

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SUD50N03-09P-GE3

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SUD50N03-1

auf Bestellung 1200 Stücke:

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SUD50N03-10

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N03-10

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3

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SUD50N03-10

02+

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N03-10

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N03-10
Produktcode: 36248

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 30
Idd,A: 15
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3200/55
JHGF: SMD

verfügbar 12 Stück:

1+	0.98 EUR
10+	0.84 EUR

SUD50N03-10

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N03-10-E3

MOSFET 30V 15A 83W

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SUD50N03-10-T4

auf Bestellung 1588 Stücke:

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SUD50N03-10-T4

Vishay OBSOLETE - USE SUD50N03-09P-E3

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SUD50N03-10-T4-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N03-10AP

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N03-10AP

MOSFET 30V 20A 71W

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N03-10AP

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N03-10AP-E3

09+

auf Bestellung 396 Stücke:

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SUD50N03-10AP-E3

MOSFET 30V 20A 71W

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SUD50N03-10AP-T4

Vishay OBSOLETE - USE SUD50N03-09P-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N03-10BP

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N03-10BP-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3

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SUD50N03-10BP-T4

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N03-10BP-T4

MOSFET 30V N-CH 175DEG C RATED

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SUD50N03-10BP-T4-E3

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N03-10CP

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N03-10CP

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N03-10CP

MOSFET N-CH 30V(D-S),175 C MOSFET PWM OPTIMIZED

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SUD50N03-10CP-E3

Vishay OBSOLETE - USE SUD50N03-09P-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N03-10CP-T4

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N03-10CP-T4E3

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N03-10P

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6_GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N03-10P

SOT252/2.5

auf Bestellung 864 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N03-10P-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N03-10P-T4

MOSFET 30V N-CH 10MOHM, 32M CELL TRENCH

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SUD50N03-11

SILICON

04+

auf Bestellung 1207 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N03-11

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N03-11

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N03-11

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N03-11*

auf Bestellung 34000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N03-11-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N03-11-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N03-12P

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N03-12P

Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N03-12P

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N03-12P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N03-12P-E3

auf Bestellung 3500 Stücke:

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SUD50N03-12P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N03-12P-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N03-12P-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50N03-16

auf Bestellung 22000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N03-16P

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N03-16P

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N03-16P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N03-16P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N03-16P-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V

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SUD50N03-7M3P-E3

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SUD50N0307E3

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SUD50N04

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SUD50N04-05L

SOT-252

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SUD50N04-05L

07+ SOT-252

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SUD50N04-05L-E3

SOT-252

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SUD50N04-05L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3

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SUD50N04-05L-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 115A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50N04-05L-E3

TO-252

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SUD50N04-05L-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 115A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V

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SUD50N04-06H

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD50N04-06H

SOT-252

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SUD50N04-06H-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 109A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50N04-06H-E3

MOSFET 40V 109A 136W 6.0mohm @ 10V

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SUD50N04-07-E3

0904+

auf Bestellung 8000 Stücke:

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SUD50N04-07L

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD50N04-07L

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD50N04-07L-E3

MOSFET 40V 65A 65W 7.4mohm @ 10V

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SUD50N04-09H-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V

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SUD50N04-09H-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 115A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50N04-09H-E3

MOSFET 40V 50A 83.3W 9.0mohm @ 10V

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SUD50N04-16P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 9.8A/20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 20 V

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SUD50N04-16P-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 9.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50N04-37P-E3

N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

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SUD50N04-37P-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 5.4A/8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 10.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V

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SUD50N04-8M8P-4BE3

N-Channel MOSFET

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SUD50N04-8M8P-4BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V

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SUD50N04-8M8P-4BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V (D-S)

auf Bestellung 16324 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.32 EUR
10+	1.92 EUR
100+	1.48 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUD50N04-8M8P-4BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V

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SUD50N04-8M8P-4GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50N04-8M8P-4GE3

MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V

auf Bestellung 3548 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.02 EUR
10+	1.67 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUD50N04-8M8P-4GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V

auf Bestellung 1475 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.02 EUR
11+	1.65 EUR
100+	1.28 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SUD50N04-8M8P-4GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A; 30.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 30.8W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2498 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.43 EUR
59+	1.22 EUR
66+	1.09 EUR
174+	0.41 EUR
184+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 50

SUD50N04-8M8P-4GE3

Description: VISHAY - SUD50N04-8M8P-4GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0069ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 57191 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD50N04-8M8P-4GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N04-8M8P-4GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V

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SUD50N04-8M8P-4GE3

auf Bestellung 2498 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	1.43 EUR
59+	1.22 EUR
66+	1.09 EUR
174+	0.41 EUR
184+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 50

SUD50N04-8M8P-4GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N04-8M8P-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50N06-07L

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N06-07L

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N06-07L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 96A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N06-07L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N06-07L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 96A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N06-07L-E3

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N06-07L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N06-07L-E3

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N06-07L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 96A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N06-07L-GE3

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SUD50N06-07L-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N06-08H

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N06-08H

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N06-08H-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 93A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N06-08H-E3

MOSFET 60V 93A 136W 7.8mohm @ 10V

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N06-09-T1-E3

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N06-09L

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N06-09L-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N06-09L

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N06-09L

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N06-09L

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N06-09L-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2214 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

33+	2.17 EUR
37+	1.96 EUR
48+	1.5 EUR
51+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 33

SUD50N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 821 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	3.59 EUR
48+	3.02 EUR
100+	2.6 EUR
250+	2.47 EUR
500+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 44

SUD50N06-09L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

auf Bestellung 22922 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.4 EUR
10+	4.54 EUR
100+	3.67 EUR
500+	3.27 EUR
1000+	2.8 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SUD50N06-09L-E3

auf Bestellung 2214 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	2.17 EUR
37+	1.96 EUR
48+	1.5 EUR
51+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 33

SUD50N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 1766 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	2.96 EUR
55+	2.72 EUR
100+	2.58 EUR
200+	2.46 EUR
500+	2.3 EUR

Mindestbestellmenge: 53

SUD50N06-09L-E3

Description: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm

auf Bestellung 2338 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD50N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50N06-09L-E3
Produktcode: 169164

Transistoren > MOSFET N-CH

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SUD50N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50N06-09L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	2.63 EUR
6000+	2.53 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50N06-09L-E3

Siliconix

N-MOSFET 60V 50A 9.3mΩ 136W SUD50N06-09L-E3 Vishay TSUD50N06-09L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

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Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	3.98 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SUD50N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 821 Stücke:

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44+	3.59 EUR
48+	3.02 EUR
100+	2.6 EUR
250+	2.47 EUR
500+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 44

SUD50N06-09L-E3

Description: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm

auf Bestellung 2033 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD50N06-09L-E3

MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V

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1+	5.37 EUR
10+	4.52 EUR
100+	3.64 EUR
500+	3.26 EUR
1000+	2.96 EUR

SUD50N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 2000 Stücke:

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2000+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50N06-09L-T1-E3

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SUD50N06-12

SOT-252

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SUD50N06-12

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N06-16

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N06-16

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N06-16-E3

auf Bestellung 5 Stücke:

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SUD50N06-36-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50N06-36-T4-E3

MOSFET 60V 12A 24W 36mohm @ 10V

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SUD50N10-18P

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50N10-18P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N10-18P-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N10-18P-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V

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SUD50N10-18P-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50N10-18P-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V

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SUD50N10-34P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50N10-34P-T4-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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SUD50N10-34P-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

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SUD50NP04-62-4-E3

auf Bestellung 1984 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50NP04-62-T4-E3

MOSFET 40V 8.0A 15.6/23.5W 30/32mohm @ 10V

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SUD50NP04-77P-T4-E3

Trans MOSFET N/P-CH 40V 8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R

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SUD50NP04-77P-T4E3

Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10.8W, 24W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
Part Status: Active

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SUD50P04

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50P04-08-BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P04-08-BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.38 EUR
10+	1.94 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SUD50P04-08-BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A

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SUD50P04-08-BE3

P-Channel MOSFET

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SUD50P04-08-BE3

MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S)

auf Bestellung 2526 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.36 EUR
10+	1.8 EUR
100+	1.5 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.04 EUR
2000+	0.99 EUR
4000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUD50P04-08-BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P04-08-BE3

Description: VISHAY - SUD50P04-08-BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 50A, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

auf Bestellung 5120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD50P04-08-E3

Description: MOSFET P-CH 40V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50P04-08-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD50P04-08-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V

auf Bestellung 5948 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.38 EUR
10+	1.94 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SUD50P04-08-GE3

MOSFET 40V 50A P-CH MOSFET

auf Bestellung 28001 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.36 EUR
10+	1.94 EUR
100+	1.5 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.04 EUR
2000+	0.98 EUR
4000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUD50P04-08-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50P04-08-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P04-08-GE3

Description: VISHAY - SUD50P04-08-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 66482 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD50P04-08-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P04-08-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 73.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 159nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1932 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

42+	1.73 EUR
50+	1.44 EUR
72+	1 EUR
76+	0.94 EUR
500+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 42

SUD50P04-08-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50P04-08-GE3

auf Bestellung 1932 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	1.73 EUR
50+	1.44 EUR
72+	1 EUR
76+	0.94 EUR
500+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 42

SUD50P04-08-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P04-09L

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50P04-09L

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50P04-09L-E3
Produktcode: 167710

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50P04-09L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50P04-09L-E3

Description: VISHAY - SUD50P04-09L-E3 - MOSFET, P CHANNEL, -40V, -50A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

auf Bestellung 6391 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD50P04-09L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P04-09L-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V

auf Bestellung 15527 Stücke:

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5+	4.22 EUR
10+	3.51 EUR
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500+	2.36 EUR
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SUD50P04-09L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A; 136W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50P04-09L-E3

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SUD50P04-09L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50P04-09L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50P04-09L-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V

auf Bestellung 14000 Stücke:

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2000+	1.9 EUR
6000+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P04-09L-E3

MOSFET 40V 50A 136W 9.4mohm @ 10V

auf Bestellung 5610 Stücke:

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1+	4.19 EUR
10+	3.48 EUR
100+	2.78 EUR
500+	2.36 EUR
1000+	1.99 EUR
2000+	1.88 EUR
4000+	1.85 EUR

SUD50P04-09L-E3-VB

VBsemi

Transistor P-Channel MOSFET; -40V; +/-20V; 59mOhm; -50A; 136W; -55°C~175°C; SUD50P04-09L-E3 TSUD50P04-09L-E3 VBS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

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Mindestbestellmenge: 20

SUD50P04-13L

SOT-252

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SUD50P04-13L
Produktcode: 92169

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SUD50P04-13L

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50P04-13L
Produktcode: 92167

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SUD50P04-13L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50P04-13L-E3

09+ SOP8

auf Bestellung 5000 Stücke:

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SUD50P04-13L-E3

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50P04-13L-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 93.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V

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SUD50P04-13L-GE3

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SUD50P04-13L-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 55.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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SUD50P04-15

SOT-252

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SUD50P04-15

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

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SUD50P04-15-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50P04-15-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V

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SUD50P04-15-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50P04-15-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V

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SUD50P04-15-T4

auf Bestellung 490 Stücke:

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SUD50P04-23

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50P04-23-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 8.2A/20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 45.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 20 V

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SUD50P04-23-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50P04-23-GE3

auf Bestellung 2000 Stücke:

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SUD50P04-23-GE3

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SUD50P04-40P

auf Bestellung 2500 Stücke:

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SUD50P04-40P-E3

P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

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SUD50P04-40P-T4-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 6A/8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1555 pF @ 20 V

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SUD50P06

auf Bestellung 115 Stücke:

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SUD50P06
Produktcode: 66964

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SUD50P06-15

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50P06-15-BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P06-15-BE3

MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)

auf Bestellung 33784 Stücke:

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1+	4.19 EUR
10+	3.38 EUR
100+	2.78 EUR
250+	2.57 EUR
500+	2.32 EUR
1000+	1.99 EUR
2000+	1.85 EUR

SUD50P06-15-BE3

Description: VISHAY - SUD50P06-15-BE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 50A, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

auf Bestellung 1923 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD50P06-15-BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

auf Bestellung 3341 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.22 EUR
10+	3.51 EUR
100+	2.79 EUR
500+	2.36 EUR
1000+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SUD50P06-15-BE3

Power MOSFET

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SUD50P06-15-BE3

Power MOSFET

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SUD50P06-15-GE3

MOSFET 60V 50A 113W 15mohm @ 10V

auf Bestellung 25980 Stücke:

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1+	4.29 EUR
10+	3.57 EUR
100+	2.83 EUR
500+	2.41 EUR
1000+	2.04 EUR
2000+	1.94 EUR
4000+	1.88 EUR

SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50P06-15-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 113W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 113W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 1722 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	3.12 EUR
26+	2.79 EUR
57+	1.26 EUR
61+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P06-15-GE3

Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 20548 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD50P06-15-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	1.9 EUR
6000+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 1600 Stücke:

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53+	2.92 EUR
63+	2.37 EUR
100+	2.15 EUR
200+	2.05 EUR
500+	1.79 EUR
1000+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 53

SUD50P06-15-GE3

auf Bestellung 1722 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

23+	3.12 EUR
26+	2.79 EUR
57+	1.26 EUR
61+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P06-15-GE3

auf Bestellung 20548 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD50P06-15-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

auf Bestellung 10924 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.22 EUR
10+	3.51 EUR
100+	2.79 EUR
500+	2.36 EUR
1000+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SUD50P06-15L

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50P06-15L

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50P06-15L

MOSFET 60V 50A 136W

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50P06-15L

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50P06-15L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	1.72 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P06-15L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD50P06-15L-E3

auf Bestellung 6380 Stücke:

Lieferzeit 18-25 Tag (e)

SUD50P06-15L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

auf Bestellung 29881 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.22 EUR
10+	3.51 EUR
100+	2.79 EUR
500+	2.36 EUR
1000+	2 EUR

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SUD50P06-15L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	1.72 EUR

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SUD50P06-15L-E3

MOSFET P-CH 60V 50A

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10+	3.48 EUR
100+	2.78 EUR
250+	2.68 EUR
500+	2.34 EUR
1000+	1.99 EUR
2000+	1.94 EUR

SUD50P06-15L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 136W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1515 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

23+	3.16 EUR
27+	2.72 EUR
48+	1.52 EUR
50+	1.43 EUR

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SUD50P06-15L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 2000 Stücke:

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2000+	2.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P06-15L-E3
Produktcode: 82293

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SUD50P06-15L-E3

Description: VISHAY - SUD50P06-15L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2453 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD50P06-15L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

auf Bestellung 28000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	1.9 EUR
6000+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P06-15L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50P06-15L-E3

auf Bestellung 1515 Stücke:

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23+	3.16 EUR
27+	2.72 EUR
48+	1.52 EUR
50+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 23

SUD50P06-15L-E3

Транз. Пол. БМ DPAK MOSFET P-channel 60 V; 50 A; 15mohm@17A, 10V Pmax=136 W

auf Bestellung 112 Stücke:

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1+	17.3 EUR
10+	15.82 EUR

SUD50P06-15L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P06-15L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 2000 Stücke:

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2000+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P06-15L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50P06-15L-T4-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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SUD50P06-15L-T4-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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SUD50P06-15L-T4-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

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SUD50P06-15L-T4-E3

MOSFET P-Channel 60-V D-S

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10+	3.91 EUR
25+	3.68 EUR
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250+	2.97 EUR
500+	2.82 EUR
1000+	2.41 EUR

SUD50P0615

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SUD50P0615L

auf Bestellung 2100 Stücke:

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SUD50P08-25L

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SUD50P08-25L-BE3
Produktcode: 182312

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SUD50P08-25L-BE3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 4-Pin(3+Tab) TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50P08-25L-BE3

Description: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

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2000+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P08-25L-BE3

MOSFET 80V P-CH MOSFET (D-S) 17

auf Bestellung 51725 Stücke:

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1+	4.19 EUR
10+	3.48 EUR
100+	2.78 EUR
250+	2.68 EUR
500+	2.34 EUR
1000+	1.99 EUR
2000+	1.88 EUR

SUD50P08-25L-BE3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 4-Pin(3+Tab) TO-252

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P08-25L-BE3

Description: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V

auf Bestellung 4118 Stücke:

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5+	4.22 EUR
10+	3.51 EUR
100+	2.79 EUR
500+	2.36 EUR
1000+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SUD50P08-25L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD50P08-25L-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V

auf Bestellung 6104 Stücke:

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5+	4.22 EUR
10+	3.51 EUR
100+	2.79 EUR
500+	2.36 EUR
1000+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SUD50P08-25L-E3

Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 17865 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD50P08-25L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P08-25L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -50A; Idm: -40A; 95W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 95W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SUD50P08-25L-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50P08-25L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P08-25L-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	1.9 EUR
6000+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P08-25L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P08-25L-E3
Produktcode: 133983

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SUD50P08-25L-E3

Транз. Пол. БМ TO-252-3 MOSFET P-channel 80 V; 50 A; Pmax=136 W

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	13.13 EUR

SUD50P08-25L-E3

auf Bestellung 17865 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD50P08-25L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P08-25L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SUD50P08-25L-E3

MOSFET 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V

auf Bestellung 149325 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.38 EUR
10+	2.92 EUR
100+	2.46 EUR
250+	2.39 EUR
500+	2.18 EUR
1000+	1.97 EUR
2000+	1.83 EUR

SUD50P08-26

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50P08-26-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50P08-26-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50P10-43-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50P10-43-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50P10-43L

auf Bestellung 25200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD50P10-43L-BE3

Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50P10-43L-BE3

Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50P10-43L-BE3

MOSFET 100V P-CH MOSFET (D-S) 17

auf Bestellung 21987 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.17 EUR
10+	3.48 EUR
100+	2.76 EUR
250+	2.55 EUR
500+	2.32 EUR
1000+	1.99 EUR
4000+	1.83 EUR

SUD50P10-43L-BE3

Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50P10-43L-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P10-43L-E3

Транз. Пол. БМ DPAK MOSFET P-channel 60 V; 50 A; 15mohm@17A, 10V Pmax=136 W

auf Bestellung 30 Stücke:

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1+	16.93 EUR
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SUD50P10-43L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 26 Stücke:

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SUD50P10-43L-E3

MOSFET 100V 37A 136W 43mohm @ 10V

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1+	3.63 EUR
10+	2.92 EUR
100+	2.46 EUR
250+	2.38 EUR
500+	2.18 EUR
1000+	1.97 EUR

SUD50P10-43L-E3

Description: VISHAY - SUD50P10-43L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm

auf Bestellung 15360 Stücke:

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SUD50P10-43L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50P10-43L-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

auf Bestellung 4716 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.21 EUR
10+	3.5 EUR
100+	2.78 EUR
500+	2.35 EUR
1000+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SUD50P10-43L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50P10-43L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -37.1A; Idm: -40A; 95W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -37.1A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 95W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50P10-43L-E3

Produkt ist nicht verfügbar

SUD50P10-43L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 26 Stücke:

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SUD50P10-43L-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

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2000+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P10-43L-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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2000+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD50P10-43L-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50P10-43L-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -36.4A; Idm: -40A; 72.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -36.4A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 72.7W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SUD50P10-43L-GE3

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SUD50P10-43L-GE3

Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 1115 Stücke:

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SUD50P10-43L-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD50P10-43L-GE3

MOSFET 100V 37A P-Channel

auf Bestellung 41509 Stücke:

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1+	4.17 EUR
10+	3.47 EUR
100+	2.76 EUR
250+	2.55 EUR
500+	2.32 EUR
1000+	1.99 EUR
2000+	1.9 EUR

SUD50P10-43L-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

auf Bestellung 3866 Stücke:

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5+	4.21 EUR
10+	3.5 EUR
100+	2.78 EUR
500+	2.35 EUR
1000+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SUD50P10-43L-GE3

auf Bestellung 1115 Stücke:

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SUD54P04-23-GE3

MOSFET 40V 23mohm @ 10V

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SUD5N03-11

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD70090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V

auf Bestellung 3958 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.46 EUR
10+	2.05 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.17 EUR

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SUD70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD70090E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 50A; Idm: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar

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SUD70090E-GE3

Description: VISHAY - SUD70090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 50
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: ThunderFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0074
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

SUD70090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SUD70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

61+	2.57 EUR
67+	2.23 EUR
69+	2.09 EUR
73+	1.91 EUR
100+	1.65 EUR
250+	1.55 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 61

SUD70090E-GE3

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SUD70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

61+	2.57 EUR
67+	2.23 EUR
69+	2.09 EUR
73+	1.91 EUR
100+	1.65 EUR
250+	1.55 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 61

SUD70090E-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 21705 Stücke:

Lieferzeit 974-978 Tag (e)

2+	2.48 EUR
10+	2.06 EUR
100+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUD70N02

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD70N02-03P

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD70N02-03P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SUD70N02-049-E3

auf Bestellung 1670 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD70N02-04P

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD70N02-04P

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD70N02-05+P

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD70N02-05P

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD70N02-05P

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD70N02-05P-T4

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD70N03-04P

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD70N03-04P

auf Bestellung 966 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD70N03-04P

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD70N03-06P

06+

auf Bestellung 108 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD70N03-06P

SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD70N03-06P

07+ SOT-252

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SUD80460E-BE3

Trans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SUD80460E-BE3

MOSFET 150V N-CHANNEL MOSFET (D-S)

auf Bestellung 22000 Stücke:

Lieferzeit 645-649 Tag (e)

2+	1.54 EUR
10+	1.36 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.71 EUR
2000+	0.67 EUR
4000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUD80460E-BE3

Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUD80460E-GE3

SUD80460E-GE3 SMD N channel transistors

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SUD80460E-GE3

MOSFET 150V Vds 42A Id 10.5nC Qg Typ.

auf Bestellung 4055 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.57 EUR
10+	1.35 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.71 EUR
2000+	0.64 EUR
4000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SUD80460E-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUD80460E-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

Produkt ist nicht verfügbar

SUD80460E-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

Produkt ist nicht verfügbar

SUD80460E-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUD90330E-BE3

SUD90330E-BE3

Produkt ist nicht verfügbar

SUD90330E-BE3

Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

SUD90330E-BE3

MOSFET N-CHANNEL 200V (D-S)

auf Bestellung 79 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

SUD90330E-BE3

Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V

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SUD90330E-GE3